加热控制装置及物理气相沉积设备的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种加热控制装置及物理气相沉积设备。
【背景技术】
[0002] 物理气相沉积（Physical Vapor Deposition, PVD)技术是半导体工业中最广为使 用的一类薄膜制造技术，泛指采用物理方法制备薄膜的薄膜制备工艺；而在集成电路制造 行业中，多为磁控滅射（Magnetron Sputtering)技术，主要用于错、铜等金属薄膜的沉积， 以构成金属接触、金属互连线等。
[0003] 在物理气相沉积制程工艺中，一般需要4个步骤才能完成整个工艺，四个工步骤 按照顺序分别为：1)去气工艺（Degas) ;2)预清洗工艺（PreClean) ;3)铜阻挡层工艺；4) 铜仔晶层工艺。
[0004] 其中，去气工艺主要是将基片加热至300°C左右，以去除基片上的水蒸气及其它易 挥发杂质。去气工艺中，基片（被加热物）对加热均匀性要求较高，如果均匀性不能保证，将 出现基片某些区域易挥发杂质去除不完全情况，严重的局部温度不均匀可能会造成碎片。 同时，出于产能的考虑，希望基片能够尽快的到达工艺温度。
[0005] 传统技术中，一般使用灯泡类型的加热灯对基片进行加热。基片传入腔室后，被放 置在基座上，基座将其托起上升至工艺位，通过固定在腔室顶部的加热灯泡透过石英窗进 行照射以及基座上的加热器（可选）加热基片。加热过程中，灯泡和基片的位置固定。基 片上正对灯泡的部分直接被灯泡照射加热，而基片上未被灯泡覆盖的部分，只能通过腔室 内的热辐射效应加热，因此容易造成基片上各部分的温度不均衡，加热均匀性差。而且由于 灯泡和基片的位置固定，腔室内的温度均匀性基本不可调。
【发明内容】
[0006] 基于此，有必要针对传统技术中加热装置容易造成温度不均衡，加热均匀性差，且 温度均匀性基本不可调的问题，提供一种可根据实际加热需求进行加热控制的加热控制装 置及物理气相沉积设备。
[0007] 为实现本发明目的提供的一种加热控制装置，包括转动部、驱动装置、固定部、加 热件连接部和加热件；
[0008] 所述加热件连接部包括固定端和加热端，所述固定端与所述固定部连接，所述加 热端与所述加热件连接；
[0009] 所述转动部在所述驱动装置的驱动下能够带动所述加热件在预设圆形范围内移 动，且所述移动在所述预设圆形的径向方向上存在位移。
[0010] 作为一种加热控制装置的可实施方式，所述转动部为圆柱环结构，所述转动部的 内侧设有扇叶；
[0011] 所述固定部为圆柱结构，所述固定部设有开口位于固定部外侧且向内延伸的凹 槽；
[0012] 所述转动部与所述固定部同轴设置，且所述转动部套设在所述固定部外侧；
[0013] 所述加热件连接部的固定端与所述凹槽的底部连接，所述加热件连接部的加热端 位于所述凹槽的开口处，且与所述转动部的扇叶相接触；
[0014] 所述转动部在所述驱动装置的驱动下围绕轴线旋转时,所述扇叶带动所述加热件 在所述转动部内环圆形范围内移动，且所述移动在所述圆形的径向方向上存在位移。
[0015] 作为一种加热控制装置的可实施方式，所述转动部为圆柱结构，所述转动部外侧 设有扇叶；
[0016] 所述固定部为圆柱环结构，所述固定部设有开口位于固定部内侧且向外延伸的凹 槽；
[0017] 所述转动部与所述固定部同轴设置，且所述固定部套设在所述转动部外侧；
[0018] 所述加热件连接部的固定端与所述凹槽的底部连接，所述加热件连接部的加热端 位于所述凹槽的开口处，且与所述转动部的扇叶相接触；
[0019] 所述转动部在所述驱动装置的驱动下围绕轴线旋转时，所述扇叶带动所述加热件 在所述固定部内环圆形范围内移动，且所述移动在所述圆形的径向方向上存在位移。
