导电薄膜、其制备方法及应用的制作方法
【专利摘要】一种导电薄膜，包括层叠的GAZO层及ReO3层，其中，GAZO层是含氧化镓，氧化铝和氧化锌的薄膜层，具有较高的透光率和低的电阻，薄膜做成纳米线的集合，相对于普通的透明导电薄膜，提高了有机电致发光器件的出光效率。上述导电薄膜通过在GAZO层的表面沉积三氧化铼层制备双层导电薄膜，该薄膜具有较高的表面功函数，可降低器件的启动电压，提高发光效率。本发明还提供一种导电薄膜的制备方法及应用。
【专利说明】导电薄膜、其制备方法及应用
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基板、其制备方法及有机电致发光器件。
【背景技术】
[0002]导电薄膜电极是有机电致发光器件(OLED)的基础构件，其性能的优劣直接影响着整个器件的发光效率。其中，透明导电薄膜是把光学透明性能与导电性能复合在一体的光电材料，由于其具有优异的光电特性，成为近年来的研究热点和前沿课题，可广泛应用于太阳能电池，LED，TFT，LCD及触摸屏等屏幕显示领域。随着器件性能要求的提高，用于作为器件阳极的透明导电膜的性能也在要求提高。对于器件出光效率的需要，很多研究机构都在设法在阳极与基板之间插入散射层。
[0003]高性能的器件，还要求阳极有较高的表面功函数，使其与其他功能层的能级相匹配，降低势垒，提高载流子注入效率，最终达到高的电光效率。
【发明内容】
[0004]基于此，有必要提供一种功函数较高的导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基板、其制备方法及有机电致发光器件。
[0005]一种导电薄膜，包括层叠的GAZO层及ReO3层，其中，GAZO层为氧化镓，氧化铝和氧化锌掺杂的薄膜层。
[0006]一种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤:`[0007]将GAZO靶材、ReO3靶材及衬底装入脉冲激光沉积设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X 10_3Pa~l.0X 10_5Pa，GAZO靶材为氧化镓，氧化铝和氧化锌掺杂靶材；
[0008]在所述衬底表面沉积GAZO层，沉积所述GAZO层的工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，工作气体的流量为10sccnT40sccm，衬底温度为 250°C "750°C ；
[0009]在所述GAZO层表面沉积ReO3层，沉积所述GAZO层的工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，工作气体的流量为10sccnT40sccm，衬底温度为 250°C "750°C ;及
[0010]剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。
[0011]在其中一个实施例中，所述GAZO层的厚度为50nnT300nm，所述ReO3层的厚度为3nm~20nmo
[0012]在其中一个实施例中，所述GAZO靶材由以下步骤得到:按照各组份摩尔比为(0.1~10): (0.3~15):(75~99.6)将Ga2O3, Al2O3和ZnO粉体混合均匀，将混合均匀的粉体在9000C~1300°C下烧结制成靶材。
[0013]在其中一个实施例中，所述ReO3靶材由以下步骤得到:将ReO3粉体在7000C~1100°C下烧结制成靶材。[0014]一种有机电致发光器件的基板，包括依次层叠的衬底、GAZO层及ReO3层，其中，GAZO层为氧化镓，氧化铝和氧化锌掺杂的薄膜层。
[0015]一种有机电致发光器件的基板的制备方法，包括以下步骤:
[0016]将GAZO靶材、ReO3靶材及衬底装入脉冲激光沉积设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X 10_3Pa~l.0X 10_5Pa，GAZO靶材为氧化镓，氧化铝和氧化锌掺杂靶材；
[0017]在所述衬底表面沉积GAZO层，沉积所述GAZO层的工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，工作气体的流量为10sccnT40sccm，衬底温度为 250°C "750°C ;及
[0018]在所述GAZO层表面沉积ReO3层，沉积所述ReO3层的工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，工作气体的流量为IOsccm~40sccm,衬底温度为 25CTC ~750°C。
[0019]在其中一个实施例中，所述GAZO靶材由以下步骤得到:按照各组份摩尔比为(0.1~10): (0.3~15):(75~99.6)将Ga2O3, Al2O3和ZnO粉体混合均匀，将混合均匀的粉体在9000C~1300°C下烧结制成靶材。
[0020]在其中一个实施例中，所述ReO3靶材由以下步骤得到:将ReO3粉体在7000C~1100°C下烧结制成靶材。[0021]一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，所述阳极包括层叠的衬底、GAZO层及1^03层，其中，GAZO层为氧化镓，氧化铝和氧化锌掺杂的薄膜层。
