导电薄膜、其制备方法及应用的制作方法
【专利摘要】一种导电薄膜，包括层叠的AZO层，Cu层及Pr2O3层。上述导电薄膜通过在AZO层的表面沉积导电层Cu层及高功函的Pr2O3层制备多层导电薄膜，既能保持AZO层的良好的导电性能，又使导电薄膜的功函数得到了显著的提高。本发明还提供一种导电薄膜的制备方法及应用。
【专利说明】导电薄膜、其制备方法及应用
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体光电材料，特别是涉及导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜 的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件。
【背景技术】
[0002] 导电薄膜电极是有机电致发光器件（0LED)的基础构件，其性能的优劣直接影响着 整个器件的发光效率。其中，氧化镉的掺杂半导体是近年来研究最广泛的透明导电薄膜材 料，具有较高的可见光透光率和低的电阻率。但要提高器件的发光效率，要求透明导电薄膜 阳极具有较高的表面功函数。而铝、镓和铟掺杂的氧化锌的功函数一般只有4. 3eV，经过UV 光辐射或臭氧等处理之后也只能达到4. 5?5. leV，与一般的有机发光层的HOMO能级(典型 的为5. 7?6. 3eV)还有比较大的能级差距，造成载流子注入势垒的增加，妨碍发光效率的 提1?。
【发明内容】
[0003] 基于此，有必要针对导电薄膜功函数较低的问题，提供一种功函数较高的导电薄 膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光 器件。
[0004] 一种导电薄膜，包括层叠的ΑΖ0层，Cu层及Pr203层。
[0005] 所述ΑΖ0层的厚度为50nm?150nm，所述Cu层的厚度为5nm?35nm，所述Pr20 3 层的厚度为〇· 5nm?5nm。
[0006] 一种导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：
[0007] 将ΑΖ0靶材、Cu靶材及Pr203靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中， 真空腔体的真空度为1. 〇X l(T5Pa?1. OX 10_3Pa ;
[0008] 在所述衬底表面溅镀ΑΖ0层，溅镀所述ΑΖ0层的工艺参数为：基靶间距为35mm? 90mm，溅射功率为60W?160W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?2Pa，工作气体的流量为 15sccm ?35sccm，衬底温度为 150°C?750°C ;
[0009] 在所述ΑΖ0层表面溅镀Cu层，溅镀所述Cu层的工艺参数为：基靶间距为35mm? 90mm，溅射功率为60W?160W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?2Pa，工作气体的流量为 15sccm ?35sccm，衬底温度为 150°C?750°C ;
[0010] 在所述Cu层表面溅镀Pr203层，溅镀所述Cu层的工艺参数为：基靶间距为 35mm?90mm，溅射功率为60W?160W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?2Pa，工作气体的流量为 15sccm?35sccm，衬底温度为150°C?750°C ;及 [0011] 剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。
[0012] 所述ΑΖ0靶材由以下步骤得到：将A1203和ZnO粉体混合均勻，A1A的摩尔百分数 为0. 1%?3%，将混合均匀的粉体在900°C?1350°C下烧结制成靶材。
[0013] 一种有机电致发光器件的基底，包括依次层叠的衬底、层叠的ΑΖ0层，Cu层及Pr20 3 层。
[0014] 所述ΑΖ0层的厚度为50nm?150nm，所述Cu层的厚度为5nm?35nm，所述Pr20 3 层的厚度为〇· 5nm?5nm。
[0015] 一种有机电致发光器件的基底的制备方法，包括以下步骤：
[0016] 将ΑΖ0靶材、Cu靶材及Pr203靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中， 真空腔体的真空度为1. ox l(T5Pa?1. OX 10_3Pa ;
[0017] 在所述衬底表面溅镀ΑΖ0层，溅镀所述ΑΖ0层的工艺参数为：基靶间距为35mm? 90mm，溅射功率为60W?160W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?2Pa，工作气体的流量为 15sccm ?35sccm，衬底温度为 150°C?750°C ;
