1.一种气源，包括用于盛放液源的腔体和用于加热所述液源的加热装置，其特征在于，所述加热装置包括加热件和棒状热电偶，其中，
所述加热件用于加热所述液源；
所述棒状热电偶自所述腔体的外部贯穿所述腔体，并延伸至所述液源中，用于直接检测所述液源的温度。
2.根据权利要求1所述的气源，其特征在于，所述棒状热电偶自所述腔体的顶部垂直地延伸至所述液源中；
在所述棒状热电偶位于所述腔体中的部分设置有多个温度感应点，多个所述温度感应点沿垂直方向间隔设置，每个所述温度感应点用于检测所在深度的温度。
3.根据权利要求1或2所述的气源，其特征在于，所述棒状热电偶包括棒状主体，所述棒状主体自所述腔体的顶部垂直地延伸至所述液源中；并且，在所述棒状主体的上端设置有接头，用于与所述腔体密封连接。
4.根据权利要求1所述的气源，其特征在于，所述加热件包括加热棒，所述加热棒自所述腔体的顶部垂直地延伸至所述液源中。
5.根据权利要求4所述的气源，其特征在于，所述加热棒的下端与所述腔体的底部之间具有间距；所述间距的取值范围在4～5mm。
6.根据权利要求4所述的气源，其特征在于，所述加热棒为多个，且以所述腔体的竖直轴线为中心对称分布。
7.根据权利要求4所述的气源，其特征在于，在所述加热棒上设置有法兰，所述法兰设置在所述腔体的顶部，且所述法兰与所述腔体固定连接。
8.根据权利要求1所述的气源，其特征在于，所述气源还包括控制单元，所述控制单元用于接收来自所述棒状热电偶检测的所述液源的温度，并根据该温度控制所述加热件的加热功率。
9.根据权利要求4所述的气源，其特征在于，在所述腔体的外周壁上环绕设置有第一保温带，且在所述腔体的底部设置有第二保温带，所述第一保温带和所述第二保温带用于对所述腔体进行保温。
10.一种半导体加工设备，包括反应腔室和用于向所述反应腔室内输送工艺气体的气源，其特征在于，所述气源采用权利要求1-9任意一项所述的气源。