用于光掩模等离子体蚀刻的方法和装置制造方法

用于光掩模等离子体蚀刻的方法和装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种用于蚀刻光掩模的方法和装置。该装置包括在衬底支架上方具有护板的工艺腔室。该护板包含具有孔的板，以及该板具有两个区域，这两个区域具有彼此不同的至少一种属性，诸如材料或电势偏压。该方法提供用于蚀刻具有经过护板的离子和中性物质分布的光掩模衬底。
【专利说明】用于光掩模等离子体蚀刻的方法和装置
[0001]本申请是申请号为200710138058.2的发明专利申请的分案申请。
【技术领域】
[0002]本发明的实施方式主要涉及用于等离子体蚀刻光掩模的方法和装置，以及更具体地涉及具有等离子体物质分布的改善控制的方法和装置。
【背景技术】
[0003]微电子或集成电路器件的制造典型地包含需要在半导电、介电和导电衬底上执行的数百个独立步骤的复杂工艺次序。这些工艺步骤的实施例包括氧化、扩散、离子注入、薄膜沉积、清洗、蚀刻和光刻。利用光刻和蚀刻(通常指图案转移步骤)，所需的图案首先转移到光敏材料层，例如光刻胶，然后在后续的蚀刻期间转移到下一层材料层上。在光刻步骤中，底版光刻胶层透过包含图案的掩模版(reticle)或光掩模暴露于辐射源，从而图案的图像形成在光刻胶中。通过在适宜的化学溶液中显影光刻胶，去除光刻胶部分，从而造成图案化的光刻胶层。利用该光刻胶图案作为掩模，下一层材料层暴露于反应性环境中，例如，利用湿法蚀刻或干法蚀刻，使图案转移到下一层材料层上。
[0004]在光掩模上的图案，所述图案典型地在支撑在玻璃或石英衬底的含金属层中形成，还利用通过光刻胶图案进行蚀刻产生。然而，在该情形下，通过直接写入技术产生光刻胶图案，例如利用电子束或其它适宜的辐射束，与通过掩模版暴露光刻胶相反。利用图案化的光刻胶作为掩模，使用等离子体蚀刻可将图案转移到下一含金属层上。适于在先进的器件制造中使用的商业上可购得的光掩模蚀刻设备的实施例为Tetra?光掩模蚀刻系统，可从加利福尼亚圣克拉拉的Applied Materials有限公司购得。术语“掩模”、“光掩模”或“掩模版”将互换使用以表示一般包含图案的衬底。
[0005]随着不断减小器件尺寸，用于先进技术的光掩模的设计和制造变得越来越复杂，以及临界尺寸和工艺均匀性的控制变得越来越重要。因此，目前需要改善光掩模制造中的工艺监控和控制。

【发明内容】

[0006]本发明主要提供用于蚀刻光掩模的方法和装置。本发明的一种实施方式提供用于等离子体蚀刻的装置，该装置包含工艺腔室，设置在工艺腔室中并适于容纳光掩模的支撑底座，用于在腔室内形成等离子体的RF功率源，设置在腔室内底座上方的护板，该护板包含板，该板具有多个孔并设计为用于控制经过该板的带电和中性物质分布，其中该板包含具有至少一种属性诸如材料或电势偏压属性彼此不同的两个区域。
[0007]本发明的另一实施方式提供蚀刻光掩模的方法。该方法包含提供具有支撑底座的工艺腔室；提供在支撑底座上方的护板，该护板包含板，该板具有每个都包含多个孔并用于控制经过该板的带电和中性物质分布的第一区域和第二区域，第一区域具有至少一种属性不同于第二区域，诸如材料或电势偏压；放置光掩模到底座上；引入工艺气体到工艺腔室中；由工艺气体形成等离子体；和利用经过该板的离子和中性物质蚀刻光掩模。
[0008]本发明的另一实施方式提供用于等离子体蚀刻的装置。该装置包含工艺腔室，设置在工艺腔室中并适于容纳光掩模的支撑底座，用于在腔室内形成等离子体的RF功率源，和设置在腔室中底座上方的护板，该护板包含板，该板具有多个孔并用于控制经过该板的带电和中性物质分布，其中该板包含选择氧化钇和介电常数高于约4的材料。
【专利附图】

【附图说明】