[0018] 在所述ΑΖ0层表面溅镀Cu层，溅镀所述Cu层的工艺参数为：基靶间距为35mm? 90mm，溅射功率为60W?160W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?2Pa，工作气体的流量为 15sccm ?35sccm，衬底温度为 150°C?750°C ;
[0019] 在所述Cu层表面溅镀Pr203层，溅镀所述Cu层的工艺参数为：基靶间距为 35mm?90mm，溅射功率为60W?160W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?2Pa，工作气体的流量为 15sccm ?35sccm，衬底温度为 150°C?750°C。
[0020] 所述ΑΖ0靶材由以下步骤得到：将A1203和ZnO粉体混合均匀，A1 203的摩尔百分数 为0. 1%?3%，将混合均匀的粉体在900°C?1350°C下烧结制成靶材。
[0021] 一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，所述阳极包括层 置的ΑΖ0层，Cu层及Pr 203层。
[0022] 所述ΑΖ0层的厚度为50nm?150nm，所述Cu层的厚度为5nm?35nm，所述Pr20 3 层的厚度为〇· 5nm?5nm。
[0023] 上述导电薄膜通过在ΑΖ0层的表面沉积导电层Cu层及高功函的Pr203制备多层导 电薄膜，既能保持ΑΖ0层的良好的导电性能，又使导电薄膜的功函数得到了显著的提高，导 电薄膜在300?900nm波长范围可见光透过率82%?95%，方块电阻范围10?60 Ω/ 口， 表面功函数5. 8?6. OeV ;上述导电薄膜的制备方法，仅仅使用磁控溅射镀膜设备即可连续 制备ΑΖ0层，Cu层及Pr203层，工艺较为简单；使用该导电薄膜作为有机电致发光器件的阳 极，导电薄膜的表面功函数与一般的有机发光层的HOMO能级之间差距较小，降低了载流子 的注入势垒，可显著的提高发光效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0024] 图1为一实施方式的导电薄膜的结构示意图；
[0025] 图2为一实施方式的有机电致发光器件的基底的结构不意图；
[0026] 图3为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
[0027] 图4为实施例1制备的导电薄膜的透射光谱谱图；
[0028] 图5为器件实施例的电压与电流和亮度关系图。
【具体实施方式】
[0029] 下面结合附图和具体实施例对导电薄膜、其制备方法、使用该导电薄膜的有机电 致发光器件的基底、其制备方法及有机电致发光器件进一步阐明。
[0030] 请参阅图1，一实施方式的导电薄膜100包括层叠的ΑΖ0层10、Cu层20及Pr20 3 层30。
[0031] 所述ΑΖ0层10的厚度为50nm?150nm，优选为80nm。
[0032] 所述Cu层20的厚度为5nm?35nm，优选为25nm。
[0033] 所述Pr203层30的厚度为0· 5nm?5nm，优选为2nm。
[0034] 上述导电薄膜100通过在ΑΖ0层10的表面沉积导电层Cu层20及高功函的Pr20 3 层30制备多层导电薄膜，既能保持ΑΖ0层10的良好的导电性能，又使导电薄膜100的功函 数得到了显著的提高，导电薄膜100在300?900nm波长范围可见光透过率82%?95%，方 块电阻范围10?60 Ω / □，表面功函数5. 8?6. OeV。
[0035] 上述导电薄膜100的制备方法，包括以下步骤：
[0036] S110、将ΑΖ0靶材、Cu靶材及Pr203靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体， 其中，真空腔体的真空度为l.〇Xl(T 5Pa?1.0X10_3Pa。
[0037] 本实施方式中，所述ΑΖ0靶材由以下步骤得到：将A1203和ZnO粉体混合均匀，A1 203 的摩尔百分数为〇. 1%?3%，将混合均匀的粉体在900°C?1350°C下烧结制成靶材。
[0038] 衬底为玻璃衬底。优选的，衬底在使用前用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗。
[0039] 本实施方式中，真空腔体的真空度优选为5Xl(T4Pa。
[0040] 步骤S120、在衬底表面溅镀ΑΖ0层10,溅镀ΑΖ0层10的工艺参数为：基靶间距为 35mm?90mm，溅射功率为60W?160W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?2Pa，工作气体的流量为 15sccm ?35sccm，衬底温度为 150°C?750°C。
[0041] 优选的，基靶间距为50mm，溅射功率为100W，磁控溅射工作压强IPa，工作气体为 氩气，工作气体的流量为2〇 SCCm，衬底温度为450°C。
[0042] 形成的ΑΖ0层10的厚度为50nm?150nm，优选为80nm。
