物的摩尔百分数为1%，在1250°C下烧结成直径为50mm,厚度为2mm的CdO:0.0lGa3+陶瓷祀材，并将祀材装入脉冲激光沉积室的腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0 X 10_5Pa，気气的工作气体流量为lOsccm，压强调节为3Pa，衬底温度为250°C，脉冲激光能量为300mJ。先溅射CdO:0.0lGa3+的靶材，得到纳米线结构的CdO:0.0lGa3+薄膜，厚度为80nm，纳米直径为30nm,接着在CdO:0.0lGa3+薄膜层表面蒸镀Sm2O3薄膜层，蒸镀速率为5nm/s，蒸镀时间2s，蒸镀压强5.0X 10_4Pa，温度为750°C，得到Sm2O3薄膜层，厚度为10nm，在衬底上得到CdO:0.0lGa3+-Sm2O3双层的透明导电薄膜作为有机半导体器件的阴极，发光层采用Alq3，阳极采用 AZO。
[0083]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻范围15Ω/ □，表面功函数
2.6eV,使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为300?800nm薄膜在可见光470nm?790nm波长范围内平均透过率已经达到91%。
[0084]实施例6
[0085]选用CdO和Ga2O3粉体混合物，其中，Ga2O3占混合物的摩尔百分数为8%，在1300°C下烧结成直径为50mm,厚度为2mm的CdO:0.08Ga3+陶瓷祀材，并将祀材装入脉冲激光沉积室的腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0 X 10_3Pa，気气的工作气体流量为40SCCm，压强调节为30Pa，衬底温度为7500°C，脉冲激光能量为80mJ。先溅射CdO:0.08Ga3+的靶材，得到纳米线结构的CdO:0.08Ga3+薄膜，厚度为400nm，纳米直径为200nm，接着在CdO:0.08Ga3+薄膜层表面蒸镀Sm2O3薄膜层，蒸镀速率为0.3nm/s,蒸镀时间1.7s,蒸镀压强5.0 X 10?,温度为660°C，得到Sm2O3薄膜层，厚度为0.5nm,在衬底上得到CdO:0.0SGa3+-Sm2O3双层的透明导电薄膜作为有机半导体器件的阴极，发光层采用Alq3,阳极采用AZO。
[0086]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻范围20Ω/ □，表面功函数
3.0eV,使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为300?800nm薄膜在可见光470nm?790nm波长范围内平均透过率已经达到89%。
[0087]实施例7
[0088]选用CdO和In2O3粉体混合物，其中，Ga2O3占混合物的摩尔百分数为4%，在1250°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的CdO:0.041η3+陶瓷靶材，并将靶材装入脉冲激光沉积室的腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5.0X 10_4Pa，気气的工作气体流量为20SCCm，压强调节为lOPa，衬底温度为500°C，脉冲激光能量为150mJ。先溅射CdO:0.041η3+的靶材，得到纳米线结构的CdO:0.041η3+薄膜，厚度为220nm，纳米直径为120nm，接着在CdO:0.041η3+薄膜层表面蒸镀Y2O3薄膜层，蒸镀速率为lnm/s，蒸镀时间5s，蒸镀压强8.0 X 10_4Pa，温度为800°C，得到Y2O3薄膜层，厚度为5nm，在衬底上得到CdO:0.(MIn3+-Y2O3双层的透明导电薄膜作为有机半导体器件的阴极，发光层采用Alq3,阳极采用AZO。
[0089]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻范围12Ω/ □，表面功函数
2.4eV,使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为300?800nm薄膜在可见光470nm?790nm波长范围内平均透过率已经达到90%。
[0090]实施例8
[0091]选用CdO和In2O3粉体混合物，其中，In2O3占混合物的摩尔百分数为1%，在1250°C下烧结成直径为50mm,厚度为2mm的CdO:0.0lIn3+陶瓷祀材，并将祀材装入脉冲激光沉积室的腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0X 10_5Pa，気气的工作气体流量为lOsccm，压强调节为3Pa，衬底温度为250°C，脉冲激光能量为300mJ。先溅射CdO:0.0lIn3+的靶材，得到纳米线结构的CdO:0.0lIn3+薄膜，厚度为80nm，纳米直径为30nm，接着在CdO:0.0lIn3+薄膜层表面蒸镀Y2O3薄膜层，蒸镀速率为5nm/s，蒸镀时间2s，蒸镀压强5.0 X 10_4Pa，温度为800°C，得到Y2O3薄膜层，厚度为10nm，在衬底上得到CdO:0.01In3+-Y203双层的透明导电薄膜作为有机半导体器件的阴极，发光层采用Alq3,阳极采用 ΑΖΟ。
[0092]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻范围15Ω/ □，表面功函数