[0022]上述导电薄膜通过在GAZO层的表面沉积三氧化铼薄膜制备双层导电薄膜，导电薄膜做成纳米线的集合，具有较高的表面功函数，又能保证高的透光，有利于器件的出光效率提高，导电薄膜在47(T790nm长范围可见光透过率85%~91%，方块电阻范围12~73 Ω/ 口，表面功函数4.8^5.6eV ;上述导电薄膜的制备方法，使用脉冲激光沉积设备即可连续制备GAZO层及ReO3层，工艺较为简单；使用该导电薄膜作为有机电致发光器件的阳极，导电薄膜的表面功函数与一般的有机发光层的HOMO能级之间差距较小，降低了载流子的注入势垒，可显著的提高发光效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]图1为一实施方式的导电薄膜的结构示意图；
[0024]图2为一实施方式的有机电致发光器件的基板的结构不意图；
[0025]图3为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
[0026]图4为实施例1制备的导电薄膜的透射光谱图；
[0027]图5为实施例1制备的导电薄膜的电镜扫描图；
[0028]图6为实施例1制备的电致发光器件与对比例比较的亮度与电压关系曲线。【具体实施方式】
[0029]下面结合附图和具体实施例对导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基板、其制备方法及有机电致发光器件进一步阐明。
[0030]请参阅图1，一实施方式的导电薄膜100包括层叠的GAZO层30及ReO3层10，其中，GAZO层30为氧化镓，氧化铝和氧化锌掺杂的薄膜层。[0031]GAZO 层 30 的厚度为 50nnT300nm，优选为 150nm。
[0032]ReO3 层 10 的厚度为 3nnT20nm，优选为 8nm。
[0033]上述导电薄膜100通过在GAZO层30的表面沉积ReO3层10薄膜制备双层导电薄膜，这样制备的双层导电薄膜既能保持良好的导电性能，又使导电薄膜100的功函数得到了显著的提高，导电薄膜100在47(T790nm波长范围可见光透过率85%~91%，方块电阻范围12 Ω / □~73 Ω / □，表面功函数 4.8eV~5.6eV。
[0034]上述导电薄膜100的制备方法，包括以下步骤:
[0035]SI 10、将GAZO靶材、ReO3靶材及衬底装入脉冲激光沉积设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X 10_3Pa~l.0X 10_5Pa，GAZO靶材为氧化镓，氧化铝和氧化锌掺杂靶材。
[0036]本实施方式中，GAZO靶材由以下步骤得到:按照各组份摩尔比为(0.1~10):(0.3^15):(75^99.6)将Ga2O3, Al2O3和ZnO粉体混合均匀，将混合均匀的粉体在9000C~1300°C下烧结制成靶材。
[0037]ReO3靶材由以下步骤得到=ReO3靶材由以下步骤得到:将ReO3粉体在7000C~1100°C下烧结制成靶材。
[0038]衬底为玻璃衬底。优选的，衬底在使用前用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗。
[0039]本实施方式中，真空腔体的真空度优选为5X10_4Pa。
[0040]步骤S120、在衬底表面沉积GAZO层30，沉积所述GAZO层30的工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，工作气体的流量为IOsccm~40sccm,衬底温度为 25CTC ~750°C。
[0041]优选的，基靶间距为60mm，脉冲激光功率为150W，工作压强10Pa，工作气体为氩气，工作气体的流量为20SCCm，衬底温度为500°C。
[0042]形成的GAZO层30的厚度为50nnT300nm，优选为150nm。
[0043]步骤S 130、在所述GAZO层30表面沉积ReO3层10，沉积所述ReO3层10的工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，工作气体的流量为10sccnT40sccm，衬底温度为250°C~750°C。
[0044]优选的，基靶间距为60mm，脉冲激光功率为150W，工作压强lOPa，工作气体为氩气，工作气体的流量为20SCCm，衬底温度为500°C。
[0045]形成的ReO3层10的厚度为3nnT20nm,优选为8nm。
[0046]步骤S140、剥离衬底，得到导电薄膜100。
[0047]上述导电薄膜的制备方法，仅仅使用脉冲激光沉积设备即可连续制备GAZO层30及ReO3层10，工艺较为简单。
[0048]请参阅图2,—实施方式的有机电致发光器件的基板200,包括层叠的衬底201、GAZO层202及ReO3层203，其中，GAZO层202为氧化镓，氧化铝和氧化锌掺杂的薄膜层。
[0049]衬底201为玻璃衬底。
[0050]GAZO 层 202 的厚度为 50nnT300nm，优选为 150nm。
