一种薄膜生产设备的制作方法
一种薄膜生产设备的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种薄膜生产设备，包括有反应室，其特征在于：在所述的反应室下方设有气体入口，在所述反应室内与所述气体入口对应的位置上设有阴极，在所述的阴极上设有多个透气孔，在所述阴极上方设有水冷阳极，基片设置在水冷阳极上，所述的水冷阳极与阴极通过导线相连接。本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，制作方便，生产成本低，用于薄膜生产设备。
【专利说明】一种薄膜生产设备
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种薄膜生产设备。
【背景技术】
[0002]金刚石薄膜具有很高的硬度、较好的热导性，耐磨损性，极佳的化学惰性，和从远红外区到深紫外区完全透明等优点。金刚石薄膜在焊接刀具、大功率激光器、半导体以及X射线窗口等领域有着广泛的前景。
[0003]现有用于制备金刚石薄膜的装置，其结构一般比较复杂，生产成本高。故此，现有用于制备金刚石薄膜的装置有待于进一步完善。
实用新型内容
[0004]本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，制作方便，生产成本低，用于薄膜生产设备。
[0005]为了达到上述目的，本实用新型采用以下方案:
[0006]一种薄膜生产设备，包括有反应室，其特征在于:在所述的反应室下方设有气体入口，在所述反应室内与所述气体入口对应的位置上设有阴极，在所述的阴极上设有多个透气孔，在所述阴极上方设有水冷阳极，基片设置在水冷阳极上，所述的水冷阳极与阴极通过导线相连接。
[0007]如上所述的一种薄膜生产设备，其特征在于在所述的阴极上内设有水冷容腔，在所述的阴极设有与所述水冷容器相连接的进水口。
[0008]如上所述的一种薄膜生产设备，其特征在于所述水冷阳极与阴极通过导线连接有电源。
[0009]如上所述的一种薄膜生产设备，其特征在于所述水冷阳极包括有阳极本体，在所述的阳极本体上设有水冷进口。
[0010]如上所述的一种薄膜生产设备，其特征在于所述水冷阳极与阴极之间的距离为2cm。
[0011]综上所述，本实用新型的有益效果:
[0012]本实用新型工艺方法简单，制作方便，生产成本相对较低。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型的示意图。
【具体实施方式】
[0014]下面结合【专利附图】
【附图说明】和【具体实施方式】对本实用新型做进一步描述:
[0015]如图1所示，本实用新型一种薄膜生产设备，包括有反应室1，在所述的反应室I下方设有气体入口 2，在所述反应室I内与所述气体入口 2对应的位置上设有阴极3，在所述的阴极3上设有多个透气孔4，在所述阴极3上方设有水冷阳极5，基片6设置在水冷阳极5上。
[0016]本实用新型中所述水冷阳极5与阴极3通过导线7连接有电源8。
[0017]本实用新型中在所述的阴极3上内设有水冷容腔，在所述的阴极3设有与所述水冷容器相连接的进水口 9。
[0018]本实用新型中所述水冷阳极5包括有阳极本体51，在所述的阳极本体51上设有水冷进口 52。所述水冷阳极5与阴极之间的距离为2cm。
[0019]本实用新型装置使用过程中压力约28KPa的反应气体CH4+H2通过阴极3中的进入反应室1，水冷阳极5位于阴极3上方，基片6安装在水冷阳极上，水冷阳极与阴极的距离为2cm，CH4/H2比率由0.3%变到4%，但流量固定在20sCCm，所使用的典型放电条件为IKV和
0.4nm/cm2,基片6温度上升到800°C，其温度可通过改变通入阳极的冷却水的流量来改变。
[0020]采用本实用新型装置制备的金刚石薄膜，其面间距、点阵常数、维氏硬度与自然金刚石对应值相符。
[0021]以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【权利要求】
1.一种薄膜生产设备，包括有反应室(I)，其特征在于:在所述的反应室(I)下方设有气体入口( 2 )，在所述反应室(I)内与所述气体入口( 2 )对应的位置上设有阴极(3 )，在所述的阴极(3)上设有多个透气孔(4)，在所述阴极(3)上方设有水冷阳极(5)，基片(6)设置在水冷阳极(5)上，所述水冷阳极(5)与阴极(3)通过导线(7)连接有电源(8)。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜生产设备，其特征在于在所述的阴极(3)上内设有水冷容腔，在所述的阴极(3)设有与所述水冷容器相连接的进水口(9)。
3.根据权利要求1所述的一种薄膜生产设备，其特征在于所述水冷阳极(5)包括有阳极本体(51)，在所述的阳极本体(51)上设有水冷进口( 52 )。
4.根据权利要求1所述的一种薄膜生产设备，其特征在于所述水冷阳极(5)与阴极之间的距离为2cm。
【文档编号】C23C16/50GK203639551SQ201320719392
【公开日】2014年6月11日 申请日期:2013年11月14日 优先权日:2013年11月14日
【发明者】秦文锋, 杨文志, 李学军 申请人:中山市创科科研技术服务有限公司
