本发明涉及一种镀膜件，尤其涉及一种镀膜件的制作方法。
背景技术：
：现有技术中，电子产品得到迅速发展和进步，消费者们对电子产品的外观件的要求也愈来愈高。传统技术中，通常通过烤漆工艺使得电子装置的壳体等外观件具有疏水等效果，从而提高电子装置的防水性能。然，影响烤漆质量的因素较多，例如，基材的清洁度、喷涂压力、流平间的环境以及油漆的厚度等，如此会出现多种不良情况，例如，含较多杂质、含气泡、积漆以及出现油点等情况影响电子产品外观。因此，如何提高电子装置的外观件的疏水性能及外观要求，是研究者们面临的重大问题。技术实现要素：鉴于以上情况，有必要提供一种具有疏水性能且外观具有金属质感的镀膜件。另，还有必要提供一种镀膜件的制作方法。一种镀膜件，所述镀膜件包括基体、形成于基体表面的金属层、形成于金属层表面的界面层以及形成于界面层的疏水层，所述界面层为二氧化硅材料制成，所述疏水层为聚对二甲苯或含氟材料制成，所述含氟材料的主要成分为氟硅烷。一种镀膜件的制作方法，包括如下步骤：提供一基体；通过电阻式真空镀膜方式于该基体上形成一金属层；通过等离子体增强化学气相沉积法于该金属层的表面形成一界面层，所述界面层为二氧化硅材料制成；于该界面层的表面形成一疏水层，制得所述镀膜件，其中所述疏水层为聚对二甲苯或含氟材料制成，所述含氟材料的主要成分为氟硅烷。本发明所提供的镀膜件通过等离子体增强化学气相沉积法形成打底层及界面层，且于该打底层的表面形成一层金属层，再于该界面层形成一疏水层，从而使得该镀膜件具有金属质感的外观的同时还具有较佳的疏水性能，生产工艺简单，具有较佳的市场竞争力。附图说明图1为本发明较佳实施方式的镀膜件的剖面示意图。主要元件符号说明镀膜件10基体11打底层13金属层15界面层17疏水层19如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。具体实施方式为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图与实施例对本发明进行进一步详细说明。请参阅图1，本发明提供的较佳实施方式的镀膜件10，包括基体11、依次形成于基体11表面的打底层13、金属层15、界面层17及疏水层19。所述基体11为塑料、硅胶、金属、玻璃或陶瓷制成。所述打底层13为二氧化硅材料制成，以用于提高基体11与后续膜层之间的结合力。所述打底层13的厚度范围为8-12nm。所述金属层15形成于该打底层13的表面，所述金属层15由金属材料制成，所述金属材料为铝（Al）、铬（Cr）、钛（Ti）、铟(In)、锡（Sn）、镍（Ni）、锆（Zr）、银（Ag）、铜（Cu）或不锈钢（SUS）等。所述金属层15的厚度范围为0.3-0.5um。可以理解，该基体11为非金属材料制成时，所述金属层15可提高该镀膜件10的金属质感。所述界面层17形成于该金属层15的表面，所述界面层17为二氧化硅材料制成，以用于提高金属层15与后续膜层之间的结合力，同时还可提高该镀膜件10的耐磨性。所述界面层17的厚度范围为8-12nm。所述疏水层19形成于所述界面层17的表面，所述疏水层19为聚对二甲苯或含氟材料制成，其中含氟材料的主要成分为氟硅烷，该氟硅烷的化学式为RfXSi(OMe)3，其中Rf为含氟基团，X为卤族元素。所述疏水层19的厚度范围为1-10um。可以理解，在其它实施方式中，所述打底层13以及金属层15可省略，界面层17直接形成于基体11表面。本发明较佳实施方式的镀膜件10的制作方法，包括如下步骤：提供一基体11，对该基体11进行预处理。具体地，依次用去离子水及无水乙醇对基体11表面进行擦拭。然后，将基体11放入盛装有丙酮溶液的超声波清洗器中进行超声波清洗，以除去基体11表面的杂质和油污等。所述基体11为塑料、硅胶、金属、玻璃或陶瓷制成。对经上述预处理后的基体11的表面进行等离子体清洗，以进一步去除基体11表面的脏污，以增加基体11表面与后续膜层的结合力。具体地，将清洁后的基体11放入真空室中，对真空室内抽真空至压力为3.5x10-5torr-6.0x10-5torr，然后给真空室注入流量为450sccm-600sccm的O2和300-400sccm的Ar，通过O2和Ar辉光放电对基体11进行刻蚀与活化，持续中频功率为1-9kw，清洗时间为40s-90s。通过等离子体增强化学气相沉积法（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD）于该基体11的表面形成一打底层13。