[0051]ReO3层203的厚度为3nm~20nm,优选为8nm。
[0052]上述有机电致发光器件的基板200通过在GAZO层202的表面沉积ReO3层203，既能保持良好的导电性能，又使有机电致发光器件的基板200的功函数得到了显著的提高。[0053]上述有机电致发光器件的基板200的制备方法，包括以下步骤:
[0054]S210、将GAZO靶材、ReO3靶材及衬底装入脉冲激光沉积设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X 10_3Pa~l.0X 10_5Pa，GAZO靶材为氧化镓，氧化铝和氧化锌掺杂靶材。
[0055]本实施方式中，GAZO靶材由以下步骤得到:按照各组份摩尔比为(0.1-10):(0.3^15):(75^99.6)将Ga2O3, Al2O3和ZnO粉体混合均匀，将混合均匀的粉体在9000C~1300°C下烧结制成靶材。
[0056]ReO3靶材由以下步骤得到=ReO3靶材由以下步骤得到:将ReO3粉体在7000C~1100°C下烧结制成靶材。
[0057]衬底为玻璃衬底。优选的，衬底在使用前用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗。[0058]本实施方式中，真空腔体的真空度优选为5X10_4Pa。
[0059]步骤S220、在衬底表面溅镀GAZO层202，溅镀GAZO层202的工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，工作气体的流量为IOsccm~40sccm,衬底温度为 25CTC ~750°C。
[0060]优选的，基靶间距为60mm，脉冲激光功率为150W，工作压强10Pa，工作气体为氩气，工作气体的流量为20SCCm，衬底温度为500°C。
[0061]形成的GAZO层202的厚度为50nnT300nm，优选为150nm。
[0062]步骤S230、在GAZO层202表面溅镀ReO3层203，溅镀ReO3层203的工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，工作气体的流量为IOsccm~40sccm,衬底温度为 25CTC ~750°C。
[0063]优选的，基靶间距为60mm，脉冲激光功率为150W，工作压强lOPa，工作气体为氩气，工作气体的流量为20SCCm，衬底温度为500°C。
[0064]形成的ReO3层203的厚度为3nnT20nm,优选为8nm。
[0065]上述有机电致发光器件的基板200的制备方法，使用脉冲激光沉积设备即可连续在衬底201上制备GAZO层202及ReO3层203，工艺较为简单。
[0066]请参阅图3，一实施方式的有机电致发光器件300包括依次层叠的衬底301、阳极302、发光层303以及阴极304。
[0067]阳极302由导电薄膜100制成，包括依次层叠的GAZO层及ReO3层，其中，GAZO层为氧化镓，氧化铝和氧化锌掺杂的薄膜层。
[0068]衬底301为玻璃衬底，可以理解，根据有机电致发光器件300具体结构的不同，衬底301可以省略。发光层303材质为Alq3及阴极304的材质为银、金、铝、钼及镁铝合金等。
[0069]GAZO层的厚度为50nnT300nm,优选为150nm。ReO3层的厚度为3nnT20nm,优选为8nm。
[0070]可以理解，上述有机电致发光器件300也可根据使用需求设置其他功能层。
[0071]上述有机电致发光器件300，使用导电薄膜100作为有机电致发光器件的阳极，导电薄膜的表面功函数4.8^5.6eV,与一般的有机发光层的HOMO能级(典型的为5.7~
6.3eV)之间差距较小，降低了载流子的注入势垒，可提高发光效率。
[0072]下面为具体实施例。
[0073]实施例1[0074]选用3mol的Ga203、5mol的Al2O3和92mol的ZnO经过均匀混合后，在1250O下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的GAZO陶瓷靶材，ReO3粉体在1000°C条件下，制成直径为50mm,厚度为2mm的ReO3的陶瓷祀材,并将祀材装入脉冲激光沉积室的腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5.0X 10_4Pa，氩气的工作气体流量为20sccm,压强调节为10Pa，衬底温度为500°C，脉冲激光功率为150W。先后溅射GAZO和ReO3的靶材，分别沉积150nm和8nm的薄膜，在衬底上得到GAZO-ReO3双层的透明导电薄膜作为有机半导体器件的阳极，发光层采用Alq3,阴极采用Ag。
[0075]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻范围12Ω/ □，表面功函数测试仪测得表面功函数5.6eV。
[0076]请参阅图4，图4所示为得到的透明导电薄膜的透射光谱，使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为30(T800nm。由图4可以看出薄膜在可见光470nnT790nm波长范围内平均透过率已经达到88%。
