本实用新型涉及磁控溅射设备领域，具体地说就是一种新型磁控溅射镀膜遮罩板。
背景技术：
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磁控溅射是物理气相沉积的(Physical Vapor Deposition, PVD)的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，而上世纪70年代发展起来的磁控溅射法更是实现高速、低温、低损失。因为是在低温下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对电子的束缚来提高等离子体密度以增加溅射率。
膜层的均匀性是一个相当重要的性能指标，被氢离子溅射出的靶材原子,遵从一定的角分布。也就是所有飞出的原子并非是完全沿着靶面的法线方向,而是沿任何一个方向都存在一定的几率。溅射出的原子的角分布所遵从的统计规律,按照溅射的蒸发理论所提出的余弦分布可以作为一种模型,而溅射镀膜，更多的情况下溅射出的原子的角分布不完全遵从余弦规律，为了改善薄膜的均匀性，经常使用遮罩板来控制。
如图1所示，将阴极4与靶材5位于一对遮罩板的横向板上侧，而基片6位于横向板下侧，在靶材5与基片6之间设有等离子体7。在镀膜过程中，膜层除了沉积在基片上以外，同时也沉积在遮罩板的上表面上，随着膜层沉积越来越多，遮罩板上的膜层越来越厚，膜层的附着力会越来越差，这样遮罩板需要及时去进行表面处理，把其沉积膜层去掉，其处理过程也是一个比较复杂的过程，如常规的遮罩板处理过程：分解遮罩板--->硝酸浸泡--->超高压洗--->纯水浸泡--->预干燥--->喷砂--->去毛刺--->熔射（如客户需要）---->检查矫正--->检测--->高压水洗--->纯水超声波清洗---->无尘室干燥--->检测--->真空包装。因此，遮罩板的处理费用也较高，这也就增加了生产的成本。
因此，如何在现有的设备上，延长遮罩板的更换时间同时又不影响产品的质量，从而实现降低产品成本，进而提高企业的竞争力，成为了企业技术工作者所面临的问题。
技术实现要素：
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本实用新型就是为了克服现有技术中的不足，提供一种新型磁控溅射镀膜遮罩板。
本实用新型提供以下技术方案：
一种新型磁控溅射镀膜遮罩板，它包括横向板，在横向板端部的一侧设有第一纵向板，在第一纵向板设有第一螺孔，设置螺栓通过螺栓将第一纵向板与磁控溅射设备的机架连接在一起,其特征在于：在所述的横向板端部的另一侧设有第二纵向板，在第二纵向板设有与磁控溅射设备的机架对应配合的第二螺孔。
在上述技术方案的基础上，还可以有以下进一步的技术方案：
所述的第一纵向板和第二纵向板为对称分布，且均与横向板板面垂直。
所述的第一纵向板和第二纵向板为分体制成或一体制成结构。
实用新型优点：
本实用新型结构简单、使用方便、便于在现有设备上改造，且改造费用低廉，
有效的降低了产品的制造成本，增强企业的竞争力。
附图说明：
图1是现有技术的结构示意图；
图2是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式：
如图2所示，一种新型磁控溅射镀膜遮罩板，它包括水平分布的横向板1，在横向板1外侧端部上侧竖直设有第一纵向板2，在第一纵向板2设有与磁控溅射设备的机架8对应配合的第一螺孔2a。设置螺栓2b，将螺栓2b插入第一螺孔2a以及机架上的安装孔，将第一纵向板2固定在机架8上。
在所述的横向板1外侧端部的下侧竖直设有第二纵向板3，在第二纵向板3也设有能与磁控溅射设备的机架对应配合的第二螺孔3a。
所述的第一纵向板2和第二纵向板3为对称分布，且均与横向板1板面垂直，使得由横向板1、第一纵向板2以及第二纵向板3构成的遮罩板整体成T字形结构。
所述的第一纵向板和第二纵向板为分体制成或一体制成结构。
工作时：
在第一螺孔2a穿设螺栓2b，将第一纵向板2固定在机架8上（需要注意安装遮罩板时，第二纵向板的底端与基板上表面之间设有一定的水平高度差，使得基板在磁控溅射带动旋转时不会撞击到第二纵向板）。这时基板6位于横向板1的下方，而阴极4与靶材5位于横向板1的上方，离子体7位于靶材5与基板6之间。在镀膜过程中，膜层除了沉积在基片上表面以外，同时也沉积在横向板1的上表面上。待膜层沉积过多需要处理时，松掉螺栓2b将T字形遮罩板翻转180°，通过螺栓2b将第二纵向板3固定在机架8上，这时其上沉积了过多的原横向板1的上表面就会翻转到下方，而后没有膜层沉积的原横向板1的下表面就会翻转到下方，以便继续生产。
通过上述设置使得遮罩板从只具有单面阻挡溅射出的原子的功能，变为可以双面阻挡溅射出的原子的功能，显著的提升了遮罩板使用时间，大幅的降低了生产成本，明显的提升了产品的市场竞争力。