[0043] 步骤S130、在ΑΖ0层10表面溅镀Cu层20,溅镀Cu层20的工艺参数为：基靶间距 为35mm?90mm，溅射功率为60W?160W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?2Pa，工作气体的流量 为15sccm?35sccm，衬底温度为150°C?750°C。
[0044] 优选的，基靶间距为50mm，溅射功率为100W，磁控溅射工作压强IPa，工作气体为 氩气，工作气体的流量为2〇 SCCm，衬底温度为450°C。
[0045] 形成的Cu层20的厚度为5nm?35nm，优选为25nm。
[0046] 步骤S131、在Cu层20表面溅射Pr203层30,磁控溅射Pr 203层30的工艺参数为： 基靶间距为35mm?90mm，溅射功率为60W?160W，磁控溅射工作压强0· 2Pa?2Pa，工作气 体的流量为15sccm?35sccm，衬底温度为150°C?750°C ;
[0047] 形成Pr203层30的厚度为0. 5nm?5nm，优选为2nm。
[0048] 步骤S140、剥离衬底，得到导电薄膜100。
[0049] 上述导电薄膜的制备方法，仅仅使用磁控溅射镀膜设备即可连续制备ΑΖ0层10、 Cu层20及Pr203层30,工艺较为简单。
[0050] 请参阅图2, 一实施方式的有机电致发光器件的基底200,包括层叠的衬底201、 ΑΖ0 层 202, Cu 层 204 及 Pr203 层 203。
[0051] 衬底201为玻璃衬底。衬底201的厚度为0. 1mm?3. 0mm，优选为1mm。
[0052] ΑΖ0层202的厚度为50nm?150nm，优选为80nm。
[0053] Cu层204的厚度为5nm?35nm，优选为25nm。
[0054] Pr203层203的厚度为0· 5nm?5nm,优选为2nm。
[0055] 上述有机电致发光器件的基底200通过在ΑΖ0层202的表面沉积Cu层204及Pr20 3 层203制备多层导电薄膜，既能保持ΑΖ0层202的良好的导电性能，又使有机电致发光器件 的基底200的功函数得到了显著的提高，有机电致发光器件的基底200在300?900nm波 长范围可见光透过率82%?95%，方块电阻范围10?60 Ω / □，表面功函数5. 8?6. OeV。
[0056] 上述有机电致发光器件的基底200的制备方法，包括以下步骤：
[0057] S210、将ΑΖ0靶材、Cu靶材及Pr203靶材及衬底201装入磁控溅射镀膜设备的真空 腔体，其中，真空腔体的真空度为l.〇Xl(T 5Pa?1.0X10_3Pa。
[0058] 本实施方式中，所述ΑΖ0靶材由以下步骤得到：将A1203和ZnO粉体混合均匀，A1 203 的摩尔百分数为〇. 1%?3%，将混合均匀的粉体在900°C?1350°C下烧结制成靶材。
[0059] 衬底为玻璃衬底。优选的，衬底在使用前用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗。
[0060] 本实施方式中，真空腔体的真空度优选为5Xl(T4Pa。
[0061] 步骤S220、在衬底表面溅镀ΑΖ0层202,溅镀ΑΖ0层202的工艺参数为：基靶间距 为35mm?90mm，溅射功率为60W?160W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?2Pa，工作气体的流量 为15sccm?35sccm，衬底温度为150°C?750°C。
[0062] 优选的，基靶间距为50mm，溅射功率为100W，磁控溅射工作压强IPa，工作气体为 氩气，工作气体的流量为2〇 SCCm，衬底温度为450°C。
[0063] 形成的ΑΖ0层202的厚度为50nm?150nm，优选为80nm。
[0064] 步骤S203、在ΑΖ0层202表面溅镀Cu层204,溅镀Cu层204的工艺参数为：基靶 间距为35mm?90mm，溅射功率为60W?160W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?2Pa，工作气体的 流量为15sccm?35sccm，衬底温度为150°C?750°C。
[0065] 形成的Cu层204的厚度为0. 5nm?5nm，优选为2nm ;
[0066] 步骤S204、在Cu层204表面溅射Pr203层203,溅射Pr 203层203的工艺参数为：基 靶间距为35mm?90mm，溅射功率为60W?160W，磁控溅射工作压强0· 2Pa?2Pa，工作气体 的流量为15sccm?35sccm，衬底温度为150°C?750°C。
[0067] 上述有机电致发光器件的基底200的制备方法，仅仅使用磁控溅射镀膜设备即可 连续在衬底201上制备ΑΖ0层202、Cu层204及Pr 203层203,工艺较为简单。