[0077]请参阅图5，图5为实施例1制备的导电薄膜的电镜扫描图，由图可以看出纳米线的垂直基板生长，直径以3(Tl50nm为主。
[0078]请参阅图6，图6为实施例1制备的电致发光器件与对比例比较的亮度与电压关系曲线，由图6可以看出曲线I是实施例1制备的薄膜电致发光器件电压与亮度关系曲线，曲线2是对比例制备的薄膜电致发光器件电压与亮度关系曲线，可看出:纳米线状样品使器件的启动电压降低从5.3到4.6V，亮度提高从820至980cd/m2。
[0079]对比例
[0080]将3mol的Ga203`、5mol的Al2O3和92mol的ZnO粉体经过均匀混合后，在1250°C下烧结成尺寸为直径50，厚度为2mm的陶瓷靶材是圆饼的形状，并将靶材装入真空腔体内，将透明玻璃衬底，先后用甲苯、丙酮和乙醇超声清洗5分钟，然后用蒸馏水冲洗干净，并用对其进行氮气吹干，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为60_，用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽至5.0X10_4Pa ;采用氧气作为工作气流，工作气流量为15sCCm，压强调节为1.0Pa,衬底温度为500°C，脉冲激光能量150W，先后溅射GAZO和ReO3的靶材，分别沉积150nm和8nm的薄膜，在衬底上得到GAZO-ReO3I层的透明导电薄膜作为有机半导体器件的阳极，发光层米用Alq3,阴极米用Ag。
[0081]该方法是采用激光烧蚀靶材，使靶材中的氧化镓，氧化铝和氧化锌等材料被烧蚀成原子或离子团的粒子，粒子在基底上沉积的过程中，通过通入大量的惰性气体，使粒子钝化，在基板上分散成核，然后在各个成核点垂直生长，形成柱状的纳米线。纳米线的粗细和线间距可以通过调节通入惰性气体的量及压强来控制。理论上，通入惰性气体压强大的，得到的纳米线较细，线间距较大。
[0082]对比例是制备普通透明导电膜常用的工艺，通入氧气可使烧蚀出来的粒子活化，在衬底上成核直接横向生成成膜。
[0083]实施例2
[0084]选用0.1mol 的 Ga203、0.3mol 的 Al2O3 和 99.6mol 的 ZnO 经过均匀混合后，在 900°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的GAZO陶瓷靶材，ReO3粉体在700°C条件下，制成直径为50mm,厚度为2mm的ReO3的陶瓷祀材,并将祀材装入脉冲激光沉积室的腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为45mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0X 10_5Pa，氩气的工作气体流量为IOsccm,压强调节为3Pa，衬底温度为250°C，脉冲激光功率为300W。先后溅射GAZO和ReO3的靶材，分别沉积300nm和20nm的薄膜，得到GAZO-ReO3双层的透明导电薄膜作为有机半导体器件的阳极，发光层采用Alq3,阴极采用Ag。[0085]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻范围15Ω/ □，表面功函数5.2eV，使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为30(T800nm薄膜在可见光470nnT790nm波长范围内平均透过率已经达到91%。
[0086]实施例3
[0087]选用IOmol的Ga203、15mol的Al2O3和75mol的ZnO经过均匀混合后,在130CTC下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的GAZO陶瓷靶材，ReO3粉体在1100°C条件下，制成直径为50mm,厚度为2mm的ReO3的陶瓷祀材,并将祀材装入脉冲激光沉积室的腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为95mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到1.0X 10_5Pa，氩气的工作气体流量为40sccm,压强调节为30Pa，衬底温度为750°C，脉冲激光功率为80W。先后溅射GAZO和ReO3的靶材，分别沉积90nm和8nm的薄膜，在衬底上得到GAZO-ReO3双层的透明导电薄膜作为有机半导体器件的阳极，发光层采用Alq3,阴极采用Ag。
[0088]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻范围33Ω/ □，表面功函数4.9eV,使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为30(T800nm薄膜在可见光470nnT790nm波长范围内平均透过率已经达到90%。
[0089]实施例4
