半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置、气化系统和喷雾过滤器与流程

本发明涉及半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置、气化系统和喷雾过滤器，特别是涉及具有使用液体原料来处理半导体晶圆的工序的半导体装置的制造方法、基板处理方法以及合适用于这些方法的气化系统和喷雾过滤器。

背景技术：
作为半导体装置的制造工序的工序之一，专利文献1公开有使用液体原料在基板上成膜的技术。专利文献1：日本特开2010-28094号公报

技术实现要素：
在用液体原料进行成膜等基板处理时，用使液体原料气化而成为气体状态的原料气体。但是，用这样的原料在半导体晶圆上进行成膜的情况下，有时由于气化不良等，在晶圆上产生微粒。还有时使已气化的原料气体再液化，无法高效率地向处理室供给液体原料。本发明的主要目的在于，提供一种能够抑制在使用液体原料时所产生的微粒的量、并且能够高效率地气化液体原料并向处理室供给的半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置、气化系统和喷雾过滤器。根据本发明的一技术方案，提供一种半导体装置的制造方法，包括：向处理室搬入基板的工序；通过使液体原料依次流过气化器、组合多个在不同的位置具有孔的至少2种板而构成的喷雾过滤器，使该液体原料气化，将其供给至上述处理室中，对上述基板进行处理的工序；以及从上述处理室搬出基板的工序。根据本发明的另一技术方案，提供一种基板处理方法，包括：向处理室搬入基板的工序；通过使液体原料依次流过气化器、组合多个在不同的位置具有孔的至少2种板而构成的喷雾过滤器，使该液体原料气化，将其供给至上述处理室中对上述基板进行处理的工序；以及从上述处理室搬出基板的工序。根据本发明的另一技术方案，提供一种基板处理装置，包括：容纳基板的处理室；向上述处理室供给处理气体的处理气体供给系统；以及对上述处理室进行排气的排气系统，上述处理气体供给系统具有：被供给液体原料的气化器；以及配置于上述气化器的下游的喷雾过滤器，上述喷雾过滤器通过组合多个在不同的位置具有孔的至少2种板而构成。根据本发明的另一技术方案，提供一种气化系统，包括：被供给液体原料的气化器；以及配置在上述气化器的下游的喷雾过滤器，上述喷雾过滤器通过组合多个在不同的位置具有孔的至少2种板而构成。根据本发明的另一技术方案，提供一种喷雾过滤器，通过组合多个在不同的位置具有孔的至少2种板而构成。根据本发明，能够抑制在使用液体原料时所产生的微粒的量，并且能够高效率地气化液体原料并向处理室供给。附图说明图1是用于说明比较用的原料供给系统的简图。图2是用于说明本发明优选的实施方式的原料供给系统的简图。图3是用于说明在本发明优选的实施方式中合适地使用的喷雾过滤器的立体简图。图4是用于说明在本发明优选的实施方式中合适地使用的喷雾过滤器的分解立体简图。图5是用于说明在本发明优选的实施方式中合适地使用的喷雾过滤器的分解立体简图。图6是用于说明使用了比较用的原料供给系统的情况下的微粒的状况的图。图7是用于说明在本发明优选的实施方式中合适地使用的喷雾过滤器内的流速分布的剖视简图。图8是用于说明在本发明优选的实施方式中合适地使用的喷雾过滤器内的压力分布的剖视简图。图9是用于说明在本发明优选的实施方式中合适地使用的喷雾过滤器内的温度分布的剖视简图。图10(A)、(B)、(C)是用于说明在本发明优选的实施方式中合适地使用的喷雾过滤器的变形例的剖视简图。图11(A)、(B)、(C)是用于说明在本发明优选的实施方式中合适地使用的喷雾过滤器的变形例的剖视简图。图12(A)、(B)是用于说明在本发明优选的实施方式中合适地使用的喷雾过滤器的变形例的剖视简图。图13是用于说明本发明优选的实施方式的基板处理装置的纵剖视简图。图14是图13的AA线横剖视简图。图15是表示图13所示的基板处理装置具有的控制器的结构的框图。图16是用于说明使用本发明优选的实施方式的基板处理装置而制作锆氧化膜的工艺的流程图。图17是用于说明使用本发明优选的实施方式的基板处理装置而制作锆氧化膜的工艺的时序图。符号说明121控制器；150加热器；200晶圆；201处理室；202处理炉；203反应管；207加热器；217晶舟；218石英盖；219密封盖；231排气管；232a、232b气体供给管；232c、232e非活性气体供给管；232d、232g通气管；241a、241b、241c、241e质量流量控制器；243a、243b、243c、243d、243e、243f、243g阀门；244APC阀门；245压力传感器；246真空泵；249a、249b喷嘴；263温度传感器；271a气化器；272a气体过滤器；300喷雾过滤器；310、340端部板；314、324、334烧结金属；320、330板；322、332孔；313、323、333、343空间；328、338平板状的板；329、339外周部；350喷雾过滤器主体；360加热器；370气体路径；500臭氧发生器。具体实施方式接下来，说明本发明优选的实施方式。首先，说明适合用于本发明优选的实施方式的基板处理装置中的原料供给系统。如上所述，在用液体原料进行成膜等基板处理时，用使液体原料气化而成为气体状态的原料气体。为了使液体原料气化，重要在于(1)提高温度、(2)降低压力这两方面。但是，在半导体装置的制造工序中，由于装置结构和工艺条件等存在各种制约，例如，过于提高温度时有时没有必要，或无法充分降低压力，难以制作适当的气化管线。如上所述，在用使液体原料气化而成为气体状态的原料气体在半导体晶圆上进行成膜等处理的情况下，存在在晶圆上产生微粒这样的问题、气化气体再液化这样的问题等，本发明人仔细研究了该问题，结果得到了以下的见解。如图1所示那样的、在从使液体原料气化的气化器271a到处理室201的气体供给管道232a中设有气体过滤器272a的基板处理装置中，气体过滤器272a能够捕集来自气化器271a的气化不良的液滴和微粒、来自气体供给管道232a的微粒。