具体地，所述基体11经过等离子体清洗完成后，对真空室抽真空至压力为5x10-2torr-8x10-1torr，然后充入流量为200sccm-300sccm的O2和100sccm-150sccm的硅油至真空室内，持续中频功率为1-9kw，沉积二氧化硅至基体11表面以形成一层二氧化硅层，即打底层13，沉积时间为25-60s。对该打底层13进行致密化。具体地，真空室内持续充入气体流量为450sccm-600sccm的Ar至压力5x10-2torr-8x10-1torr，持续中频功率为5kw-9kw，放电起辉40s-90s，以刻蚀二氧化硅层的表面、剥离二氧化硅层表面附着力较差的二氧化硅和为二氧化硅层补充氧原子形成更为致密的打底层13，所述打底层13厚度范围为8-12nm。通过电阻式真空镀膜方式于该打底层13的表面形成一金属层15。具体地，提供一金属靶材置于真空室内，将真空室内的压力抽空至1x10-4torr-5x10-3torr，调整通过金属靶材的电流至300A-450A加热200s，使得金属靶材在高电流加热的情况下气化，从而沉积于该打底层13上，形成金属层15。金属靶材可为铝（Al）、铬（Cr）、钛（Ti）、铟(In)、锡（Sn）、镍（Ni）、锆（Zr）、银（Ag）、铜（Cu）或不锈钢（SUS）等材料制成。所述金属层15的厚度范围为0.3-0.5um。通过等离子体增强化学气相沉积法（PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD）于该金属层15的表面形成一层界面层17。具体地，真空室内抽真空至压力为5x10-2torr-8x10-1torr，然后充入流量为200sccm-300sccm的O2和100sccm-150sccm的硅油至真空室内，持续中频功率为1-9kw，沉积一层二氧化硅层至金属层15表面以形成界面层17，沉积时间为25-60s。对该界面层17进行致密化。具体地，真空室内持续充入气体流量为450sccm-600sccm的Ar至真空室内压力为5x10-2torr-8x10-1torr，持续中频功率为5kw-9kw放电起辉40s-90s，起到刻蚀二氧化硅层的表面、剥离二氧化硅层表面附着力较差的二氧化硅和为二氧化硅层补充氧原子形成更为致密的界面层17，所述界面层17厚度范围为8-12nm。于该界面层17的表面沉积一疏水层19。当疏水层19由聚对二甲苯制成时，通过化学气相沉积法（ChemicalVaporDepositio，CVD）形成疏水层19。具体地，在真空室内注入液态的聚对二甲苯，将真空室内的压力抽空至1x10-4torr-5x10-3torr，对真空室内持续加热150-200℃，使得该聚对二甲苯在150-200℃气化，最后再加热至650℃-750℃使得聚对二甲苯的化学键裂解，常温下沉积60-100min后得到厚度范围为1-10um的疏水层19。可以理解，当所述疏水层19为含氟材料制成时，其形成方式为：通过将形成有界面层17的基体11浸泡于含氟材料液体中或朝界面层17喷涂含氟材料液体的方式于该界面层17上形成一层疏水涂层，所述疏水涂层为含氟材料制成，所述含氟材料的主要成分为氟硅烷，该氟硅烷的化学式为RfXSi(OMe)3，其中Rf为含氟基团，X为卤族元素。疏水涂层中的氟硅烷在一定的时间经过水解反应、缩聚反应形成氢键后，将形成有疏水涂层的基体11置于120℃-200℃下干燥固化30min-60min，从而与形成界面层17的二氧化硅发生缩合反应形成共价键，同时所述疏水涂层固化形成疏水层19。由于该氟硅烷材料制成的疏水层19与由二氧化硅沉积而成的该界面层17之间存在共价键从而使得疏水层19与界面层17之间能够稳固连接。可以理解，在其他实施方式中，形成打底层13的步骤可省略，金属层15直接形成于基体11表面。本发明所提供的镀膜件10通过等离子体增强化学气相沉积法形成打底层13及界面层17，且于该打底层13的表面形成一层金属层15，再于该界面层17形成一疏水层19，从而使得该镀膜件10具有金属质感的外观的同时还具有较佳的疏水性能，生产工艺简单，具有较佳的市场竞争力；同时，疏水层19采用挥发有机物含量较少的有机材料聚对二甲苯或含氟材料制成，具有较好的环保性能。以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。当前第1页1 2 3