[0009]为了能详细理解本发明的以上概述特征，将参照部分在附图中示出的实施方式对以上的简要概述和以下的其它描述进行本发明的更详细描述。然而，应该主要到附图仅示出了本发明的典型实施方式，因此不能理解为对本发明范围的限定，因为本发明可承认其它等效的实施方式。
[0010]图1是具有护板的蚀刻反应器的示意图；
[0011]图2A-B是图1的护板的两个实施方式的顶视图的示意性示出；
[0012]图2C是护板部分的横截面示意图；
[0013]图2D是一个实施方式的顶视图的示意性示出，示出了在整个护板上的电势偏压；
[0014]图3A-B是护板的两个可选实施方式的顶视图的示意性示出；
[0015]图4是护板的另一实施方式的顶视图的示意性示出；以及
[0016]图5是根据本发明的一个实施方式的蚀刻光掩模的方法的流程图。
[0017]为了便于理解，在此尽可能使用相同的附图标记表示附图中共有的相同元件。预期一个实施方式的元件和特征可以有利地结合到另一实施方式中，而不用进一步叙述。
[0018]然而，应该注意到附图仅示出了本发明的示例性实施方式，因此不能理解为对本发明范围的限制，本发明还承认其它等效的实施方式。
【具体实施方式】
[0019]本发明提供一种改善光掩模衬底的蚀刻的方法和装置。更特别地，本发明涉及用于控制在等离子体蚀刻腔室中带电和中性物质的空间分布的改善的护板。该护板还引用为离子基或离子中性护板。
[0020]在等离子蚀刻腔室中使用的离子基护板的一个实施例之前已经在2004年6月30日由Kumar等人提交的美国专利申请S/N10/880, 754，题目为“METHOD AND APPARATUS FORPHOTOMASK PLASMA ETCHING” 中公开。
[0021]图1描述了具有离子基护板170的蚀刻反应器100的示意性视图。适于与在此公开的教导一起使用的适宜的反应器包括，例如，去耦的等离子体源(DPS?) II反应器，或者Tetra I和Tetra II光掩模蚀刻系统,所有这些系统都可以从California的Santa Clara的Applied Materials有限公司购得。在此示出的反应器100的特定的实施方式用于示意性目的，不应该用于限制本发明的范围。预期本发明可在其它等离子体处理腔室中使用，包括来自其它制造商的腔室。
[0022]反应器100—般包括具有在导电主体(壁)104内的衬底底座124的工艺腔室102，和控制器146。腔室102具有基本平坦的电介质顶或盖108。腔室102的其它修正可具有其它类型的顶，例如，圆顶形的顶。天线110设置在顶108上方并包含选择性控制(在图1中示出了两个共轴元件IlOa和IlOb)的一个或多个导电线圈元件。天线110通过第一匹配网络114耦合到等离子体功率源112，该等离子体功率源112能在从约50kHz到约13.56MHz范围的可调谐频率下产生高达约3000W的功率。
[0023]衬底底座(阴极)124通过第二匹配网络142耦合到偏压功率源140。偏压源140一般是在能产生连续或者脉冲功率的约13.56MHz的频率下高于约500W的电源。可选地，功率源140是DC或脉冲DC源。
[0024]在一个实施方式中，衬底支撑底座124包括静电夹盘160，所述静电夹盘160具有至少一个钳位电极132并由夹盘电源166控制。在可选实施方式中，衬底底座124可包括衬底固定构件诸如底座夹环、机械夹盘等。
[0025]掩模版适配器182用于固定衬底(例如，掩模或掩模版)122到衬底支撑底座124上。掩模版适配器182—般包括覆盖底座124 (例如,静电夹盘160)的上表面的下部分184和具有设计尺寸和形状以容纳衬底122的开口 188的顶部分186。开口 188 —般基本关于底座124居中。适配器182 —般由单种抗蚀刻、耐高温材料诸如聚亚酰胺陶瓷或石英形成。边缘环126可覆盖和/或固定适配器182到底座124。
