Ag/ZnO/Mg光电透明导电薄膜的沉积方法与流程

文档序号:11147214阅读:来源:国知局
技术总结
本发明涉及一种Ag/ZnO/Mg光电透明导电薄膜的沉积方法,属透明导电材料领域。本发明一种按照以下步骤进行:(1)将基片用丙酮、乙醇以及去离子水用超声波依次清洗后,用氮气吹干送入反应室;2)磁控溅射Mg膜的沉积;(3)有机物化学气相沉积制备中间层ZnO薄膜:(4)磁控溅射Ag膜的沉积:(5)对Ag/ZnO/Mg的多层结构的透明导电薄膜进行高温退火,退火温度为200~600℃,退火时间为20min,得到Ag、Mg共同掺杂的ZnO光电透明导电薄膜。本发明制备工艺简单,沉积过程易于控制。本发明制备的透明导电薄膜均匀性好,光电性能优异,电阻率可低至7.0×10‑4Ω·cm,而其透光率可达85%以上。可用于制造太阳能电池、发光二极管、LCD以及手机等光电器件的透明电极。

技术研发人员:梁结平
受保护的技术使用者:梁结平
文档号码:201611094524
技术研发日:2016.12.01
技术公布日:2017.05.10

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