另外，在从气化器271a到处理室201的气体供给管道232a中设有加热器150而能够进行加热。但是，在使用了用气化器271a难以气化(蒸气压低)的液体原料的情况下或所要求的气化流量多的情况下，由气体过滤器272a无法完全地捕集微粒和气化不良的液滴。若在该状态下进行成膜，如图6所示，在晶圆200上会增加微粒。另外，引起气体过滤器272a产生堵塞，也成为微粒源。此外，若引起堵塞，则还会产生不得不更换气体过滤器272a的过滤器这样的问题。因此，如图2所示，本发明人研究出在气化器271a与气体过滤器272a之间的气体供给管道232a上设置喷雾过滤器(除雾器)300的方案。需要说明的是，通过在从气化器271a到处理室201的气体供给管道232a上设置加热器150，能够加热通过气体供给管道232a的原料气体。参照图3，喷雾过滤器300包括：喷雾过滤器主体350；以及设于喷雾过滤器主体350的外侧并覆盖喷雾过滤器主体350的加热器360。参照图4、图5，喷雾过滤器300的喷雾过滤器主体350包括：两端的端部板310、340；以及配置于端部板310、340间的2种板320、330。在上游侧的端部板310安装有接头312。在下游侧的端部板340安装有接头342。在端部板310和接头312内形成有气体路径311。在端部板340和接头342内形成有气体路径341。接头312和接头342(气体路径311和气体路径341)分别连接于气体供给管道232a。2种板320、330分别设有多个，交替地配置于端部板310、340之间。板320包括平板状的板(板部)328和设于板328的外周的外周部329。在板328上，仅在其外周附近设有多个孔322。板330包括平板状的板(板部)338和设于板338的外周的外周部339。在板338上，仅在其中心附近(与在板328上形成孔322的位置不同的位置)设有多个孔332。喷雾过滤器300通过组合多个板320和板330而构成。板320和板330，除了孔322、332的形成位置之外，形成为相同或大致相同形状。平板状的板328和板338俯视呈圆形，除了孔322、332的形成位置之外，形成为相同形状或大致相同形状。多个孔322在板328的外周侧以描绘同心圆的方式形成。多个孔332在板338的中心侧，以描绘同心圆的方式形成。在这里，由多个孔322所描绘的圆和由多个孔332所描绘的圆的半径是不同的。具体而言，由多个孔322所描绘的圆的半径比由多个孔332所描绘的圆的半径大。换句话说，在板328上的形成孔322的区域和在板338上的形成孔332的区域不同。在各自的区域中交替地配置(层叠、重合)板320和板330时，在其层叠方向上被设定在交错的位置。由此，通过交替地配置板320、330，从喷雾过滤器300的上游侧朝向下游侧，交错地配置孔322和孔332。即，孔322和孔332从喷雾过滤器300的上游侧朝向下游侧，被配置成互相不重叠。板320、330的外周部329、339的厚度被设定得比板328、338的厚度大。通过使外周部329、339各自与相邻的板的外周部329、339接触，在各板328、338之间形成空间(后述)。此外，外周部329、339相对于板328、338形成在偏置的位置。更具体而言，对于外周部329、339而言，其一方的面(板320和板330的层叠方向上的一方的面)以从板328、338的平面突出的方式形成，另一方的面以位于板328、338的缘部上的方式形成。由此，在层叠板320和板330时，板320的外周部329嵌合于板330的板338的缘部，并且板330的外周部339嵌合于板320的板328的缘部，板320、330互相对齐。通过交替地配置这样的板320、330，成为错综复杂的气体路径370，能够提高因气化不良或再液化产生的液滴与被加热的壁面(板328、338)碰撞的概率。另外，孔322、332的大小取决于喷雾过滤器主体350内的压力，优选直径是1～3mm。下限值的根据是因为，若孔的大小太小，则会产生堵塞。此外，也可以在设于板330的孔332中，使设于中心的孔比其周边小。液体原料由气化器271a(参照图2)气化而成为气体状态的原料气体和因气化不良或再液化产生的液滴，从端部板310和接头312内的气体路径311被导入喷雾过滤器主体350内，与第1个板320的平板状的板328的中央部421(未形成孔322的部位)碰撞，之后，通过设于板328的外周附近的孔322，与第2个板330的平板状的板338的外周部432(未形成孔332的部位)碰撞，之后，通过设于板338的中心附近的孔332，与第3个板320的平板状的板328的中央部422(未形成孔322的部位)碰撞，之后，同样地依次通过板330、320，通过端部板340和接头342内的气体路径341，从喷雾过滤器主体350被导出，向下游的气体过滤器272a(参照图2)输送。喷雾过滤器主体350被加热器360(参照图3)从外侧加热。喷雾过滤器主体350包括多个板320和板330，板320包括平板状的板328和设于板328的外周的外周部329，板330包括平板状的板338和设于板338的外周的外周部339。板328和外周部329一体地构成，板338和外周部339一体地构成，所以在喷雾过滤器主体被加热器360从外侧加热时，热高效率地向平板状的板328、338传递。另外，板328和外周部329即使不一体地构成，只要是完全地接触的状态，此外，板338和外周部339即使不一体地构成，只要是完全地接触的状态，就同样地使来自加热器360的热充分高效率地向板328、338传递。在喷雾过滤器主体350，如上所述，因为由多个板320和板330构成错综复杂的气体路径370，所以能够不过分增加喷雾过滤器主体350内的压力损失地，提高经气化而成为气体状态的原料气体以及因气化不良或再液化产生的液滴的、向被加热的平板状的板328、338的碰撞概率。并且，因气化不良或再液化产生的液滴在具有充分的热量的喷雾过滤器主体350内，一边与被加热的平板状的板328、338碰撞一边被再加热、被气化。