[0026]升降机构138用于降低或升高适配器182，并因此降低或升高衬底122，到达或脱离衬底支撑底座124。一般地，升降机构162包含通过各个定向孔136运动的多个升降杆130 (示出了一个升降杆)。
[0027]在操作中，通过稳定衬底底座124的温度而控制衬底122的温度。在一个实施方式中，衬底支撑底座124包含电阻加热器144和散热器128。电阻加热器144 一般包含至少一个加热元件134并由加热器电源168调节。来自气源156的背侧气体，例如氦(He)，经由气体管道158提供到在衬底122下面底座表面中形成的管道，以有助于底座124和衬底122之间的热传递。在处理期间，可由电阻加热器144加热底座124至稳态温度，这与背侧气体一起，促进衬底122的均匀加热。使用所述热控制，衬底122可保持在约O和350摄氏度(V )之间的温度下。
[0028]离子基护板170设置在腔室102中底座124上方。离子基护板170从腔室壁104和底座124电性隔离，从而不提供从板到地的接地路径。离子基护板170的一个实施方式包括基本平坦的板172和支撑板172的多个腿176。板172可由与工艺需求兼容的多种材料制成，所述板172包含限定板172中所需开口面积的一个或多个开口(孔)174。该开口面积控制在工艺腔室102的上工艺空间178中形成的等离子体移到位于离子基护板170和衬底122之间的下工艺空间180的离子量。开口面积越大，则越多的离子可经过离子基护板170。同样地，孔174的大小控制空间180中的离子密度，并且护板170用作离子过滤器。板172还包含筛子或栅网，其中筛子或栅网的开口面积相应于由孔174提供的所需开口面积。可选地，可使用板和筛子或栅网的结合。
[0029]在处理期间，由于来自等离子体的电子轰击，电势在板172的表面上形成。电势吸引来自等离子体的离子，有效地从等离子体过滤这些离子，同时允许中性物质，例如自由基，经过板172的孔174。从而，通过降低通过离子基护板170的离子量，由中性物质或自由基对掩模的蚀刻可以多种可控方式进行。这减少了抗蚀膜(resist)的侵蚀以及抗蚀膜溅射到图案化的材料层的侧壁上，从而导致改善的蚀刻偏压和临界尺寸均匀性。
[0030]本发明提供对离子基护板170的各种改善，包括可选的材料或配置。例如，使用石英或陶瓷用于板172可能优于阳极化的铝，原因在于一般认为涡电流可在铝板中形成并不利地影响工艺均匀性。在另一实施方式中，板172由具有高于约4的介电常数的材料制成。该材料的实施例包括陶瓷，例如，氧化铝、氧化钇(钇氧化物)和K140 (可从Kyocera购得的专利材料)等等。
[0031]根据本发明的另一实施方式，离子护板170包含具有至少一种属性彼此不同的两个区域或部分。例如，护板可包含具有不同配置包括各种几何形状(例如，尺寸、形状和开口面积)的多个区域，该区域可由相同或不同的材料制成，或适于具有不同的电势偏压。通过提供区域配置、材料和/或电势偏压的结合，等离子体中的离子和中性物质分布可以局部化的方式修改，允许工艺属性诸如蚀刻均匀性的定制，或者局部增强或降低的蚀刻速度(例如，以在不同部分或掩模中定制为不同的图案密度)等等。该多区域护板，例如，可用于等离子体物质分布的活性控制，并因此可改善工艺控制。
[0032]在一个实施方式中，护板的至少两个区域由具有不同介电常数的不同材料制成。适宜的材料包括多种陶瓷(例如，氧化铝，氧化钇)、阳极化的铝、石英、具有高于约4的介电常数的材料，例如，可从Kyocera购得的K140，以及与工艺化学兼容的其它材料。在另一实施方式中，护板主要由一种材料制成，但是划分为物理分开或彼此电性绝缘的不同区域或部分。配置这些区域，从而每个区域可独立地偏压至不同电势。可选地，护板可包含具有不同几何形状或空间配置、材料和/或电势偏压的多个区域。
