技术特征：
技术总结
本发明涉及一种金属氧化物透明导电薄膜的制备方法及其产品和用途，所述制备方法包括如下步骤：(1)向反应腔中通入第一金属前驱体，清洗，通入H2O气体进行化学吸附，然后通入惰性气体辅助等离子体起辉，原位氧化，清洗；(2)将步骤(1)重复N1次后，得到第一金属氧化物膜；(3)通入第二金属前驱体，清洗，通入H2O气体进行化学吸附，然后通入惰性气体辅助等离子体起辉，原位氧化，清洗；(4)将步骤(3)重复N2次后，得第二金属氧化物膜；(5)将步骤(1)～(4)重复M次，得金属氧化物透明导电薄膜；其中，N1:N2＝(14～21):(1～4)，M＝10～40。实现了低温下制备低电阻率的金属氧化物透明导电膜。
技术研发人员：徐苗;李民;张伟;阮崇鹏;陶洪;邹建华;王磊;彭俊彪
受保护的技术使用者：华南理工大学
技术研发日：2018.04.27
技术公布日：2018.09.14