本实用新型涉及二氧化硅蒸镀技术领域，尤其涉及一种具有离子和电子定向部件的二氧化硅蒸镀装置。
背景技术：
现有技术中，二氧化硅蒸镀装置利用电子束蒸发装置使二氧化硅蒸发并沉积在基片上形成薄膜，但是这样沉积的膜的结构疏松，成膜质量差，无法满足正常的生产需求。另外，在蒸镀过程中，蒸发的二氧化硅容易附着在蒸镀装置的内壁上，造成原料浪费。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种具有离子和电子定向部件的二氧化硅蒸镀装置，所要解决的技术问题是如何提高成膜的质量，使薄膜致密化，同时避免浪费原料。
本实用新型所述的具有离子和电子定向部件的二氧化硅蒸镀装置包括真空室，真空室的内壁围成真空腔，真空腔的顶部设置有基片支架，基片支架的底部设置有多个基片，真空室的侧面设置有侧孔，该侧孔中设置有电子释放装置；真空腔的底部设置有第一电子束蒸发装置、电离装置和第二电子束蒸发装置，第一电子束蒸发装置的上方设置有第一挡板，电离装置的上方设置有电离挡板，第二电子束蒸发装置的上方设置有第二挡板；在电离挡板的上方设置有筒状的离子定向部件；在电子释放装置的前方设置有筒状的电子定向部件。
所述的基片支架的底部呈弧状圆盘形，基片支架的中心设置有带动基片支架旋转的旋转轴。
所述的基片支架的中心还设置有膜厚检测探头，该膜厚检测探头与设置在真空室外部的膜厚监测装置电连接。
所述的基片支架上还设置有对基片进行加热的加热装置。
本实用新型的技术方案具有如下优点：
本实用新型所述的具有离子和电子定向部件的二氧化硅蒸镀装置利用电离装置释放带电的离子，并将带电的离子加速射向基片，使附着在基片上的蒸发物质致密化，同时利用电子释放装置释放电子，中和附着在基片表面和蒸镀装置内壁上的离子，从而提高了成膜的质量，同时避免了原料的浪费。另外，由于设置有离子定向部件，使得电离装置释放的带电离子的密度变大，有效地提高了蒸发物质致密化的效果；由于设置有电子定向部件，向目标方向释放的电子数量变多，偏离目标方向的散逸电子的数量减少，提高了中和效果。
附图说明
图1是本实用新型所述的具有离子和电子定向部件的二氧化硅蒸镀装置的结构示意图。
具体实施方式
以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
如图1所示，本实用新型所述的具有离子和电子定向部件的二氧化硅蒸镀装置包括真空室10，真空室10的内壁30围成真空腔，真空腔的顶部设置有基片支架12，基片支架12的底部设置有多个基片14，真空室的侧面设置有侧孔31，该侧孔31中设置有电子释放装置40；真空腔的底部设置有第一电子束蒸发装置36、电离装置38和第二电子束蒸发装置34，第一电子束蒸发装置36的上方设置有第一挡板36a，电离装置38的上方设置有电离挡板38a，第二电子束蒸发装置34的上方设置有第二挡板34a；在电离挡板38a的上方设置有筒状的离子定向部件50；在电子释放装置40的前方设置有筒状的电子定向部件52。
筒状的离子定向部件50和筒状的电子定向部件52均为不锈钢制成的筒状部件。
所述的基片支架12的底部呈弧状圆盘形，基片支架12的中心设置有带动基片支架12旋转的旋转轴。
所述的基片支架12的中心还设置有膜厚检测探头18，该膜厚检测探头18与设置在真空室外部的膜厚监测装置19电连接。
所述的基片支架12上还设置有对基片进行加热的加热装置。
本实用新型所述的具有离子和电子定向部件的二氧化硅蒸镀装置在运行时，首先，在真空室10内的基片支架12上安放基片14，使真空室10内的压力维持在规定的范围内。使基片支架12以规定的转数旋转，同时利用未图示的电加热器将基片14的温度加热到规定温度。真空室10内事先充满氩气。
接下来，电离装置38使氩气电离，释放出带电的氩离子，通过加速电压加速射向基片，第一电子束蒸发装置36和第二电子束蒸发装置34通过电子束加热的方式对二氧化硅进行加热使其蒸发，交替地打开和关闭第一挡板36a、电离挡板38a和第二挡板34a，使蒸发的二氧化硅交替地朝向基片14放出。在放出蒸发的二氧化硅的期间，电离挡板38a的打开释放出的带电的氩离子与基片14发生碰撞，从而使附着在基片14上的二氧化硅薄膜致密化。通过反复打开和关闭第一挡板36a、电离挡板38a和第二挡板34a，进行规定的次数而在基片14上形成多层膜。
由于带电的氩离子与基片14发生碰撞，在基片支架上会发生电荷的偏移。本实用新型所述的具有离子和电子定向部件的二氧化硅蒸镀装置利用电子释放装置40释放电子，中和附着在基片支架、基片表面和蒸镀装置内壁上的离子，避免蒸发的二氧化硅附着在蒸镀装置的内壁上，也避免基片支架、基片表面和蒸镀装置内壁上发生电位结构变化，影响成膜质量。
由于设置有离子定向部件，使得电离装置释放的带电离子的密度变大，有效地提高了二氧化硅薄膜致密化的效果；由于设置有电子定向部件，向目标方向释放的电子数量变多，偏离目标方向的散逸电子的数量减少，提高了中和效果。
膜厚检测探头18随着表面附着的膜的厚度变化而使共振频率发生变化，根据共振频率的变化可以在膜厚监测装置上显示出物理膜厚。
虽然，上文中已经用一般性说明及具体实施例对本实用新型作了详尽的描述，但在本实用新型基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本实用新型精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本实用新型要求保护的范围。