[0033]图2A是本发明的护板170的一个实施方式的俯视图的示意性示出。在该实施方式中，护板170包含具有多个孔174和多个腿176的板172。板172划分为不同的区域或部分172A、172B、172C和172D。这些区域的至少两个由不同的材料诸如陶瓷(例如，氧化铝或氧化钇)、石英、阳极化的铝或与工艺化学兼容的其它材料制成。使用具有不同介电常数的材料允许调节等离子体属性，并因此调节蚀刻结果。例如，与由较低介电常数的材料制成的另一区域相比，由较高介电常数的材料制成的区域将导致较多电荷的内建电场。因此，更多的离子将通过具有较低介电常数材料的区域。
[0034]可选地，所有的区域还可由相同的材料制成，邻近的区域可通过间隙172G或绝缘材料彼此隔开，如图2B所示。在具有间隙的配置中，邻近的区域可选地与一个或多个调整翼片173 (由不同于区域的材料制成)连接，以提供机械稳定性，除了由各个腿支撑之外。另夕卜，区域172A、172B、172C和172D的一个或多个可连接到用于供应电势偏压的各自的电源，对于每一区域可以独立地控制其电源。例如，区域172A可由电源190A在不同于连接到另一电源190B的区域172A的电势下偏压。在图2C中示出了电源连接，该图2C示出了通过腿176耦接到衬底底座124的区域172A的横截面视图。来自电源190A的电性连接设置到来自腿176内部的区域172A。一般地，正偏压或负偏压可施加到多个区域的其中之一。在一个实施方式中，可使用从约O伏到约500伏的DC偏压。在另一实施方式中，可使用从约O伏到约100伏或者从约O伏到约20伏的DC偏压。
[0035]例如，如果正DC偏压施加到区域172A，并且邻近区域172B和172D不偏压(例如，浮接)，从区域172A排斥的正离子将聚积在区域172B和172D周围。如果不通过来自区域172B和172D周围的电子建立的负电势中和，则该过量的正离子将很可能通过这些区域中的孔174并导致衬底122的蚀刻。因此，通过选择性偏压在板172上的一个或多个区域，通过离子-中性护板170的离子分布可以可控方式改变，导致在蚀刻结果中相应的变化。[0036]在又一实施方式中，板172包含具有在整个板172上的两个位置上施加的电势偏压的一种材料。在该实施方式中，在位置172X和172Y周围的不同电势偏压的两个区域之间没有间隙或物理间隔。这在图2D中示出，其中连接两个电压源190C和190D以提供在位置172X和172Y之间的电势梯度。一般地，在板172上的任意两个位置上建立电势梯度。在图2D的实施方式中，位置172XU72Y沿着周长附近的直径DD’在板中心的相对侧上设置。在另一实施方式中，可在板172的中心附近的第一位置和在板172周长附近的第二位置之间应用电势梯度。通过电势梯度修正在等离子体中穿过板172的孔174的离子和中性物质的分布。
[0037]图3A-B是护板170的两个实施方式的俯视图的示意性示出，示出了各种排列的不同区域，例如，172A和172B为同心环状排列(图3A)，以及172A、172B、172C、172D、172E和172F呈栅格或薄片图案(图3B)。例如，同心环配置可有益于补偿由腔室中的非均匀气体流动图案引起的蚀刻非均匀性。
[0038]可以理解蚀刻实施方式可彼此结合使用，例如无论由单种材料或不同材料制成的板，可包括不同的区域配置，或者在整个板上设置有不同的电势偏压。
[0039]另外，在板172的不同区域中的孔174可在尺寸、间隔和几何排列中变化。孔174可一般具有从0.03英寸(0.07cm)到约3英寸(7.62cm)变化的尺寸，并且可排列以限定在板172的每个区域内的开口面积从约百分之2到约百分之90。预期孔174可以其它几何图案或者随机图案排列并具有各种尺寸。孔174的大小、形状和图案可根据下工艺空间180中的所需离子密度变化。例如，在板172的特定区域中的小直径的大部分孔可用于增加在空间180的相应区域中的自由基(或中性物质)与离子密度的比率。可选地，多数较大的孔可用板172的区域内的小孔点缀，以增加在空间180的相应区域中的离子与自由基(或中性物质)密度比率。