喷雾过滤器主体350的材质，优选与在气化器271a或管道232a中使用的材质同等或比它们高的热传导率的材质。此外，也优选具有耐腐蚀性。作为一般的材质，例举有不锈钢材(SUS)。接着，使用数值流体力学分析软件(CFdesign)，说明对喷雾过滤器主体350进行分析的结果。分析对象喷雾过滤器主体350的尺寸为，外径40mm，全长127mm。参照图7，一边对喷雾过滤器主体350以20slm供给30℃的氮(N2)气，一边在使喷雾过滤器主体350的出口侧的压力成为13300Pa这样的条件下进行了分析。压力损失是1500Pa(参照图8)，30℃的N2气体在第4个板(第1个板320、第2个板330、第3个板320，然后第4个板330)达到150℃(参照图9)。在分析中，虽然与实机的条件不同，但是以满足比实际不利的条件的方式进行。若在气化器271a与气体过滤器272a之间的气体供给管道232a上设置喷雾过滤器300(参照图2)，则在难以气化的液体原料或气化流量多的情况下，因气化不良产生的液滴在充分地具有热量的喷雾过滤器300内一边与板320的壁面(板328)和板330的壁面(板338)碰撞一边被再加热、气化。并且，利用处理室201近前的气体过滤器272a，捕集稍微残留的气化不良的液滴和在气化器271a、喷雾过滤器300内部产生的微粒。喷雾过滤器300发挥气化辅助的作用，能够向处理室291内供给无因气化不良产生的液滴和微粒的反应气体，能够进行优质的成膜等处理。此外，喷雾过滤器300还发挥气体过滤器272a的辅助的作用，通过能够抑制气体过滤器272a的过滤器堵塞，能够无需维护气体过滤器272a，或能够延长气体过滤器272a的过滤器更换周期。如上所述，板320包括平板状的板328和设于板328的外周的外周部329，板330包括平板状的板338和设于板338的外周的外周部339(参照图4、5)。此外，端部板310也包括平板状的板318和设于板318的外周的外周部319，端部板340也包括平板状的板348和设于板348的外周的外周部349(参照图4、5)。并且，在这些外周部329、339、319、349的内侧，分别形成有空间323、333、313、343(参照图4、5、图10(A))。另外，对于端部板310、端部板340、板320和板330，各自的外周部319、349、329、339彼此例如通过焊接被接合，而气密地连接。此外，在上述的喷雾过滤器300中，构成为具有板320和板330，但是也可以具有孔的形成位置不同的3种以上的板。在上述的实施方式中，在空间313、323、333、343中什么都没设置(参照图10(A))。但是，只要是喷雾过滤器主体350整体的压力损失允许的范围，也可以在空间313、323、333、343中填充烧结金属等。填充的烧结金属是能够将从喷雾过滤器主体350的外部加热了的热高效率地传导的材质，只要能够填充于空间313、323、333、343中即可，形状可以是球状、粒状、非线形等，一切形状都适合。以下，说明上述的实施方式的变形例。例如，如图10(B)所示，也可以形成为将金属的球等球状的烧结金属314、324、334填充到空间313、323、333(343)中的结构。由于球的大小与压力损失具有相关关系，所以选择适合目的的大小。此外，如图10(C)所示，也可以形成为将粒状的烧结金属315、325、335填充到空间313、323、333(343)中的结构。就粒状而言，是填充有比球状细小的大小的烧结金属的结构。此外，如图11(A)所示，也可以形成为将气体过滤器等所使用的烧结金属316，326，336填充到空间313、323、333(343)中的结构。此外，如图11(B)所示，也可以形成为如下结构：将气体过滤器等所使用的烧结金属326仅填充到空间323中、在空间313、333、343什么都不填充的结构。就气体过滤器所使用的烧结金属而言，由其捕集的微粒的尺寸决定烧结前的金属粒径、纤维形状。能够捕集更加细小的微粒的形状是细微的，压力损失也变大。由此，也有时并非填充到所有的空间313、323、333、343，而是有选择性地填充到空间313、323、333、343中的一部分的空间在效果上是好的。此外，如图11(C)所示，在板320的平板状的板328上仅在板328的外周的一侧(外周侧的一部分的部位)设置孔322，并在板330的平板状的板338上仅在板338的外周的另一侧(外周侧的一部分的部位且与孔322不重叠的位置)设置孔332，由此能够与在板328的外周附近设置孔322并在板338的中心附近设置孔332的上述实施方式相比，延长气体路径370。另外，在本实施方式中，板320和板330也可以使用相同的板，以孔不重叠的方式层叠。此外，如图12(A)所示，喷雾过滤器主体350包括圆筒状的外侧容器380、内侧构件385、和被填充到形成于外侧容器380与内侧构件385之间的气体路径382内的烧结金属等填充构件386。通过由烧结金属等填充构件386填充形成于外侧容器380与内侧构件385之间的气体路径382，能够使喷雾过滤器主体350整体为一体的形状，使热有效地传导到内侧构件385。外侧容器380和内侧构件385优选使用金属构件，更加优选使用不锈钢材(SUS)。此外，如图12(B)所示，喷雾过滤器主体350包括圆筒状的外侧容器380、内侧构件385、和被填充到形成于外侧容器380与内侧构件385之间的气体路径382内的烧结金属等填充构件386。图12(A)所示的构造是由烧结金属等填充构件386填充了形成于外侧容器380与内侧构件385之间的气体路径382整体，而图12(B)所示的构造是由填充构件386填充形成于外侧容器380与内侧构件385之间的气体路径382中的、圆筒状的外侧容器380的侧面389与内侧构件385之间，但是圆筒状的外侧容器380的上表面、下表面和内侧构件385之间，未由填充构件386填充。在该情况下，也能够使喷雾过滤器主体350整体为一体的形状，使热有效地传导到内侧构件385。外侧容器380和内侧构件385优选使用金属构件，更加优选使用不锈钢材(SUS)。