技术总结
磁控共溅射制备面内磁化哈斯勒合金薄膜的方法，按以下步骤进行：（1）采用SiO2作为衬底材料经过超声波清洗处理后送入磁控溅射真空室中的样品台；（2）将所需要的靶材放入磁控溅射真空室的靶位上；（3）抽真空；（4）通过磁控溅射在衬底材料表面制备哈斯勒合金薄膜，或者先在衬底材料表面制成Cr膜，再在衬底材料表面制备哈斯勒合金薄膜。本发明采用磁控共溅射方法，制备的高纯薄膜平行于磁各向异性，其粗糙度以及矫顽力有明显的变化，制备时间短，纯度高，设备简单，容易操作，成本低。
技术研发人员：张宪民;包涵;林佳新;仝军伟;艾小薇;张润鑫;秦高梧
受保护的技术使用者：东北大学
文档号码：201611147545
技术研发日：2016.12.13
技术公布日：2017.03.15