[0040]在图2-3中示出的实施例主要用于示意性目的，并且可以理解许多不同的变化是可能的，包括设计以为适合特定的掩模图案的区域配置(例如，大小、形状、开口面积、材料和/或偏压)的结合，从而可以定制工艺属性以适合特定的需求。例如，如果掩模具有不同图案密度或负载的区域，这些区域的所需蚀刻速度可彼此不同。在那样的情形下，有可能基于特定的掩模图案而设定护板172上的区域或部分，以达到所需的蚀刻结果。图4示出了划分为区域172A和172B的板172的一个实施方式的俯视图，所述俯视图的空间配置对应于或与在具有不同图案密度的掩模上的各个区域相关。例如，如果区域172A对应于需要比其余部分掩模相对高的蚀刻速度的掩模上的区域，区域172A可设置有较大直径的孔以提供离子与中性物质较高的比率。可选地，区域172A和172B可由具有不同介电常数的材料制成和/或偏压不同，从而经过区域172A的离子量(或者离子与中性物质的比率)可相对于区域172B增加。通过设置由不同的介电常数的材料制成的和/或不同偏压的区域，与仅通过改变孔大小所得相比，可得到对离子与中性物质比率的较好控制。
[0041]可改变离子基护板170被支撑的高度以进一步控制蚀刻工艺。离子基护板170越靠近护板108，则上工艺空间178越小，这样趋于促进更稳定的等离子体。在一个实施方式中，离子基护板170距离顶108约I英寸(2.54cm)设置。通过更靠近底座124设置离子基护板170，从而衬底122更靠近离子基护板170，可得到更快的蚀刻速度。可选地，通过离底座124更远设置离子基护板170，可得到较低但是更加可控的蚀刻速度。通过调整离子基护板170的高度而控制蚀刻速度，从而允许以改善的临界尺寸均匀性和降低的蚀刻偏压平衡更快的蚀刻速度。在一个实施方式中，离子基护板170距离底座124约2英寸(5cm)设置。离子基护板170的高度可在衬底122和顶108之间具有约6英寸(15.24cm)的距离的腔室中从约1.5英寸(3.81cm)到约4英寸(10.16cm)的范围内变化。预期离子基护板170可设置在具有不同几何形状的腔室中的不同高度处，例如，在较大或较小的腔室中。
[0042]支撑在关于衬底122呈隔开关系的板172的腿176 —般位于底座124或者边缘环126的外直径周围并且可由与板172相同的材料制造。在一个实施方式中，三条腿176用于支撑离子基护板170。尽管腿176 —般在相对于衬底122或底座124基本平行的方向中固定板172，但是预期通过具有改变长度的腿176可以使用有角度的方向。
[0043]腿176可在上端压配到在板172中形成的相应的孔中，或者它们可以紧固于板172中或紧固到与板172下侧固定的支架中。腿176可放置到底座124、适配器182或边缘环126上，或者它们可以延伸至在底座124、适配器182或边缘环126中形成的孔(未示出)中。还可使用不与处理条件不一致的其它传统紧固方法，诸如螺纹连接、螺栓连接、粘接等等。当固定到边缘环126时，为了便于使用、维护、替换等等，离子基护板170可以为易于置换工艺套件的零件。预期可以配置离子基护板170以在现有工艺腔室中易于更新。
[0044]可选地，通过其它装置诸如通过使用粘结到壁104的支架(未示出)或者工艺腔室102内的其它结构，板172可支撑在底座124上方。其中板172附接到壁104或者工艺腔室102的其它结构，板172 —般与任何接地路径诸如地106绝缘。