在上述的实施方式的变形例中，作为填充于空间313、323、333、343或气体路径382中的烧结金属，优选使用不锈钢材(SUS)。除此之外也优选使用镍(Ni)。此外，也能够替换烧结金属而使用特氟隆(注册商标)类、陶瓷。此外，如图2所示，在气化器271a与喷雾过滤器300之间设置管道232a，将气化器271a和喷雾过滤器300分离地设置。处理室201为减压，喷雾过滤器300设于比气化器271a靠处理室201侧，所以喷雾过滤器300设于压力比气化器271a低的一侧。由于气体向压力低的一侧流动，所以通过分离气化器271a和喷雾过滤器300分离，能够从气化器271a朝向喷雾过滤器300地保持气体的助跑期间。其结果，在喷雾过滤器300内，能够使气体以更大的流速与板320、板330碰撞。此外，如图2所示，在气化器271a的下游侧设置喷雾过滤器300，在该喷雾过滤器300的下游侧设置气体过滤器272a，经由管道232a，将气体过滤器272a连接于处理室201。喷雾过滤器300和气体过滤器272a优选被设置在尽可能靠近处理室201的位置。其理由是因为，根据与从气化器271a到处理室201的管道232a的压力损失的关系，通过设置在靠近处理室201的位置，能够进一步降低喷雾过滤器300内的压力。通过使喷雾过滤器300内的压力为更低的压力，能够容易气化，能够抑制气化不良。以下，一边参照附图一边说明本发明优选的实施方式的基板处理装置。该基板处理装置，作为一个例子，以实施作为半导体装置(半导体器件)的IC(IntegratedCircuit)的制造方法中的作为基板处理工序的成膜工序的半导体制造装置的形式构成。另外，在以下的说明中，说明作为基板处理装置，使用了对基板进行氧化、氮化、扩散处理和CVD处理等的批量式纵型装置(以下，也有仅称为处理装置的情况)的情况。图13是本实施方式的基板处理装置的纵型处理炉的结构简图，以纵截面表示处理炉202部分，图14是本实施方式的基板处理装置的纵型处理炉的结构简图，以横截面表示处理炉202部分。图15表示图13所示的基板处理装置具有的控制器的结构。如图13所示，处理炉202具有作为加热部件(加热机构)的加热器207。加热器207是圆筒形状，通过被支承于作为保持板的加热器底座(未图示)而被垂直地安装。在加热器207的内侧，与加热器207同心圆状地设有构成反应容器(处理容器)的反应管203。在反应管203的下方，设有作为炉口盖体的密封盖219，能够气密地闭塞反应管203的下端开口。密封盖219从垂直方向下侧与反应管203的下端抵接。密封盖219例如由不锈钢等金属构成，形成为圆盘状。在密封盖219的上表面，设有与反应管203的下端抵接的作为密封构件的O型密封圈220。在密封盖219的与处理室201相反侧，设有使晶舟旋转的旋转机构267。旋转机构267的旋转轴255贯穿密封盖，连接于后述的晶舟217，通过使晶舟217旋转，使晶圆200旋转。密封盖219利用设于反应管203的外部的作为升降机构的晶舟升降机115沿垂直方向升降，由此，能够将晶舟217相对于处理室201内搬入搬出。在密封盖219，经由作为绝热构件的石英盖218，立设作为基板保持部件(支承件)的晶舟217。石英盖218例如由石英、碳化硅等耐热性材料构成，作为绝热部而发挥作用，并且成为保持晶舟的保持体。晶舟217例如由石英、碳化硅等耐热性材料构成，将多个晶圆200以水平姿势且中心互相对齐的状态排列，沿管轴方向多层地支承。在处理室201内且反应管203的下部，喷嘴249a、喷嘴249b贯穿反应管203地设置。气体供给管232a、气体供给管232b分别连接于喷嘴249a、喷嘴249b。这样，在反应管203上设有2根喷嘴249a、249b和2根气体供给管232a、232b，能够向处理室201内供给多种气体。此外，如后述那样，非活性气体供给管232c、232e等分别连接于气体供给管232a、气体供给管232b。在气体供给管232a上，从上游方向起依次设有：作为气化装置(气化部件)，气化液体原料而生成作为原料气体的气化气体的气化器271a、喷雾过滤器300、气体过滤器272a、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)241a、和作为开闭阀的阀门243a。通过打开阀门243a，在气化器271a内生成的气化气体经由喷嘴249a，向处理室201内供给。在气体供给管232a上的质量流量控制器241a与阀门243a之间，连接有连接于后述的排气管231的通气管232d。在该通气管232d上设有作为开闭阀的阀门243d，在不向处理室201供给后述的原料气体的情况下，经由阀门243d向通气管232d供给原料气体。通过关闭阀门243a且打开阀门243d，能够在继续生成气化器271a中的气化气体的状态下，停止向处理室201内供给气化气体。为了稳定地生成气化气体需要规定的时间，通过阀门243a与阀门243d的切换动作，能够在极短时间内切换气化气体向处理室201内的供给或停止该供给。而且在气体供给管232a的、阀门243a的下游侧，连接有非活性气体供给管232c。在该非活性气体供给管232c上，从上游方向起依次设有作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器241c、和作为开闭阀的阀门243c。在气体供给管232a、非活性气体供给管232c、通气管232d上安装加热器150，防止再液化。在气体供给管232a的前端部连接有上述喷嘴249a。喷嘴249a在反应管203的内壁与晶圆200之间的圆弧状的空间中，从反应管203的内壁的下部沿着上部，朝向晶圆200的装载方向上方立起地设置。喷嘴249a构成为L字型的长的喷嘴。在喷嘴249a的侧面设有供给气体的气体供给孔250a。气体供给孔250a朝向反应管203的中心开口。该气体供给孔250a从反应管203的下部遍及到上部设有多个，分别具有相同的开口面积，而且以相同的开口间距设置。第1气体供给系统主要由气体供给管232a、通气管232d、阀门243a、243d、质量流量控制器241a、气化器271a、喷雾过滤器300、气体过滤器272a、喷嘴249a构成。