[0068] 请参阅图3, 一实施方式的有机电致发光器件300包括依次层叠的衬底301、阳 极302、发光层303以及阴极304。阳极302由导电薄膜100制成，包括层叠的ΑΖ0层10 的表面Cu层20及Pr 203层30。衬底301为玻璃衬底，可以理解，根据有机电致发光器 件300具体结构的不同，衬底301可以省略。发光层303的材料为4-(二腈甲基）-2-丁 基-6- (1，1，7,7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB)、9, 10-二-β-亚萘基 蒽（AND)、二（2-甲基-8-羟基喹啉）-(4-联苯酚）铝（BALQ)、4-(二腈甲烯基）-2-异丙 基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTI)、二甲基喹吖啶酮（DMQA)、 8-羟基喹啉铝（六193)、双（4,6-二氟苯基吡啶4，(： 2)吡啶甲酰合铱^1印1(3)、二（2-甲 基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱（Ir(MDQ) 2(acac))或三（2-苯基吡啶）合铱 (Ir (ppy)3)。阴极304的材质为银（Ag)、金（Au)、错（A1)、钼（Pt)或镁银合金。
[0069] 所述ΑΖ0层10的厚度为50nm?150nm，优选为80nm。
[0070] 所述Cu层20的厚度为5nm?35nm，优选为25nm。
[0071] 所述Pr203层30的厚度为0· 5nm?5nm，优选为2nm。
[0072] 可以理解，上述有机电致发光器件300也可根据使用需求设置其他功能层。
[0073] 上述有机电致发光器件300,使用导电薄膜100作为有机电致发光器件的阳极， 导电薄膜的表面功函数5. 8?6. OeV，与一般的有机发光层的HOMO能级（典型的为5. 7? 6. 3eV)之间差距较小，降低了载流子的注入势垒，可提高发光效率。
[0074] 下面为具体实施例。
[0075] 实施例1
[0076] 选用纯度为99. 9%的粉体，ZnO按摩尔百分数为98%和A1203按摩尔百分数为2% 经过均勻混合后，在1250°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的ΑΖ0陶瓷祀材，再将Cu革巴 材和Pr 203靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬 底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为50mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度 抽到6. 0 X 10_4Pa，氩气的工作气体流量为2〇SCCm，压强调节为1. OPa，衬底温度为450°C，溅 射功率为100W。先后溅射ΑΖ0靶材、Cu靶材和Pr203靶材，分别沉积80nm、25nm和2nm薄膜 的薄膜，得到AZ0-Cu-Pr 203多层的透明导电薄膜。
[0077] 测试结果：采用四探针电阻测试仪测得方块电阻12Ω/ □，表面功函数测试仪测 得表面功函数6. OeV。
[0078] 请参阅图4,图4所示为得到的透明导电薄膜的透射光谱，使用紫外可见分光光度 计测试，测试波长为300?900nm。由图4可以看出薄膜在可见光470?790nm波长范围平 均透过率已经达到90%。
[0079] 选用AZ0-Cu-Pr203多层的透明导电薄膜作为有机半导体器件的阳极，在上面蒸镀 发光层Alq 3，以及阴极采用Ag，制备得到有机电致发光器件。
[0080] 请参阅图5,图5为上述器件实施例制备的有机电致发光器件的电压与电流和亮 度关系图，在附图5中曲线1是电压与电流密度关系曲线，可看出器件从5. 5V开始发光，曲 线2是电压与亮度关系曲线，最大亮度为85cd/m2,表明器件具有良好的发光特性。
[0081] 实施例2
[0082] 选用纯度为99. 9%的粉体，ZnO按摩尔百分数为99. 9%和A1203按摩尔百分数为 0· 1%经过均匀混合后，在1350°C下烧结成直径为35mm，厚度为2mm的ΑΖ0陶瓷靶材，再将Cu 靶材和Pr203靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃 衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为35mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空 度抽到1. 0X10_3Pa，氩气的工作气体流量为15SCCm，压强调节为0. 2Pa，衬底温度为150°C， 溅射功率为160W。先后溅射ΑΖ0靶材、Cu靶材和Pr203靶材，分别沉积50nm、35nm和0· 5nm 薄膜的薄膜，得到AZ0-Cu-Pr203多层的透明导电薄膜。
[0083] 测试结果：采用四探针电阻测试仪测得方块电阻16Ω/ □，表面功函数测试仪测 得表面功函数5. 8eV。
[0084] 使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为300?900nm。薄膜在可见光470? 790nm波长范围平均透过率已经达到82%。
