一种在半导体硅器件上化学镀Ni、Au的工艺的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明涉及一种在半导体硅器件上化学镀Ni、Au的工艺；其工艺步骤包括配制镀镍液、配置镀金液、氯化金活化液配置、一次镀镍、镍烧结、硝酸处理、二次镀镍和镀金；采用本发明的方法在半导体硅器件上形成的Ni、Au镀层，其镀层金属细腻、均匀，镀层金属颗粒小且致密，镀层粘附性好。

技术研发人员：张志向;任雄;张晶辉;蒋宇飞
受保护的技术使用者：天水天光半导体有限责任公司
技术研发日：2018.05.30
技术公布日：2018.09.04