[0090]选用IOmol 的 Ga203、0.5mol 的 Al2O3 和 89.5mol 的 ZnO 经过均匀混合后，在 1000°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的GAZO陶瓷靶材，ReO3粉体在700°C条件下，制成直径为50mm,厚度为2mm的ReO3的陶瓷祀材,并将祀材装入脉冲激光沉积室的腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为60mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到5.0X 10_4Pa，氩气的工作气体流量为20sccm,压强调节为10Pa，衬底温度为500°C，脉冲激光功率为150W。先后溅射ReO3和GAZO的靶材，分别沉积200nm和15nm的薄膜，得到GAZO-ReO3双层的透明导电薄膜作为有机半导体器件的阳极，发光层采用Alq3,阴极采用Ag。
[0091]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻范围73Ω/ □，表面功函数
4.8eV，使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为30(T800nm薄膜在可见光470nnT790nm波长范围内平均透过率已经达到91%。
[0092]实施例5
[0093]选用0.1lmol的Ga2O3、0.01mol的Al2O3和0.88mol的ZnO经过均匀混合后，在1000°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的GAZO陶瓷靶材，ReO3粉体在800°C条件下，制成直径为50mm,厚度为2mm的ReO3的陶瓷祀材,并将祀材装入脉冲激光沉积室的腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为48mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到7.0 X 10_4Pa，氩气的工作气体流量为lOsccm，压强调节为8Pa，衬底温度为350°C，脉冲激光功率为250W。先后溅射GAZO和ReO3的靶材，分别沉积250nm和18nm的薄膜，得到GAZO-ReO3双层的透明导电薄膜作为有机半导体器件的阳极，发光层采用Alq3,阴极采用Ag。
[0094]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻范围30Ω/ □，表面功函数5.7eV，使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为30(T800nm薄膜在可见光470nnT790nm波长范围内平均透过率已经达到88%。
[0095]实施例6 [0096]选用0.08mol的Ga203、0.02mol的Al2O3和0.9mol的ZnO经过均匀混合后，在1100°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的GAZO陶瓷靶材，ReO3粉体在850°C条件下，制成直径为50mm,厚度为2mm的ReO3的陶瓷祀材,并将祀材装入脉冲激光沉积室的腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为52mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到9.0 X 10_4Pa，氩气的工作气体流量为lOsccm，压强调节为8Pa，衬底温度为380°C，脉冲激光功率为180W。先后溅射GAZO和ReO3的靶材，分别沉积155nm和14nm的薄膜，得到GAZO-ReO3双层的透明导电薄膜作为有机半导体器件的阳极，发光层采用Alq3,阴极采用Ag。
[0097]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻范围43Ω/ □，表面功函数
5.3eV，使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为30(T800nm薄膜在可见光470nnT790nm波长范围内平均透过率已经达到90%。
[0098]实施例7
[0099]选用0.03mol的Ga2O3、0.04mol的Al2O3和0.93mol的ZnO经过均匀混合后，在1150°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的GAZO陶瓷靶材，ReO3粉体在950°C条件下，制成直径为50mm,厚度为2mm的ReO3的陶瓷祀材,并将祀材装入脉冲激光沉积室的腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为48mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度抽到6.5 X 10_4Pa，氩气的工作气体流量为lOsccm，压强调节为6Pa，衬底温度为380°C，脉冲激光功率为120W。先后溅射GAZO和ReO3的靶材，分别沉积IlOnm和Ilnm的薄膜，得到GAZO-ReO3双层的透明导电薄膜作为有机半导体器件的阳极，发光层采用Alq3,阴极采用Ag。
[0100]测试结果:采用四探针电阻测试仪测得方块电阻范围52Ω/ □，表面功函数
