1.一种半导体靶材用高纯镍锭的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，备料：选择铁、钴、铜含量低的电解镍板，纯度≥99.8％；
步骤2，装炉：电解镍板绑料装炉，装炉前清理炉膛和反应器；
步骤3，一次熔炼：采用电子束炉熔炼，当维持炉膛真空度≤1.0×10-2pa时开始升温熔炼，熔炼温度控制在≥2130℃；熔炼速度控制在≤20.1kg/h，充分融化电解镍板；熔炼后形成的镍锭在炉膛里冷却6h～12h；
步骤4，二次熔炼：重复步骤3至少一次；
步骤5，出炉、取样分析：从镍锭上中下三个部位取三个切片，超声波清洗后送检分析，检验纯度≥99.99％，合格入库。
2.如权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：所述步骤4的重复步骤3至少二次、三次或四次。
3.如权利要求1或2所述的制备工艺，其特征在于：所述步骤3的炉膛真空度为0.85×10-2pa、0.75×10-2pa、0.65×10-2pa或0.55×10-2pa。
4.如权利要求3所述的制备工艺，其特征在于：所述步骤3的所述熔炼温度2250℃、2350℃、2550℃、2750℃或2950℃。
5.如权利要求1、2或4所述的制备工艺，其特征在于：所述步骤3的所述熔炼速度控制在20kg/h、18kg/h、16.5kg/h或14kg/h。
6.如权利要求5所述的制备工艺，其特征在于：所述步骤3的所述冷却时间为7.3h、8.3h、9.3h或11。