1.一种用于半导体处理反应器的喷头，包括：
喷头平铺件阵列，其中每个喷头平铺件具有在所述喷头平铺件的中心区域中的多个工艺气体孔以及边界，每个平铺件的边界与至少一个其它平铺件的边界接触并连接到所述至少一个其它平铺件的边界，所述阵列的每个喷头平铺件被定尺寸用于处理多个基底；以及
排气区，其围绕所述工艺气体孔并包括从所述喷头平铺件中的一个或多个的一个或多个中心区域延伸的表面，所述排气区具有在所述表面中的至少一个排气孔。
2.如权利要求1所述的喷头，其中所述喷头平铺件阵列的每个喷头平铺件被定尺寸用于处理4、6或9个基底。
3.如权利要求1所述的喷头，其中所述排气区围绕所述喷头平铺件阵列。
4.如权利要求1所述的喷头，其中所述排气区是每个喷头平铺件的一部分，并围绕每个喷头平铺件的工艺气体孔。
5.如权利要求1所述的喷头，其中所述至少一个排气孔包括多个排气孔。
6.如权利要求1所述的喷头，还包括围绕所述排气区并具有从所述排气区表面延伸的表面的凸缘。
7.如权利要求1所述的喷头，其中每个喷头平铺件是正方形的、圆形的、矩形的或多边形的。
8.如权利要求1所述的喷头，其中每个喷头平铺件具有在所述排气区和所述多个工艺气体孔之间的至少一个气体帷幕孔。
9.如权利要求1所述的喷头，其中每个喷头平铺件包括至少一个气体帷幕孔。
10.如权利要求1所述的喷头，其中所述喷头平铺件阵列是正方形阵列。
11.如权利要求1所述的喷头，其中所述喷头平铺件阵列是矩形阵列。
12.如权利要求1所述的喷头，其中所述喷头平铺件阵列具有旋转对称性。
13.一种用于半导体处理反应器的喷头，包括：
喷头平铺件阵列，每个喷头平铺件具有边界和在所述喷头平铺件的中心区域中的多个工艺气体孔，其中至少一个流体通路邻近于所述喷头平铺件的所述中心区域，每个平铺件的所述边界与至少一个其它平铺件的边界接触并连接到所述至少一个其它平铺件的所述边界，所述阵列的每个喷头平铺件被定尺寸用于处理多个基底；以及
多个排气区，每个排气区围绕每个喷头平铺件的所述中心区域，每个排气区包括从每个喷头平铺件的所述中心区域延伸的表面，以及每个排气区具有在所述表面中的至少一个排气孔。
14.如权利要求13所述的喷头，其中所述喷头平铺件阵列的每个喷头平铺件被定尺寸用于处理4、6或9个基底。
15.如权利要求13所述的喷头，其中在每个喷头平铺件上，所述至少一个流体通路包括两个冷却通路。
16.如权利要求13所述的喷头，其中在每个喷头平铺件上，所述至少一个流体通路包括流动地连接到气体帷幕孔的两个气体通路。
17.如权利要求13所述的喷头，其中在每个喷头平铺件上，所述至少一个流体通路在所述中心区域的一部分和所述排气区的一部分之间。
18.一种用于半导体处理反应器的喷头，包括：
喷头平铺件阵列，每个喷头平铺件具有边界、在所述喷头平铺件的中心区域中的多个工艺气体孔以及相邻于所述喷头平铺件的所述中心区域的至少一个流体通路，每个喷头平铺件的所述边界与至少一个其它喷头平铺件的边界接触并连接到所述至少一个其它喷头平铺件的所述边界；以及
排气区，其围绕所述喷头平铺件阵列并包括从所述喷头平铺件的所述中心区域延伸的表面，所述排气区具有在所述表面中的至少一个排气孔。
19.如权利要求18所述的喷头，其中所述喷头平铺件阵列的每个喷头平铺件被定尺寸用于处理多个基底。
20.如权利要求18所述的喷头，还包括围绕所述喷头平铺件阵列并具有多个气体帷幕孔的气体帷幕区，其中所述排气区围绕所述气体帷幕区。