蒸发镀膜均匀性挡板的制作方法

文档序号:3266485阅读:210来源:国知局
专利名称:蒸发镀膜均匀性挡板的制作方法
技术领域
本实用新型涉及的是一种蒸发镀膜均匀性挡板,主要用于镀膜产品均匀性调节。
背景技术
在现代科学技术与工业生产中,真空镀膜技术处于非常重要的地位,特别是真空热蒸发镀膜被广泛应用到生产工业中,现有真空热蒸发镀膜工艺包括沉积速率、真空度、基底温度等多种工艺控制方式,其中沉积速率控制主要决定了光学薄膜的聚集密度和厚度均匀性,对膜厚的控制也有直接的影响。 参见图I和图2,蒸发镀膜机10上的均匀性档板40主要是修正膜层的均匀性,从而达到所镀的每片产品的各个点的波长一致,以及颜色一致,所以又叫调色板,挡板的材质为不锈钢皮、铝皮等。而现有蒸发镀膜机10上的基片架30与蒸发源20有一定的角度,由于蒸发源20蒸发直接到达被镀的产品表面上,蒸发源20角度及基片架30弧度的关系,每片产品的上下各点所接受到材料沉积的数量不一致,这样就必须依靠均匀性挡板来调整产品的均匀性;但由于均交性挡板40的四周边缘为圆滑的弧形,而这种结构的均交性挡板只能调整各片产品中心点波长的一致,每片产品的周边的各点的波长却不能很好的控制,增加生产次品率,影响产品生产效率。

实用新型内容针对现有技术上存在的不足,本实用新型目的是在于提供一种能够调整材料沉积到产品上各个点的均匀度,从而提高每片产品各点均匀性的蒸发镀膜均匀性挡板,调整了产品的各点波长的一致性,提高生产良率。为了实现上述目的,本实用新型是通过如下的技术方案来实现蒸发镀膜均匀性挡板,其包括中心杆和设置在中心杆上的档板本体,其特征在于,所述档板本体上与中心杆对称的两侧边为外凸圆弧形边,在所述外凸圆弧形边上设置有复数个钜齿口,即所述外凸圆弧形边呈锯齿状,通过改装成边缘带钜齿状,从而更好调整产品的各点波长的一致性,提高生产良率。作为优选,所述钜齿口呈半圆形,均匀的设置在外凸圆弧形边上。本实用新型通过将外凸圆弧形边的边缘带钜齿状,调整各片产品中心点波长的一致,更好的控制每片产品的周边的各点的波长,本实用新型调整产品的各点波长的一致性,提闻生广良率。
以下结合附图
具体实施方式
来详细说明本实用新型;图I为现有蒸发镀膜均匀性挡板的结构示意图;图2为现有蒸发镀膜均匀性挡板使用状态示意图;图3为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式
,进一步阐述本实用新型。参见图2,本实施的蒸发镀膜均匀性挡板,其包括中心杆I和安装在中心杆I上的档板本体2 ;在档板本体I上端为内凹的圆弧边,其中间固定中心杆I ;该档板本体2上关于中心杆I对称的两侧边为外凸圆弧形边,在外凸圆弧形边上加工有复数个钜齿口 3,该钜齿口 3为内凹的半圆形,均匀设置在档板本体两侧的外凸圆弧形边上,即该外凸圆弧形边呈锯齿状,通过改装成边缘带钜齿状,从而更好调整产品的各点波长的一致性,提高生产良率。本实施例中,将现有的圆弧形挡板改装为钜齿形挡板,能够更好的调整材料沉积到产品上各个点的均匀度,从而更好的提高每片产品各点的均匀性。 使用时,蒸发源蒸发直接到达被镀的产品表面上,由于蒸发源角度及基片架弧度的关系,每片产品的上下各点所接受到材料沉积的数量不一致,由于均匀性挡板采用的钜齿形挡板,更好的控制每片产品的周边的各点的波长,从而便于调整产品的各点波长的一致性,使其均匀,提高生产良率。以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
权利要求1.蒸发镀膜均匀性挡板,其包括中心杆和设置在中心杆上的档板本体,其特征在干,所述档板本体上与中心杆对称的两侧边为外凸圆弧形边,在所述外凸圆弧形边上设置有复数个钜齿ロ,即所述外凸圆弧形边呈锯齿状。
2.根据权利要求I所述的蒸发镀膜均匀性挡板,其特征在于,所述钜齿ロ呈半圆形,均匀的设置在外凸圆弧形边上。
专利摘要本实用新型涉及的一种蒸发镀膜均匀性挡板,其包括中心杆和设置在中心杆上的档板本体,所述档板本体上与中心杆对称的两侧边为外凸圆弧形边,在所述外凸圆弧形边上设置有复数个钜齿口,即所述外凸圆弧形边呈锯齿状。本实用新型通过将外凸圆弧形边的边缘带钜齿状,调整各片产品中心点波长的一致,更好的控制每片产品的周边的各点的波长,本实用新型调整产品的各点波长的一致性,提高生产良率。
文档编号C23C14/24GK202509130SQ20122009430
公开日2012年10月31日 申请日期2012年3月14日 优先权日2012年3月14日
发明者张全文 申请人:赫得纳米科技(昆山)有限公司
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