1.一种磁控共溅射制备面内磁化哈斯勒合金薄膜的方法，其特征在于按以下步骤进行：
（1）采用SiO2作为衬底材料，将衬底材料经过超声波清洗处理后，通过传样品杆传送入磁控溅射真空室中的样品台上；
（2）将所需要的靶材放入磁控溅射真空室的靶位上；所述的靶材材料分别为纯度≥99.999%的金属材料X、Y和Z；所述的金属材料X为Cu、Ni或Co；所述的金属材料Y为Fe、Cr或Mn，所述的金属材料Z为Al、Si、Ge或B；
（3）抽真空至磁控溅射室的真空度≤2×10-5Pa；
（4）通过磁控共溅射在衬底材料表面制备哈斯勒合金薄膜，工作气体为纯度≥99.999%的高纯氩气，溅射气压0.01~0.4Pa，沉积速率为5~10nm/min，靶材到衬底材料的距离为20~30cm，溅射时间设定5~10 min，在衬底材料表面制成哈斯勒合金薄膜。
2.一种磁控共溅射制备面内磁化哈斯勒合金薄膜的方法，其特征在于按以下步骤进行：
（1）采用SiO2作为衬底材料，将衬底材料经过超声波清洗处理后，通过传样品杆传送入磁控溅射真空室中的样品台上；
（2）将所需要的靶材放入磁控溅射真空室的靶位上；所述的靶材材料分别为纯度≥99.999%的金属材料Cr、X、Y和Z；所述的金属材料X为Cu、Ni或Co；所述的金属材料Y为Fe、Cr或Mn，所述的金属材料Z为Al、Si、Ge或B；
（3）抽真空至磁控溅射室的真空度≤2×10-5Pa；
（4）通过磁控溅射在衬底材料表面制备哈斯勒合金薄膜，工作气体为纯度≥99.999%的高纯氩气，溅射气压0.01~0.4Pa，沉积速率为5~10nm/min，靶材到衬底材料的距离为20~30cm，溅射时间1~2 min，在衬底材料表面制成Cr膜；
（5）通过磁控共溅射在衬底材料表面制备哈斯勒合金薄膜，工作气体为纯度≥99.999%的高纯氩气，溅射气压0.01~0.4Pa，沉积速率为5~10nm/min，靶材到衬底材料的距离为20~30cm，溅射时间5~10 min，在衬底材料表面制成哈斯勒合金薄膜。
3.根据权利要求1或2所述的磁控共溅射制备面内磁化哈斯勒合金薄膜的方法，其特征在于所述的超声清洗处理的步骤为：将衬底材料按顺序依次分别置于丙酮、乙醇和去离子水中，并用超声波清洗，在每种液体中超声清洗时间为15~20min，然后用氮气吹干，在200±10℃条件下热处理8~10min，使衬底材料表面残留物去除。
4.根据权利要求1或2所述的磁控共溅射制备面内磁化哈斯勒合金薄膜的方法，其特征在于所述的哈斯勒合金薄膜的成分为X2YZ，厚度为48~56nm。
5.根据权利要求2所述的磁控共溅射制备面内磁化哈斯勒合金薄膜的方法，其特征在于所述的Cr膜的厚度为9~12nm。