此外，第1非活性气体供给系统主要由非活性气体供给管232c、质量流量控制器241c、阀门243c构成。在气体供给管232b上，从上游方向起依次设有：作为生成臭氧(O3)气体的装置的臭氧发生器500、阀门243f、作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)241b和作为开闭阀的阀门243b。气体供给管232b的上游侧连接于供给氧(O2)气的未图示的氧气供给源。供给到臭氧发生器500的O2气体在臭氧发生器500中成为O3气体，向处理室201内供给。在气体供给管232b的、臭氧发生器500与阀门243f之间，连接有连接于后述的排气管231的通气管232g。在该通气管232g上设有作为开闭阀的阀门243g，在不向处理室201供给后述的O3气体的情况下，经由阀门243g，向通气管232g供给原料气体。通过关闭阀门243f且打开阀门243g，能够在继续由臭氧发生器500生成O3气体的状态下，停止向处理室201内供给O3气体。为了稳定地精制O3气体需要规定的时间，通过阀门243f、阀门243g的切换动作，能够在极短时间内切换O3气体向处理室201内的供给或停止该供给。而且在气体供给管232b的、阀门243b的下游侧，连接有非活性气体供给管232e。在该非活性气体供给管232e上，从上游方向起依次设有作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器241e、和作为开闭阀的阀门243e。在气体供给管232b的前端部连接有上述喷嘴249b。喷嘴249b在反应管203的内壁与晶圆200之间的圆弧状的空间中，从反应管203的内壁的下部沿着上部，朝向晶圆200的装载方向上方立起地设置。喷嘴249b构成为L字型的长的喷嘴。在喷嘴249b的侧面设有供给气体的气体供给孔250b。气体供给孔250b朝向反应管203的中心地开口。该气体供给孔250b从反应管203的下部遍及到上部地设有多个，分别具有相同的开口面积，而且以相同的开口间距设置。第2气体供给系统主要由气体供给管232b、通气管232g、臭氧发生器500、阀门243f、243g、243b、质量流量控制器241b、喷嘴249b构成。此外，第2非活性气体供给系统主要由非活性气体供给管232e、质量流量控制器241e、阀门243e构成。例如锆原料气体，即含有锆(Zr)的气体(含锆气体)作为第1原料气体，从气体供给管232a，经由气化器271a、喷雾过滤器300、气体过滤器272a、质量流量控制器241a、阀门243a、喷嘴249a，向处理室201内供给。作为含锆气体，例如可使用四(乙基甲基氨基)锆(TEMAZ)。四(乙基甲基氨基)锆(TEMAZ)在常温常压下是液体。向气体供给管232b供给含有氧(O)的气体(含氧气体)，例如O2气体，在臭氧发生器500中成为O3气体，作为氧化气体(氧化剂)，经由阀门243f、质量流量控制器241b、阀门243b，向处理室201内供给。此外，也可在臭氧发生器500中不生成O3气体而将O2气体作为氧化气体向处理室201内供给。例如氮(N2)气体从非活性气体供给管232c、232e，分别经由质量流量控制器241c、241e、阀门243c、243e、气体供给管232a、232b、喷嘴249a、249b，向处理室201内供给。在反应管203上设有排出处理室201内的气氛的排气管231。在排气管231上，经由作为检测处理室201内的压力的压力检测器(压力检测部)的压力传感器245和作为压力调节器(压力调节部)的APC(自动压力控制器，AutoPressureController)阀门244，连接有作为真空排气装置的真空泵，能够真空排气使处理室201内的压力为规定的压力(真空度)。另外，APC阀门244是通过开阀、闭阀，能够实现处理室201内的真空排气·真空排气停止，通过进一步调节阀开度，能够调节压力的开闭阀。排气系统主要由排气管231、APC阀门244、真空泵246、压力传感器245构成。在反应管203内设置有作为温度检测器的温度传感器263，基于由温度传感器263检测到的温度信息，调整向加热器207的通电状况，由此使处理室201内的温度为希望的温度分布。温度传感器263与喷嘴249a、249b相同地构成为L字型，沿着反应管203的内壁设置。作为控制部(控制部件)的控制器121如图15所示，构成为包括CPU(CentralProcessingUnit)121a、RAM(RandomAccessMemory)121b、储存装置121c、I/O接口121d的计算机。RAM121b、储存装置121c、I/O接口121d形成能够经由内部总线与CPU121a交换数据的结构。在控制器121上连接有例如构成为触摸面板等的输入输出装置122。此外，在控制器121上能够连接存储有后述程序的外部存储装置(存储介质)123。储存装置121c例如由闪存、HDD(HardDiskDrive)等构成。在储存装置121c内，能够读出地储存有控制基板处理装置的动作的控制程序、记载有后述的基板处理的顺序和条件等的工艺配方(processrecipe)等。此外，通过使外部存储装置123存储控制程序和工艺配方等，将该外部存储装置123连接于控制器121，能够将控制程序和工艺配方等储存于储存装置121c。另外，工艺配方使控制器121执行后述的基板处理工序的各步骤，为了能得到规定的结果而组合，作为程序发挥作用。以下，也简单地将该工艺配方和控制程序等统称为程序。另外，在本说明书中使用程序这样的词语的情况下，有只包括单独工艺配方的情况、只包括单独控制程序的情况，或包含双方的情况。此外，RAM121b以存储区域(工作区域)的形式构成，能够暂时性保持由CPU121a读出的程序和数据等。I/O接口121d连接于质量流量控制器241a、241b、241c、241e、阀门243a、243b、243c、243d、243e、243f、243g、气化器271a、喷雾过滤器300、臭氧发生器500、压力传感器245、APC阀门244、真空泵246、加热器150、207、温度传感器263、晶舟旋转机构267、晶舟升降机115等。