[0045]在等离子体蚀刻之前，一种或多种工艺气体从气体仪表盘120提供到工艺腔室102，例如，通过位于衬底底座124上方的一个或多个入口 116 (例如，开口、注射器、喷嘴等等)。在图1的实施方式中，使用可在壁104中或者在耦合到壁104的气体环(未示出)中形成的环形气体管道118，工艺气体提供到入口 116。在蚀刻工艺期间，通过将来自等离子体源112的功率施加到天线110，工艺气体激发为等离子体。
[0046]使用节流阀162和真空泵164控制腔室102中的压力。可使用流经壁104的含液体管道(未示出)控制壁104的温度。典型地，腔室壁104由金属(例如，铝，不锈钢等等)形成并耦接到电接地106。工艺腔室102还包含用于工艺控制、内部诊断、终点检测等等的传统系统。该系统共同地示为支撑系统154。
[0047]控制器146包含中央处理器(CPU) 150、存储器148和用于CPU150的支持电路152，并且有助于工艺腔室102的组件的控制，同时有助于蚀刻工艺的控制，如以下进一步详细示出。控制器146可以为可以在工业设置中使用以控制各种腔室和子处理器的多种用途的计算机处理器的任意形式的其中之一。CPU150的存储器或计算机可读介质可以为一种或多种容易购得的存储器诸如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘或本地或远程的任何其它形式的数字存储器。支持电路152耦合到CPU150用于以传统方式支撑处理器。这些电路包括高速缓冲存储器、电源、时钟电路、输入/输出电路和子系统等等。本发明的方法一般作为软件程序存储在存储器148中。可选地，该软件程序还由CPU150控制的硬件的远程设置的第二 CPU(未示出)存储和/或执行。
[0048]图5示出了根据本发明的实施方式在具有离子基护板的蚀刻腔室中蚀刻光掩模衬底的方法500。方法500当衬底放置在工艺腔室中离子基护板下面的支撑底座上时在步骤502开始。护板包含具有至少一种属性例如材料或电势偏压彼此不同的两个区域。典型的衬底一般包含光学透明的硅基材料，诸如石英(即，二氧化硅，S12),具有设置在石英的表面上的金属的不透光隔离层。在光掩模中使用的典型金属包括铬或铬氧氮化物。该衬底还可包括夹在石英和铬之间的由钥(Mo)掺杂的氮化硅(SiN)层。
[0049]在步骤504，一种或多种气体通过气体入口引入到工艺腔室。示例性的工艺气体可包括氧气(O2)或含氧气体，诸如一氧化碳(CO),和/或含齒素气体,诸如用于蚀刻金属层的含氯气体。处理气体可进一步包括惰性气体或另外的含氧气体。一氧化碳有利地用于在图案化的抗蚀材料和所蚀刻的金属层中形成的开口和图案的表面特别在侧壁上形成钝化聚合物沉积物。含氯气体选自氯气(Cl2)、四氯化硅(SiCl4)、三氯化硼(BCl3)及它们的组合，并用于供应活性基以蚀刻金属层。
[0050]例如，Cl2可以10到1000标准毫升每分钟(sccm)提供，而O2可以O到100sccm提供。在5和500W之间的衬底偏压功率可施加到静电夹盘和保持在低于约150°C温度的工艺腔室中。在其它实施方式中诸如蚀刻石英或MoSi的实施方式中，工艺气体包括含氟气体，例如三氟甲烷(CHF3)、四氟甲烷(CF4)等等。
[0051]在步骤506,可选地，DC偏压施加到离子基护板的至少一个区域。在步骤508,等离子体由在离子基护板上方的工艺空间中的一种或多种工艺气体形成，例如，通过在施加来自等离子体功率源的在约200到约2000W之间的RF功率到天线。根据由施加的偏压和在整个离子基护板上建立的电势确定的分布图案，来自等离子体的离子和中性物质通过离子基护板。衬底由下工艺空间中的离子和中性物质蚀刻。
[0052]虽然前述涉及本发明的实施方式，但是在不脱离本发明的基本范围下，还承认本发明的其它和进一步的实施方式，并且本发明的范围由以下的权利要求书所确定。
【权利要求】