5.0eV，使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为30(T800nm薄膜在可见光470nnT790nm波长范围内平均透过率已经达到90%。
[0101]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【权利要求】
1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的GAZO层及ReO3层,其中,GAZO层为氧化镓，氧化铝和氧化锌掺杂的薄膜层。
2.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 将GAZO靶材、ReO3靶材及衬底装入脉冲激光沉积设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X 10_3Pa~l.0X 10_5Pa，GAZO靶材为氧化镓，氧化铝和氧化锌掺杂靶材； 在所述衬底表面沉积GAZO层，沉积所述GAZO层的工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，惰性工作气体的流量为10sccnT40sccm，衬底温度为 250°C "750°C ； 在所述GAZO层表面沉积ReO3层，沉积所述ReO3层的工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，工作气体的流量为10sccnT40sccm，衬底温度为 250°C "750°C ； 剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。
3.根据权利要求2所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述GAZO层的厚度为50nm~300nm,所述ReO3层的厚度为3nm~20nm。
4.根据权利要求2所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述GAZO靶材由以下步骤得到:按照各组份摩尔比为(0.1-10):(0.3~15):(75~99.6)将Ga2O3, Al2O3和ZnO粉体混合均匀，将混合均匀的粉体在900°C~1300°C下烧结制成靶材。
5.根据权利要求2所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述ReO3靶材由以下步骤得到:将ReO3粉体在700°C~1100°C下烧结制成靶材。
6.—种有机电致发光器件的基板,其特征在于,包括依次层叠的衬底、GAZO层及ReO3层，其中，GAZO层为氧化镓，氧化铝和氧化锌掺杂的薄膜层。
7.一种有机电致发光器件的基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 将GAZO靶材、ReO3靶材及衬底装入脉冲激光沉积设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0X 10_3Pa~l.0X 10_5Pa，GAZO靶材为氧化镓，氧化铝和氧化锌掺杂靶材； 在所述衬底表面沉积GAZO层，沉积所述GAZO层的工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，工作气体的流量为10sccnT40sccm，衬底温度为 250°C "750°C ;及 在所述GAZO层表面沉积ReO3层，沉积所述ReO3层的工艺参数为:基靶间距为45mnT95mm，脉冲激光功率为80W~300W，工作压强3Pa~30Pa，工作气体的流量为IOsccm~40sccm,衬底温度为 25CTC ~750°C。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的基板的制备方法，其特征在于，所述GAZO革巴材由以下步骤得到:按照各组份摩尔比为(0.1~10): (0.3~15): (75~99.6)将Ga2O3,Al2O3和ZnO粉体混合均匀，将混合均匀的粉体在900°C~1300°C下烧结制成靶材。
9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件的基板的制备方法，其特征在于，所述ReO3靶材由以下步骤得到:将ReO3粉体在700°C~1100°C下烧结制成靶材。
10.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，其特征在于，所述阳极包括依次层叠的衬底、GAZO层及ReO3层，其中，GAZO层为氧化镓，氧化铝和氧化锌掺杂的薄膜层。
【文档编号】H05B33/00GK103668065SQ201210351628
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月20日 优先权日:2012年9月20日
【发明者】周明杰, 王平, 陈吉星, 黄辉 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司