【专利摘要】本实用新型公开了一种薄膜生产设备，包括有反应室，其特征在于：在所述的反应室下方设有气体入口，在所述反应室内与所述气体入口对应的位置上设有阴极，在所述的阴极上设有多个透气孔，在所述阴极上方设有水冷阳极，基片设置在水冷阳极上，所述的水冷阳极与阴极通过导线相连接。本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，制作方便，生产成本低，用于薄膜生产设备。
【专利说明】一种薄膜生产设备
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种薄膜生产设备。
【背景技术】
[0002]金刚石薄膜具有很高的硬度、较好的热导性，耐磨损性，极佳的化学惰性，和从远红外区到深紫外区完全透明等优点。金刚石薄膜在焊接刀具、大功率激光器、半导体以及X射线窗口等领域有着广泛的前景。
[0003]现有用于制备金刚石薄膜的装置，其结构一般比较复杂，生产成本高。故此，现有用于制备金刚石薄膜的装置有待于进一步完善。
实用新型内容
[0004]本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，制作方便，生产成本低，用于薄膜生产设备。
[0005]为了达到上述目的，本实用新型采用以下方案:
[0006]一种薄膜生产设备，包括有反应室，其特征在于:在所述的反应室下方设有气体入口，在所述反应室内与所述气体入口对应的位置上设有阴极，在所述的阴极上设有多个透气孔，在所述阴极上方设有水冷阳极，基片设置在水冷阳极上，所述的水冷阳极与阴极通过导线相连接。
[0007]如上所述的一种薄膜生产设备，其特征在于在所述的阴极上内设有水冷容腔，在所述的阴极设有与所述水冷容器相连接的进水口。
[0008]如上所述的一种薄膜生产设备，其特征在于所述水冷阳极与阴极通过导线连接有电源。
[0009]如上所述的一种薄膜生产设备，其特征在于所述水冷阳极包括有阳极本体，在所述的阳极本体上设有水冷进口。
[0010]如上所述的一种薄膜生产设备，其特征在于所述水冷阳极与阴极之间的距离为2cm。
[0011]综上所述，本实用新型的有益效果:
[0012]本实用新型工艺方法简单，制作方便，生产成本相对较低。
【专利附图】
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型的示意图。
【具体实施方式】
[0014]下面结合【专利附图】
【附图说明】和【具体实施方式】对本实用新型做进一步描述:
[0015]如图1所示，本实用新型一种薄膜生产设备，包括有反应室1，在所述的反应室I下方设有气体入口 2，在所述反应室I内与所述气体入口 2对应的位置上设有阴极3，在所述的阴极3上设有多个透气孔4，在所述阴极3上方设有水冷阳极5，基片6设置在水冷阳极5上。
[0016]本实用新型中所述水冷阳极5与阴极3通过导线7连接有电源8。
[0017]本实用新型中在所述的阴极3上内设有水冷容腔，在所述的阴极3设有与所述水冷容器相连接的进水口 9。
[0018]本实用新型中所述水冷阳极5包括有阳极本体51，在所述的阳极本体51上设有水冷进口 52。所述水冷阳极5与阴极之间的距离为2cm。
[0019]本实用新型装置使用过程中压力约28KPa的反应气体CH4+H2通过阴极3中的进入反应室1，水冷阳极5位于阴极3上方，基片6安装在水冷阳极上，水冷阳极与阴极的距离为2cm，CH4/H2比率由0.3%变到4%，但流量固定在20sCCm，所使用的典型放电条件为IKV和
0.4nm/cm2,基片6温度上升到800°C，其温度可通过改变通入阳极的冷却水的流量来改变。
[0020]采用本实用新型装置制备的金刚石薄膜，其面间距、点阵常数、维氏硬度与自然金刚石对应值相符。
[0021]以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
【权利要求】
1.一种薄膜生产设备，包括有反应室(I)，其特征在于:在所述的反应室(I)下方设有气体入口( 2 )，在所述反应室(I)内与所述气体入口( 2 )对应的位置上设有阴极(3 )，在所述的阴极(3)上设有多个透气孔(4)，在所述阴极(3)上方设有水冷阳极(5)，基片(6)设置在水冷阳极(5)上，所述水冷阳极(5)与阴极(3)通过导线(7)连接有电源(8)。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜生产设备，其特征在于在所述的阴极(3)上内设有水冷容腔，在所述的阴极(3)设有与所述水冷容器相连接的进水口(9)。
3.根据权利要求1所述的一种薄膜生产设备，其特征在于所述水冷阳极(5)包括有阳极本体(51)，在所述的阳极本体(51)上设有水冷进口( 52 )。
4.根据权利要求1所述的一种薄膜生产设备，其特征在于所述水冷阳极(5)与阴极之间的距离为2cm。
【文档编号】C23C16/50GK203639551SQ201320719392
【公开日】2014年6月11日 申请日期:2013年11月14日 优先权日:2013年11月14日
【发明者】秦文锋, 杨文志, 李学军 申请人:中山市创科科研技术服务有限公司
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