CPU121a以如下方式构成：从储存装置121c读出并执行控制程序，并且根据来自输入输出装置122的操作命令的输入等，从储存装置121c读出工艺配方。并且，CPU121a按照读出的工艺配方，进行利用质量流量控制器241a、241b、241c、241e对各种气体的流量调整动作、阀门243a、243b、243c、243d、243e、243f、243g的开闭动作、基于APC阀门244的开闭和压力传感器245的压力调节动作、加热器150的温度调整动作、基于温度传感器263的加热器207的温度调整动作、气化器271a、喷雾过滤器300(加热器360)、臭氧发生器500的控制，真空泵246的起动、停止、晶舟旋转机构267的转速调节动作、晶舟升降机115的升降动作等的控制等。接着，作为半导体装置(半导体器件)的制造工序的工序之一，参照图16、图17，说明使用上述的基板处理装置的处理炉在基板上形成绝缘膜的顺序(sequence)例。另外，在以下的说明中，构成基板处理装置的各部的动作由控制器121控制。通过CVD(ChemicalVaporDeposition)法，例如同时供给含有构成要形成的膜的多种元素的多种气体。此外，也有交替地供给含有构成要形成的膜的多种元素的多种气体的成膜方法。首先，多个晶圆200被装填于晶舟217(晶圆装载)时(参照图16、步骤S101)，如图13所示，支承多个晶圆200的晶舟217由晶舟升降机115举起并被搬入处理室201内(晶舟就位)(参照图16、步骤S101)。在该状态下，密封盖219形成借助O型密封圈220密封反应管203的下端的状态。由真空泵246真空排气，使得处理室201内成为希望的压力(真空度)。此时，处理室201内的压力由压力传感器245测量，基于该测量到的压力，APC阀门244被反馈控制(压力调节)(参照图16、步骤S103)。此外，由加热器207加热，使得处理室201内成为希望的温度。此时，基于温度传感器263检测到的温度信息，向加热器207的通电状况被反馈控制(温度调整)，使得处理室201内成为希望的温度分布(参照图16、步骤S103)。接着，利用旋转机构267使晶舟217旋转，由此使晶圆200旋转。接着，进行绝缘膜形成工序(参照图16、步骤S104)，即，通过向处理室202内供给TEMAZ气体和O3气体，形成作为绝缘膜的ZrO膜。在绝缘膜形成工序中，依次执行以下的4个步骤。(绝缘膜形成工序)<步骤S105>在步骤S105(参照图16、图17、第1工序)中，首先流过TEMAZ气体。通过打开气体供给管232a的阀门243a且关闭通气管232d的阀门243d，TEMAZ气体经由气化器271a、喷雾过滤器300和气体过滤器272a，流入气体供给管232a内。在气体供给管232a内流动的TEMAZ气体由质量流量控制器241a调整流量。流量被调整了的TEMAZ气体一边从喷嘴249a的气体供给孔250a向处理室201内供给，一边从气体排气管231被排出。此时，同时打开阀门243c，向非活性气体供给管232c内流入N2气体等非活性气体。在非活性气体供给管232g内流动的N2气体由质量流量控制器241c调整流量。流量被调整了的N2气体一边与TEMAZ气体一起向处理室201内供给，一边从气体排气管231被排出。通过向处理室201内供给TEMAZ气体，与晶圆200反应，在晶圆200上形成含锆层。另外，在步骤S105的执行之前，喷雾过滤器300的加热器360的动作被控制，喷雾过滤器主体350的温度被维持在希望的温度。此时，通过适当地调整APC阀门244，使处理室201内的压力例如为50～400Pa的范围内的压力。由质量流量控制器241a控制的TEMAZ气体的供给流量为例如0.1～0.5g/分钟的范围内的流量。使TEMAZ气体暴露于晶圆200的时间，即气体供给时间(照射时间)在例如30～240秒的范围内。此时加热器207的温度被设定为，使晶圆200的温度成为例如150～250℃的范围内的温度这样的温度。<步骤S106>在步骤S106(参照图16、图17、第2工序)中，形成了含锆层之后，关闭阀门243a，打开阀门243d，停止TEMAZ气体向处理室201内的供给，使TEMAZ气体流向通气管232d。此时，使气体排气管231的APC阀门244为打开的状态，利用真空泵246对处理室201内进行真空排气，从处理室201内排除残留在处理室201内的未反应或对形成含锆层作出贡献后的TEMAZ气体。另外，此时使阀门243c为打开的状态，维持N2气体向处理室201内的供给。由此，提高从处理室201内排除残留在处理室201内的未反应或对形成含锆层作出贡献后的TEMAZ气体的效果。作为非活性气体，除了N2气体之外，还可以使用Ar气体、He气体、Ne气体、Xe气体等稀有气体。<步骤S107>在步骤S107(参照图16、图17、第3工序)中，在去除了处理室201内的残留气体之后，向气体供给管232b内流入O2气体。在气体供给管232b内流动的O2气体利用臭氧发生器500成为O3气体。通过打开气体供给管232b的阀门243f和阀门243b，并关闭通气管232g的阀门243g，在气体供给管232b内流动的O3气体由质量流量控制器241b调整流量，一边从喷嘴249b的气体供给孔250b向处理室201内供给一边从气体排气管231被排出。此时同时打开阀门243e，向非活性气体供给管232e内流入N2气体。N2气体一边与O3气体一起向处理室201内供给一边从气体排气管231被排出。通过向处理室201内供给O3气体，形成在晶圆200上的含锆层与O3气体反应，而形成ZrO层。在流过O3气体时，通过适当地调整APC阀门244，使处理室201内的压力为例如50～400Pa的范围内的压力。由质量流量控制器241b控制的O3气体的供给流量为例如10～20slm的范围内的流量。使晶圆200暴露在O3气体中的时间、即气体供给时间(照射时间)在例如60～300秒的范围内。