专利名称：采用氢化锂还原三氯氢硅反应制备硅烷的装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种烷类化工产品-高纯硅烷制备的装置，特别是一种采用氢化锂还原三氯氢硅反应制备硅烷的装置，适合于化工合成硅烷。
背景技术：
目前，微电子技术是现代信息技术和军事技术的主要基石，是推动科技进步、产业发展、经济腾飞和社会前进的关键因素之一。集成电路是微电子技术的核心，其发展水平和产业规模已成为衡量一个国家经济实力的重要标志。电子特种气体(如硅烷)，尤其是高纯电子气体作为电子化工材料这一新门类，是制约集成电路可靠性和成品率的重要因素。随着电子信息技术的飞速发展，集成度越来越高，对基础原材料(如硅烷)的纯度要求已经提高到了 6N级(99.9999%)，甚至7N以上，因此制备高纯电子特种气体技术更显得迫在眉睫。有能力生产6N级以上高纯电子气体的只有少数国家，而高纯气体在电子产品、航空航天、高效太阳能电池、军事工业方面有着广泛的应用，硅烷的制备技术尚未完善，制作方法工艺复杂，较难掌握，生产的产品尚不能全面满足相关电子产品的需要，质量差，问题多，只能用于制造低规格的产品，因此，给用户带来了较大的麻烦，这种状况严重地制约了电子技术的发展。
发明内容本实用新型旨在克服现有技术的不足，提供一种采用氢化锂还原三氯氢硅反应制备硅烷的装置。本实用新型采用的技术方案是:一种采用氢化锂还原三氯氢硅反应制备硅烷的装置；其特征在于:由三氯氢硅储罐与硅烷反应器的入口相连；冷却器接入硅烷反应器的出口构成循环回路；低温吸 附装置通过连接管线接入冷却器的出口 ；液化器与低温吸附装置的出口相连、液化器的出口连接压缩机的汽化升压装置构成。该设备可应用于采用氢化锂还原三氯氢硅制备硅烷:把三氯氢硅通入装有熔融的KC1-LiCI和LiH的硅烷反应器中进行反应，即可制得硅烷。经过冷却器和液化器形成液态硅烷；液态硅烷经连接压缩机的汽化升压装置汽化和二级隔膜式压缩机压缩充装钢瓶，即可得到闻压、闻纯的娃烧气体。本实用新型的有益效果是，设计合理，使用方便，是理想的硅烷制备装置。
图1为本发明的结构示意图。附图编号为:1、三氯氢硅储罐，2、硅烷反应器，3、低温吸附装置，4、液化器，5、压缩机，6、汽化升压装置，7、连接管线，8、冷却器，9、过滤器，10、针型阀。
具体实施方式
[0008]参照图1，一种采用氢化锂还原三氯氢硅反应制备硅烷的装置；其特征在于:由三氯氢硅储罐I与硅烷反应器2的入口相连；冷却器8接入硅烷反应器2的出口构成循环回路；低温吸附装置3通过连接管线7接入冷却器8的出口 ；液化器4与低温吸附装置3的出口相连、液化器4的出口连接压缩机5的汽化升压装置6构成。所述的三氯氢硅储罐I与硅烷反应器2之间接入针型阀10、所述的硅烷反应器2与低温吸附装置3之间接入过滤器9。该设备可应用于采用氢化锂还原三氯氢硅制备硅烷:把三氯氢硅通入装有熔融的KC1-LiCI和LiH的硅烷反应器中进行反应，即可制得硅烷。经过冷却器和液化器形成液态硅烷；液态硅烷经连接压缩机的汽化升压装置汽化和二级隔膜式压缩机压缩充装钢瓶，即可得到1 压、1 纯的娃 焼气体。
权利要求1.一种采用氢化锂还原三氯氢硅反应制备硅烷的装置；其特征在于:由三氯氢硅储罐与硅烷反应器的入口相连；冷却器接入硅烷反应器的出口构成循环回路；低温吸附装置通过连接管线接入冷却器的出口 ；液化器与低温吸附装置的出口相连、液化器的出口连接压缩机的汽化升压装置构成。
2.根据权利要求1所述的采用氢化锂还原三氯氢硅反应制备硅烷的装置；其特征在于:所述的三氯氢硅储罐与硅烷反应器之间接入针型阀。
3.根据权利要求1所述的采用氢化锂还原三氯氢硅反应制备硅烷的装置；其特征在于:所述的硅烷反应器与低温 吸附装置之间接入过滤器。
专利摘要本实用新型涉及一种烷类化工产品-高纯硅烷制备的装置，特别是一种采用氢化锂还原三氯氢硅反应制备硅烷的装置，适合于化工合成硅烷。一种采用氢化锂还原三氯氢硅反应制备硅烷的装置；由三氯氢硅储罐与硅烷反应器的入口相连；冷却器接入硅烷反应器的出口构成循环回路；低温吸附装置通过连接管线接入冷却器的出口；液化器与低温吸附装置的出口相连、液化器的出口连接压缩机的汽化升压装置构成。设计合理，使用方便，是理想的高纯硅烷制备装置。
文档编号C01B33/04GK203112515SQ20122074513
公开日2013年8月7日 申请日期2012年12月31日 优先权日2012年12月31日
发明者原东风 申请人:天津市泰源工业气体有限公司