1.一种高通量PECVD装置，其特征在于，包括：
反应腔室；
设置于反应腔室内的沉积台，沉积台的沉积表面分立有多个独立的沉积微区，每个所述沉积微区的温度独立可调；
每个所述沉积微区分别对应有一等离子体激发单元，每个所述等离子体激发单元分别包括一反应气体导入通道。
2.根据权利要求1所述的高通量PECVD装置，其特征在于，所述沉积微区通过气体屏蔽罩进行分立。
3.根据权利要求2所述的高通量PECVD装置，其特征在于，所述气体屏蔽罩上下位移可调。
4.根据权利要求1所述的高通量PECVD装置，其特征在于，所述沉积台在水平和竖直方向位移可调；所述沉积台温度可调。
5.根据权利要求4所述的高通量PECVD装置，其特征在于，每个所述沉积微区的温度通过等离子体激发单元单独加热控制，或
通过等离子体激发单元和沉积台共同加热控制。
6.根据权利要求1所述的高通量PECVD装置，其特征在于，所述等离子体激发单元在沉积微区表面产生射流微波等离子体。
7.根据权利要求1所述的高通量PECVD装置，其特征在于，所述等离子体激发单元在沉积微区表面产生ICP等离子体。
8.根据权利要求1所述的高通量PECVD装置，其特征在于，所述等离子体激发单元在沉积微区表面产生CCP等离子体。
9.根据权利要求1所述的高通量PECVD装置，其特征在于，所述沉积微区的尺寸在3～20mm。