Ag/ZnO/Mg光电透明导电薄膜的沉积方法与流程

技术特征：

1.一种Ag/ZnO/Mg光电透明导电薄膜的沉积方法，其特征在于按照以下步骤进行：

(1)将基片用丙酮、乙醇以及去离子水用超声波依次清洗后，用氮气吹干送入反应室；

(2)磁控溅射Mg膜的沉积：将沉积室本底抽到9.5×10^-4Pa之后，通入氩气，在基片衬底上射频溅射Mg靶材，沉积制备厚度为20～60nmMg薄膜；

(3)有机物化学气相沉积制备中间层ZnO薄膜：将沉积反应室真空抽至7.5×10^-4Pa后，将沉积上Mg膜的基片加热至50～450℃，向反应室内同时通入氩气携带的Zn(CH₂CH₃)₂和O₂，Zn(CH₂CH₃)₂和O₂量由质量流量计控制流量比为(2～4)：(200～400)，控制气体总压强为0.9～2.1Pa；在电子回旋共振频率为750W，反应25～45min,得到450～650nm的ZnO薄膜；

(4)磁控溅射Ag膜的沉积：将沉积室本底抽到8.5×10^-4Pa之后，通入氩气，在ZnO/Mg基片上射频溅射Ag靶材，沉积制备厚度为15～45nm的Ag薄膜；

(5)对Ag/ZnO/Mg的多层结构的透明导电薄膜进行高温退火，退火温度为200～600℃，退火时间为20min，得到Ag、Mg共同掺杂的ZnO光电透明导电薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种Ag/ZnO/Mg光电透明导电薄膜的沉积方法，其特征在于所述基片为普通康宁玻璃、蓝宝石、石英、太阳能电池片、硅片或有机聚合物。

3.根据权利要求1所述的一种Ag/ZnO/Mg光电透明导电薄膜的沉积方法，其特征在于所述步骤(2)中磁控溅射Mg膜的沉积条件具体为：对基片衬底进行加热至150℃并调整氩气气体流量使气压达到6Pa，溅射功率为150W，溅射时间为2～6min，使得Mg薄膜厚度为20～60nm。

4.根据权利要求1所述的一种Ag/ZnO/Mg光电透明导电薄膜的沉积方法，其特征在于所述步骤(4)磁控溅射Ag膜的沉积条件具体为：ZnO/Mg基片进行加热至200℃，并调整氩气气体流量使气压达到9Pa，溅射功率为150W，溅射时间为1～4min，使得Ag膜的厚度是15～45nm。