1.一种等离子体蚀刻的装置，包括: 工艺腔室； 设置在工艺腔室中的支撑底座，所述支撑底座在其上容纳光掩模； 在所述腔室内形成等离子体的RF功率源；以及 在所述腔室中设置在所述底座上方的护板，所述护板包含一板，该板具有两个彼此独立且相邻的区域，每个区域都具有多个孔以及具有彼此不同的至少一种属性，所述至少一种属性是材料，其中两个彼此独立的区域各包含介电常数彼此不同且高于4的材料，并且所述区域用于控制经过所述板的离子和中性物质的分布的改变，导致在蚀刻结果中的相应变化。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述两个区域的特征在于彼此不同的两个开口面积，该两个开口面积由所述多个孔中的 一个或多个孔来限定。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述两个区域具有彼此不同的电势偏压。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述两个区域彼此物理性隔开。
5.根据权利要求3所述的装置，其中所述两个区域的特征在于彼此不同的两个开口面积，该两个开口面积由所述多个孔中的一个或多个孔来限定。
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一和第二区域在所述板上以楔形、中心环或栅格图案的至少一种排列。
7.根据权利要求1所述的装置，其中所述两个区域的空间配置与在具有不同图案密度的所述光掩模上的各个区域相关。
8.根据权利要求7所述的装置，其中所述两个区域具有彼此不同的电势偏压。
9.一种蚀刻光掩模的方法，包括: 提供具有支撑底座的工艺腔室； 在所述支撑底座上方提供护板，所述护板包含一板，该板具有每个都包含多个孔并用于控制经过所述板的带电和中性物质分布的第一区域和第二区域，所述第一区域的至少一种属性不同于所述第二区域，所述至少一种属性是材料，其中所述第一区域和第二区域包含介电常数彼此不同且高于4的材料； 在所述底座上放置光掩模； 向所述工艺腔室中引入工艺气体； 由所述工艺气体形成等离子体；以及 改变经过所述板的离子和中性物质的分布，所述分布对应于第一区域和第二区域，导致用于所述光掩模的蚀刻结果的相应变化。
10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括: 提供由一种材料制成的第一区域；以及 提供由一不同的材料制成的第二区域。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一区域和第二区域的材料选自阳极化铝、陶瓷、氧化招和氧化钇。
12.根据权利要求9所述的方法，进一步包括: 向所述第一区域施加不同于所述第二区域的电势偏压。
13.根据权利要求9所述的方法，进一步包括:向所述第一区域提供不同于所述第二区域的第二开口面积的第一开口面积，所述第一开口面积和第二开口面积由各个区域中的所述多个孔限定。
14.根据权利要求9所述的方法，进一步包括: 在所述板上以楔形、中心环或栅格图案之一提供所述第一区域和第二区域。
15.根据权利要求9所述的方法，其中所述板包含多个区域，所述多个区域的空间配置与在具有不同图案密度的所述光掩模上的各个区域相关。
【文档编号】C23F4/00GK104035276SQ201410178214
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2007年8月8日 优先权日:2006年10月30日
【发明者】艾杰伊·库玛, 马德哈唯·R·钱德拉养德, 理查德·莱温顿, 达里恩·比文斯, 阿米泰布·萨布哈维尔, 希巴·J·潘纳伊尔, 艾伦·希罗什·奥叶 申请人:应用材料公司