2.6eV,使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为300?800nm薄膜在可见光470nm?790nm波长范围内平均透过率已经达到91%。
[0093]实施例9
[0094]选用CdO和In2O3粉体混合物，其中，In2O3占混合物的摩尔百分数为8%，在1300°C下烧结成直径为50mm,厚度为2mm的CdO:0.08In3+陶瓷祀材，并将祀材装入脉冲激光沉积室的腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0X 10_3Pa，気气的工作气体流量为40SCCm，压强调节为30Pa，衬底温度为7500°C，脉冲激光能量为80mJ。先溅射CdO:0.08In3+的靶材，得到纳米线结构的CdO:0.08In3+薄膜，厚度为400nm，纳米直径为200nm，接着在CdO:0.081η3+薄膜层表面蒸镀Y2O3薄膜层，蒸镀速率为0.3nm/s，蒸镀时间1.7s，蒸镀压强5.0X 10_3Pa，温度为700°C，得到Y2O3薄膜层，厚度为0.5nm，在衬底上得到CdO:0.0SIn3+-Y2O3双层的透明导电薄膜作为有机半导体器件的阴极，发光层采用Alq3,阳极采用AZO。
[0095]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻范围19Ω/ □，表面功函数
2.7eV,使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为300?800nm薄膜在可见光470nm?790nm波长范围内平均透过率已经达到86%。
[0096]实施例10
[0097]选用CdO和In2O3粉体混合物，其中，Ga2O3占混合物的摩尔百分数为4%，在1250°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的CdO:0.041η3+陶瓷靶材，并将靶材装入脉冲激光沉积室的腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5.0X 10_4Pa，気气的工作气体流量为20SCCm，压强调节为lOPa，衬底温度为500°C，脉冲激光能量为150mJ。先溅射CdO:0.041η3+的靶材，得到纳米线结构的CdO:0.041η3+薄膜，厚度为220nm，纳米直径为120nm，接着在CdO:0.041η3+薄膜层表面蒸镀Gd2O3薄膜层，蒸镀速率为lnm/s，蒸镀时间5s，蒸镀压强8.0X10_4Pa，温度为700°C，得到Gd2O3薄膜层，厚度为5nm，在衬底上得到CdO:0.(MIn3+-Gd2O3双层的透明导电薄膜作为有机半导体器件的阴极，发光层采用Alq3,阳极采用AZO。
[0098]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻范围23Ω/ □，表面功函数
3.2eV,使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为300?800nm薄膜在可见光470nm?790nm波长范围内平均透过率已经达到85%。
[0099]实施例11
[0100]选用CdO和In2O3粉体混合物，其中，In2O3占混合物的摩尔百分数为1%，在1250°C下烧结成直径为50mm,厚度为2mm的CdO:0.0lIn3+陶瓷祀材，并将祀材装入脉冲激光沉积室的腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0 X 10_5Pa，気气的工作气体流量为lOsccm，压强调节为3Pa，衬底温度为250°C，脉冲激光能量为300mJ。先溅射CdO:0.0lIn3+的靶材，得到纳米线结构的CdO:0.0lIn3+薄膜，厚度为80nm，纳米直径为30nm，接着在CdO:0.0lIn3+薄膜层表面蒸镀Gd2O3薄膜层，蒸镀速率为5nm/s，蒸镀时间2s，蒸镀压强5.0X 1+4Pa,温度为600°C，得到Gd2O3薄膜层，厚度为10nm，在衬底上得到CdO:0.0lIn3+-Gd2O3双层的透明导电薄膜作为有机半导体器件的阴极，发光层采用Alq3，阳极采用 AZO。
[0101]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻范围20Ω/ □，表面功函数
2.8eV,使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为300?800nm薄膜在可见光470nm?790nm波长范围内平均透过率已经达到86%。
[0102]实施例12
[0103]选用CdO和In2O3粉体混合物，其中，In2O3占混合物的摩尔百分数为8%，在1300°C下烧结成直径为50mm,厚度为2mm的CdO:0.08In3+陶瓷祀材，并将祀材装入脉冲激光沉积室的腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0 X 10_3Pa，気气的工作气体流量为40SCCm，压强调节为30Pa，衬底温度为7500°C，脉冲激光能量为80mJ。先溅射CdO:0.08In3+的靶材，得到纳米线结构的CdO:0.08In3+薄膜，厚度为400nm，纳米直径为200nm，接着在CdO:0.081η3+薄膜层表面蒸镀Gd2O3薄膜层，蒸镀速率为0.3nm/s,蒸镀时间1.7s，蒸镀压强5.0 X 10?,温度为800°C，得到Gd2O3薄膜层，厚度为0.5nm,在衬底上得到CdO:0.0SIn3+-Gd2O3双层的透明导电薄膜作为有机半导体器件的阴极，发光层采用Alq3