[0085] 实施例3
[0086] 选用纯度为99. 9%的粉体，ZnO按摩尔百分数为97%和A1203按摩尔百分数为3% 经过均勻混合后，在1250°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的AZO陶瓷祀材，再将Cu革巴 材和Pr203靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬 底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为90mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度 抽到1. 0 X 10_5Pa，氩气的工作气体流量为35SCCm，压强调节为0. 2Pa，衬底温度为750°C，溅 射功率为600W。先后溅射AZ0靶材、Cu靶材和Pr203靶材，分别沉积150nm、5nm和5nm薄膜 的薄膜，得到AZ0-Cu-Pr 203多层的透明导电薄膜。
[0087] 测试结果：采用四探针电阻测试仪测得方块电阻30Ω/ □，表面功函数测试仪测 得表面功函数5. 9eV。
[0088] 使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为300?900nm。薄膜在可见光470? 790nm波长范围平均透过率已经达到93%。
[0089] 实施例4
[0090] 选用纯度为99. 9%的粉体，ZnO按摩尔百分数为99. 5%和A1203按摩尔百分数为 0· 5%经过均匀混合后，在1250°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的ΑΖ0陶瓷靶材，再将Cu 靶材和Pr203靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃 衬底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为65mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空 度抽到8. 0 X 10_4Pa，氩气的工作气体流量为35SCCm，压强调节为1. 3Pa，衬底温度为300°C， 溅射功率为200W。先后溅射ΑΖ0靶材、Cu靶材和Pr203靶材，分别沉积60nm、30nm和lnm薄 膜的薄膜，得到AZ0-Cu-Pr 203多层的透明导电薄膜。
[0091] 测试结果：采用四探针电阻测试仪测得方块电阻11 Ω/ □，表面功函数测试仪测 得表面功函数5. 9eV。
[0092] 使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为300?900nm。薄膜在可见光470? 790nm波长范围平均透过率已经达到91%。
[0093] 实施例5
[0094] 选用纯度为99. 9%的粉体，ZnO按摩尔百分数为98%和A1203按摩尔百分数为2% 经过均勻混合后，在1250°C下烧结成直径为50mm，厚度为2mm的ΑΖ0陶瓷祀材，再将Cu革巴 材和Pr 203靶材装入真空腔体内。然后，先后用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗玻璃衬 底，放入真空腔体。把靶材和衬底的距离设定为70mm。用机械泵和分子泵把腔体的真空度 抽到3. 0 X 10_4Pa，氩气的工作气体流量为25SCCm，压强调节为1. 7Pa，衬底温度为650°C，溅 射功率为500W。先后溅射ΑΖ0靶材、Cu靶材和Pr203靶材，分别沉积75nm、25nm和4nm薄膜 的薄膜，得到AZ0-Cu-Pr 203多层的透明导电薄膜。
[0095] 测试结果：采用四探针电阻测试仪测得方块电阻53Ω/ □，表面功函数测试仪测 得表面功函数6. OeV。
[0096] 使用紫外可见分光光度计测试，测试波长为300?900nm。薄膜在可见光470? 790nm波长范围平均透过率已经达到90%。
[0097] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并 不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员 来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保 护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【权利要求】
1. 一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的AZO层，Cu层及Pr203层。
2. 根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述AZ0层的厚度为50nm?150nm， 所述Cu层的厚度为5nm?35nm，所述Pr 203层的厚度为0· 5nm?5nm。