此时的加热器207的温度与步骤105相同，设定为使晶圆200的温度成为150～250℃的范围内的温度这样的温度。<步骤S108>在步骤S108(参照图16、图17、第4工序)中，通过关闭气体供给管232b的阀门243b并打开阀门243g，停止O3气体向处理室201内的供给，使O3气体流向通气管232g。此时，使气体排气管231的APC阀门244为打开的状态，利用真空泵246对处理室201内进行真空排气，从处理室201内排除在处理室201内残留的未反应或对氧化作出贡献后的O3气体。另外，此时使阀门243e为打开的状态，维持N2气体向处理室201内的供给。由此，提高从处理室201内排除在处理室201内残留的未反应或对氧化作出贡献后的O3气体的效果。作为含氧气体，除了O3气体以外，还可以用O2气体等。将上述的步骤S105～S108作为1个循环，通过进行至少1次以上该循环(步骤S109)，能够在晶圆200上形成规定膜厚的含有锆和氧的绝缘膜，即ZrO膜。另外，优选多次重复上述的循环。由此，在晶圆200上形成ZrO膜的层叠膜。形成ZrO膜后，关闭气体供给管232a的阀门243a，关闭气体供给管232b的阀门243b，打开非活性气体供给管232c的243c，打开非活性气体供给管232e的243e，向处理室201内流入N2气体。N2气体作为净化气体而起作用，由此，处理室201内被非活性气体净化，在处理室201内残留的气体从处理室201内被去除(净化，步骤S110)。之后，处理室201内的气氛被置换为非活性气体，处理室201内的压力恢复为常压(恢复为大气压，步骤S111)。之后，密封盖219利用晶舟升降机115下降，连通器(manifold)209的下端被打开，并且处理完毕的晶圆200以被保持在晶舟217上的状态从连通器209的下端向工艺管203的外部搬出(晶舟退出，步骤S112)。之后，处理结束的晶圆200自晶舟217被取出(晶圆卸载，步骤S112)。实施例1使用上述的实施方式的基板处理炉进行了ZrO膜的成膜。此外，为了比较，在不设置喷雾过滤器300的条件下进行了ZrO膜的成膜。在不设置喷雾过滤器300的结构中，气化原料TEMAZ为0.45g，供给时间为300秒，进行了75个循环。成膜的台阶覆盖(StepCoverage)为81％。相对于此，在设有喷雾过滤器300的结构中，能增加气化流量，气化原料TEMAZ为3g，供给时间为60秒，以75个循环进行了成膜后，台阶覆盖为91％，具有改善台阶覆盖的效果。此外，还能够抑制微粒。以上，像详细地说明那样，在本发明的优选的实施方式中，在使用难以气化的液体原料的情况下或需要增加气化流量的情况下能够抑制气化不良。其结果，得到以下的效果。(1)能够抑制气体过滤器堵塞，无需维护或延长过滤器更换周期。(2)能够进行无微粒或抑制了微粒的成膜。(3)改善图案晶圆的台阶覆盖。在上述的实施方式中，进行了ZrO膜的成膜，然而使用喷雾过滤器300的技术还能够应用于ZrO、HfO等High-k(高电容率)膜、使用气化器(特别是容易引起气化不良的气体、或需要大流量的膜种)的膜种等、以及其他的膜种。特别是使用喷雾过滤器300的技术能够合适地应用于使用蒸气压低的液体原料的膜种。作为使用喷雾过滤器300的技术，在形成含有1种以上的例如钛(Ti)、钽(Ta)、钴(Co)、钨(W)、钼(Mo)、钌(Ru)、钇(Y)、镧(La)、锆(Zr)、铪(Hf)、镍(Ni)等金属元素的金属碳化膜、金属氮化膜或在其中加入了硅(Si)的硅化物膜的情况下也能够合适地应用。此时，作为含Ti原料，可使用氯化钛(TiCl4)、四(二甲氨基)钛(TDMAT、Ti[N(CH3)2]4)、四(二乙基胺基)钛(TDEAT、Ti[N(CH2CH3)2]4)等，作为含Ta原料，可使用氯化钽(TaCl4)等，作为含Co原料，可使用Coamd[(tBu)NC(CH3)N(tBu)2Co]等，作为含W原料，可使用氟化钨(WF6)等，作为含Mo原料，可使用氯化钼(MoCl3或MoCl5)等，作为含Ru原料，可使用2，4-二甲基戊二烯基(乙基环戊二烯基)钌((Ru(EtCp)(C7H11))等，作为含Y原料，可使用三乙基环戊二烯基钇(Y(C2H5C5H4)3)等，作为含La原料，可使用三(异丙基环戊二烯基)镧(La(i-C3H7C5H4)3)等，作为含Zr原料，可使用四(乙基甲基氨基)锆(Zr(N(CH3(C2H5))4)等，作为含Hf原料，可使用四(乙基甲基氨基)铪(Hf(N(CH3(C2H5))4)等，作为含Ni原料，可使用脒基镍(NiAMD)、环戊二烯基烯丙基镍(C5H5NiC3H5)、甲基环戊二烯基烯丙基镍((CH3)C5H4NiC3H5)、乙基环戊二烯基烯丙基镍((C2H5)C5H4NiC3H5)、Ni(PF3)4等，作为含Si原料，可使用四氯甲硅烷(SiCl4)、六氯乙硅烷(Si2Cl6)、二氯甲硅烷(SiH2Cl2)、三(二甲氨基)甲硅烷(SiH(N(CH3)2)3)、双叔丁基氨基甲硅烷(H2Si(HNC(CH3)2)2)等。作为含有Ti的金属碳化膜，可使用TiCN和TiAlC等。作为TiCN的原料，例如可使用TiCl4、Hf[C5H4(CH3)]2(CH3)2和NH3。此外，作为TiAlC的原料，例如可使用TiCl4和三甲基铝(TMA、(CH3)3Al)。此外，作为TiAlC的原料，还可使用TiCl4、TMA和丙烯(C3H6)。此外，作为含有Ti的金属氮化膜，可使用TiAlN等。作为TiAlN的原料，例如可使用TiCl4、TMA和NH3。(本发明优选的方式)以下，附记本发明优选的方式。(附记1)一种半导体装置的制造方法，包括：向处理室搬入基板的工序；通过使液体原料依次流过气化器、组合多个在不同的位置具有孔的至少2种板而构成的喷雾过滤器，使该液体原料气化，将其供给至上述处理室中对上述基板进行处理的工序；以及从上述处理室搬出基板的工序。(附记2)根据附记1所述的半导体装置的制造方法，其中，上述喷雾过滤器形成为交替地配置有在外周附近设有多个孔的第1板和在中心附近设有多个孔的第2板的结构，在处理上述基板的工序中，通过使通过了上述气化器的原料交替地通过上述第1板的孔和上述第2板的孔，使该原料气化。