高通量PECVD装置的制作方法

文档序号:16563084发布日期:2019-01-13 16:04阅读:来源:国知局
技术总结
本实用新型公开了一种高通量PECVD装置,包括:反应腔室;设置于反应腔室内的沉积台,沉积台的沉积表面分立有多个独立的沉积微区,每个所述沉积微区的温度独立可调;每个所述沉积微区分别对应有一等离子体激发单元,每个所述等离子体激发单元分别包括一反应气体导入通道。实用新型本实用新型通过一次实验可以实现几十个或上百个工艺条件的研究,大大加快试验效率,加快新材料和工艺的开发和筛选;大大提高衬底材料的利用率,减少成本;大大减少新材料和新工艺的开发时间和开发成本,加速新材料的开发进程和应用。

技术研发人员:项晓东;邬苏东;张欢;杨熹;盛江;叶继春
受保护的技术使用者:宁波英飞迈材料科技有限公司;中国科学院宁波材料技术与工程研究所
技术研发日:2018.05.18
技术公布日:2019.01.11

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