3. -种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将AZ0靶材、Cu靶材及Pr203靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真 空腔体的真空度为1. 〇 X l(T5Pa?1. 0 X l(T3Pa ; 在所述衬底表面溅镀AZO层，溅镀所述AZO层的工艺参数为：基靶间距为35mm?90mm， 溅射功率为60W?160W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?2Pa，工作气体的流量为15sccm? 35sccm，衬底温度为150°C?750°C ; 在所述AZO层表面溅镀Cu层，溅镀所述Cu层的工艺参数为：基靶间距为35mm?90mm， 溅射功率为60W?160W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?2Pa，工作气体的流量为15sccm? 35sccm，衬底温度为150°C?750°C ; 在所述Cu层表面溅镀Pr203层，溅镀所述Cu层的工艺参数为：基靶间距为35mm? 90mm，溅射功率为60W?160W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?2Pa，工作气体的流量为 15sccm?35sccm，衬底温度为150°C?750°C ;及 剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。
4. 根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述AZ0靶材由以下步骤 得到：将A120 3和ZnO粉体混合均勻，A1203的摩尔百分数为0. 1%?3%，将混合均匀的粉体 在900°C?1350°C下烧结制成靶材。
5. -种有机电致发光器件的基底，其特征在于，包括依次层叠的衬底、层叠的AZ0层， Cu层及Pr203层。
6. 根据权利要求5所述的有机电致发光器件的基底，其特征在于，所述AZ0层的厚度为 50nm?150nm，所述Cu层的厚度为5nm?35nm，所述Pr 203层的厚度为0· 5nm?5nm。
7. -种有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将AZ0靶材、Cu靶材及Pr203靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真 空腔体的真空度为1. 〇 X l(T5Pa?1. 0 X l(T3Pa ; 在所述衬底表面溅镀AZO层，溅镀所述AZO层的工艺参数为：基靶间距为35mm?90mm， 溅射功率为60W?160W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?2Pa，工作气体的流量为15sccm? 35sccm，衬底温度为150°C?750°C ; 在所述AZO层表面溅镀Cu层，溅镀所述Cu层的工艺参数为：基靶间距为35mm?90mm， 溅射功率为60W?160W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?2Pa，工作气体的流量为15sccm? 35sccm，衬底温度为150°C?750°C ; 在所述Cu层表面溅镀Pr203层，溅镀所述Cu层的工艺参数为：基靶间距为35mm? 90mm，溅射功率为60W?160W，磁控溅射工作压强0. 2Pa?2Pa，工作气体的流量为 15sccm ?35sccm，衬底温度为 150°C?750°C。
8. 根据权利要求7所述的有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，所述AZ0 靶材由以下步骤得到：将A120 3和ZnO粉体混合均匀，A1203的摩尔百分数为0. 1%?3%，将 混合均匀的粉体在900°C?1350°C下烧结制成靶材。
9. 一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，其特征在于，所述 阳极包括层置的AZO层，Cu层及P:r203层。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述ΑΖ0层的厚度为 50nm?150nm，所述Cu层的厚度为5nm?35nm，所述Pr203层的厚度为0· 5nm?5nm。
【文档编号】H05B33/10GK104099562SQ201310121310
【公开日】2014年10月15日 申请日期:2013年4月9日 优先权日:2013年4月9日
【发明者】周明杰, 王平, 陈吉星, 黄辉 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司