[0020] 作为一种加热控制装置的可实施方式，所述转动部包括圆柱环结构的第一转动 部和圆柱结构的第二转动部，所述第一转动部内侧设有扇叶，所述第二转动部外侧设有扇 叶；
[0021] 所述固定部为圆柱环结构，且所述固定部设有开口位于固定部外侧且向内延伸的 凹槽，和开口位于固定部内侧且向外延伸的凹槽；
[0022] 所述转动部和所述固定部同轴设置，由外至内分别为所述第一转动部、所述固定 部和所述第二转动部；
[0023] 所述加热件连接部包括第一加热件连接部和第二加热件连接部；
[0024] 所述第一加热件连接部的固定端与开口位于固定部外侧的凹槽的底部连接，所述 第一加热件连接部的加热端位于开口位于固定部外侧的凹槽的开口处，且与所述第一转动 部的扇叶相接触；
[0025] 所述第二加热件连接部的固定端与开口位于固定部内侧的凹槽的底部连接，所述 第二加热件连接部的加热端位于开口位于固定部内侧的凹槽的开口处，且与所述第二转动 部的扇叶相接触；
[0026] 所述第一转动部和/或第二转动部在驱动装置的驱动下围绕轴线旋转时，所述扇 叶带动所述第一加热件和/或第二加热件在所述第一转动部内环和/或所述固定部内环圆 形范围内移动，且所述移动在所述圆形的径向方向上存在位移。
[0027] 作为一种加热控制装置的可实施方式，所述加热件为加热灯。
[0028] 作为一种加热控制装置的可实施方式，所述加热件连接部为弹簧。
[0029] 作为一种加热控制装置的可实施方式，所述开口位于固定部外侧的凹槽沿所述固 定部的径向设置。
[0030] 作为一种加热控制装置的可实施方式，所述开口位于固定部内侧的凹槽相对所述 固定部径向方向有预设倾斜角设置。
[0031] 作为一种加热控制装置的可实施方式，所述开口位于固定部外侧的凹槽在所述固 定部上均匀分布，且数量为8个。
[0032] 作为一种加热控制装置的可实施方式，所述开口位于固定部内侧的凹槽在所述固 定部上均匀分布，且数量为4个。
[0033] 基于相同发明构思的一种物理气相沉积设备，包括去气腔室，所述去气腔室包括 权利要求1至10任一项所述的加热控制装置。
[0034] 作为一种物理气相沉积设备的可实施方式，还包括温度传感器及加热控制板；
[0035] 所述温度传感器用于测量加热物的温度，并将温度信号传输到所述加热控制板；
[0036] 所述加热控制板与所述温度传感器及所述加热控制装置电连接，接收所述温度传 感器发送的温度信号，并根据所述温度信号发送控制信号到所述加热控制装置中的驱动装 置，控制所述驱动装置带动转动部旋转。
[0037] 本发明的有益效果包括：本发明提供的一种加热控制装置及物理气相沉积设备， 可通过驱动装置控制转动部的转动控制加热件的位置，提高去气腔室中基片加热的均匀 性，同时也可根据加工需要对基片某一位置进行集中加热，加热控制灵活。
【附图说明】
[0038] 图1为传统去气腔室结构示意图；
[0039] 图2为本发明的一种加热控制装置的一具体实施例中灯泡聚拢状态示意图；
[0040] 图3为本发明的一种加热控制装置的一具体实施例中灯泡离散状态示意图；
[0041] 图4为本发明的一种加热控制装置的一具体实施例的第一转动部示意图；
[0042] 图5为本发明的一种加热控制装置的一具体实施例的固定部示意图；
[0043] 图6为本发明的一种加热控制装置的一具体实施例的三维示意图。
【具体实施方式】
[0044] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本发明的 加热控制装置及PVD去气腔室的【具体实施方式】进行说明。应当理解，此处所描述的具体实 施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0045] 如图1所示，为传统的PVD去气（