1.一种半导体加工设备，包括反应腔室和感应线圈，在所述反应腔室内设置有用于承载晶片的石墨托盘；所述感应线圈设置在所述反应腔室内，且位于所述石墨托盘的上方或者下方，并且所述感应线圈为平面线圈，用以采用感应加热的方式加热所述石墨托盘，其特征在于，还包括外线圈和高度调节机构，其中，
所述外线圈环绕设置在所述感应线圈的外围，用于在形成回路时，产生与所述感应线圈产生的磁场方向相反的感应磁场；
所述高度调节机构用于调节所述外线圈相对于所述感应线圈的高度。
2.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述高度调节机构包括多个支撑柱、支撑环和驱动装置，其中，
所述支撑环的轴线与所述感应线圈的轴线相互平行；
所述多个支撑柱设置在所述支撑环上，且沿所述外线圈的周向均匀分布，用以支撑所述外线圈；
所述驱动装置用于驱动所述支撑环上升或下降。
3.根据权利要求2所述的半导体加工设备，其特征在于，所述驱动装置为一个或多个，且多个驱动装置沿所述外线圈的周向间隔设置。
4.根据权利要求3所述的半导体加工设备，其特征在于，所述多个驱动装置沿所述外线圈的周向对称分布。
5.根据权利要求2所述的半导体加工设备，其特征在于，所述驱动装置包括气缸或者电机。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的半导体加工设备，其特征 在于，还包括通断装置，所述通断装置用于接通或断开所述外线圈的两个端部。
7.根据权利要求6所述的半导体加工设备，其特征在于，所述通断装置包括两个电极、连接棒、支撑件和升降装置，其中，
所述两个电极相对设置，且分别与所述外线圈的两个端部连接，并且在所述两个电极彼此相对的表面上设置有槽部；
所述连接棒位于所述两个电极之间，且所述连接棒的两个端部分别搭置在所述两个电极的槽部底面上，并且所述端部的侧面与所述槽部的侧面之间具有间隙；
所述升降装置用于驱动所述支撑件上升，直至所述支撑件顶起所述连接棒，以使所述连接棒的两个端部与所述两个电极的槽部底面相分离；或者，驱动所述支撑件下降至低于所述两个电极的槽部底面的位置处，以使所述连接棒的两个端部在重力作用下下落至所述电极的槽部底面上。
8.根据权利要求7所述的半导体加工设备，其特征在于，所述升降装置包括气缸或者升降电机。
9.根据权利要求1-5任意一项所述的半导体加工设备，其特征在于，所述外线圈的匝数为单匝或者多匝，且多匝的所述外线圈为平面线圈。