(附记3)根据附记1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，在处理上述基板的工序中，通过使上述液体原料依次流过上述气化器、上述喷雾过滤器、气体过滤器，使该液体原料气化，将其供给至上述处理室中对上述基板进行处理。(附记4)一种基板处理方法，包括：向处理室搬入基板的工序；通过使液体原料依次流过气化器、组合多个在不同的位置具有孔的至少2种板而构成的喷雾过滤器，使该液体原料气化，将其供给至上述处理室中对上述基板进行处理的工序；以及从上述处理室搬出基板的工序。(附记5)根据附记4所述的基板处理方法，其中，上述喷雾过滤器形成为交替地配置有在外周附近设有多个孔的第1板和在中心附近设有多个孔的第2板的结构，在处理上述基板的工序中，通过使通过了上述气化器的原料交替地通过上述第1板的孔和上述第2板的孔，使该原料气化。(附记6)根据附记4或5所述的基板处理方法，其中，在处理上述基板的工序中，通过使上述液体原料依次流过上述气化器、上述喷雾过滤器、气体过滤器，使该液体原料气化，将其供给至上述处理室中对上述基板进行处理。(附记7)一种程序，该程序使控制部执行以下的步骤，即，向处理室搬入基板的步骤；通过使液体原料依次流过气化器、组合多个在不同的位置具有孔的至少2种板而构成的喷雾过滤器，使该液体原料气化，将其供给至上述处理室中对上述基板进行处理的步骤；以及从上述处理室搬出基板的步骤。(附记8)根据附记7所述的程序，其中，上述喷雾过滤器形成为交替地配置有在外周附近设有多个孔的第1板和在中心附近设有多个孔的第2板的结构，处理上述基板的步骤是，通过使通过了上述气化器的原料交替地流过上述第1板的孔和上述第2板的孔，使该原料气化，将其供给至上述处理室中对上述基板进行处理的步骤。(附记9)根据附记7所述的程序，其中，处理上述基板的步骤是，通过使上述液体原料依次流过上述气化器、上述喷雾过滤器、气体过滤器，使该液体原料气化，将其供给至上述处理室中对上述基板进行处理的步骤。(附记10)一种记录介质，记录有使控制部执行以下的步骤的程序，即，向处理室搬入基板的步骤；通过使液体原料依次流过气化器、组合多个在不同的位置具有孔的至少2种板而构成的喷雾过滤器，使该液体原料气化，将其供给至上述处理室中对上述基板进行处理的步骤；以及从上述处理室搬出基板的步骤。(附记11)根据附记10所述的记录介质，其中，上述喷雾过滤器形成为交替地配置有在外周附近设有多个孔的第1板和在中心附近设有多个孔的第2板的结构，处理上述基板的步骤是，通过使通过了上述气化器的原料交替地流过上述第1板的孔和上述第2板的孔，使该原料气化，将其供给至上述处理室中对上述基板进行处理的步骤。(附记12)根据附记10所述的记录介质，其中，处理上述基板的步骤是，通过使上述液体原料依次流过上述气化器、上述喷雾过滤器、气体过滤器，使该液体原料气化，将其供给至上述处理室中对上述基板进行处理的步骤。(附记13)一种基板处理装置，包括：容纳基板的处理室；向上述处理室供给处理气体的处理气体供给系统；以及对上述处理室进行排气的排气系统，上述处理气体供给系统具有：被供给液体原料的气化器；以及配置于上述气化器的下游的喷雾过滤器，上述喷雾过滤器通过组合多个在不同的位置具有孔的至少2种板而构成。(附记14)根据附记13所述的基板处理装置，其中，上述喷雾过滤器形成为交替地配置有在外周附近设有多个孔的第1板和在中心附近设有多个孔的第2板的结构。(附记15)根据附记13或14所述的基板处理装置，其中，上述处理气体供给系统具有配置在上述喷雾过滤器的下游的气体过滤器。(附记16)根据附记15所述的基板处理装置，其中，上述气化器、上述喷雾过滤器、上述气体过滤器分别分离地构成。(附记17)根据附记13～16中任一项所述的基板处理装置，其中，上述喷雾过滤器具备加热上述至少2种板的加热器。(附记18)根据附记13～17中任一项所述的基板处理装置，其中，上述至少2种板由金属构成。(附记19)根据附记13～18中任一项所述的基板处理装置，其中，上述至少2种板，除了上述孔之外，构成为相同或大致相同的形状。(附记20)根据附记13～19中任一项所述的基板处理装置，其中，上述至少2种板具有形成上述孔的板部和形成在上述板部的外周的外周部，上述外周部的厚度被设定为比上述板部的厚度大，通过上述外周部彼此相接，在上述至少2种板的板部间形成空间。(附记21)根据附记13～20中任一项所述的基板处理装置，其中，上述外周部形成在上述板部的外周的、相对于上述板部偏置的位置。(附记22)根据附记13～21中任一项所述的基板处理装置，其中，在上述至少2种板间填充烧结金属。(附记23)根据附记13～22中任一项所述的基板处理装置，其中，上述处理气体是含锆原料。(附记24)一种气化系统，包括：被供给液体原料的气化器；以及配置在上述气化器的下游的喷雾过滤器，上述喷雾过滤器通过组合多个在不同的位置具有孔的至少2种板而构成。(附记25)根据附记24所述的气化系统，其中，上述喷雾过滤器形成为交替地配置有在外周附近设有多个孔的第1板和在中心附近设有多个孔的第2板的结构。(附记26)根据附记24或25所述的气化系统，其中，该气化系统还具有配置在上述喷雾过滤器的下游的气体过滤器。(附记27)根据附记26所述的气化系统，其中，上述气化器、上述喷雾过滤器、上述气体过滤器分别分离地构成。(附记28)根据附记24～27中任一项所述的气化系统，其中，上述喷雾过滤器具备加热上述至少2种板的加热器。(附记29)一种喷雾过滤器，通过组合多个在不同的位置具有孔的至少2种板而构成。(附记30)根据附记29所述的喷雾过滤器，其中，上述喷雾过滤器形成为交替地配置有在外周附近设有多个孔的第1板和在中心附近设有多个孔的第2板的结构。(附记31)根据附记29或30所述的喷雾过滤器，其中，上述喷雾过滤器还具备加热上述至少2种板的加热器。以上，说明了本发明的各种典型实施方式，但是本发明不限定于这些实施方式。因而，本发明的范围仅由权利要求书限定。