基于溶液生长法的SiC单晶的制造装置和应用于该制造装置的坩埚的制作方法

本发明涉及单晶的制造装置和应用于该制造装置的坩埚。更详细而言，涉及基于溶液生长法的sic单晶的制造装置和应用于该制造装置的坩埚。

背景技术：

在sic单晶的制造方法中，例如存在溶液生长法。在溶液生长法中，使安装于晶种轴的晶种与容纳于坩埚的si－c溶液相接触。使si－c溶液中的、晶种的附近部分为过冷状态，使sic单晶在晶种上的晶体生长面生长。

si－c溶液是碳(c)溶解于si或si合金的熔体而成的溶液。在si－c溶液的生成方法中，例如存在以下方法：将si放入石墨坩埚中，利用感应加热装置来加热坩埚。感应加热装置例如是高频线圈。使安装于晶种轴的晶种的晶体生长面与生成了的si－c溶液相接触而使sic单晶生长。

对于si－c溶液，为了使溶液中的组分和溶液的温度分布均匀，优选在晶体生长中对si－c溶液进行搅拌。利用高频线圈进行的加热对si－c溶液施加洛伦兹力。因此，si－c溶液进行流动并被搅拌。

然而，若si－c溶液的搅拌不充分，则溶液中的组分和溶液的温度分布难以保持均匀。在该情况下，容易产生sic多晶。若sic多晶附着于sic单晶的晶体生长面，则会阻碍sic单晶的生长。

在日本特开2005－179080号公报(专利文献1)中公开了用于抑制生成多晶的制造方法和制造装置。

在专利文献1所公开的制造方法和制造装置中，利用常导线圈来对容纳有原料溶液的坩埚进行加热。在该情况下，常导线圈对熔体施加洛伦兹力。在洛伦兹力的作用下，熔体呈圆顶状隆起。在专利文献1中记载了：其结果，能够在不发生多晶的生长、晶体缺陷的增加的前提下稳定地制造大块sic单晶。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005－179080号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

然而，在专利文献1的制造方法和制造装置中，为了使熔体呈圆顶状隆起，需要额外设置设有狭缝的铜制的侧壁部。

另外，近年来，sic单晶能够应用于各种用途，因此，大口径的sic单晶的需求变高。为了制造大口径的sic单晶，需要使坩埚的直径较大。在感应加热装置为高频线圈的情况下，通常，高频线圈配置于坩埚的周围。因而，若使坩埚的直径较大，则高频线圈的直径也变大。

利用感应加热装置进行的加热使坩埚内部产生磁通。磁通通过电磁感应而在si－c溶液中产生洛伦兹力和焦耳热。通过洛伦兹力来搅拌si－c溶液。通过焦耳热来加热si－c溶液。洛伦兹力和焦耳热的大小由穿透到坩埚内部的磁通的强度决定。在高频线圈的情况下，若高频线圈的直径变大，则高频线圈中心处的磁通变弱。因此，si－c溶液的搅拌和加热有时不充分。在si－c溶液的搅拌和加热不充分的情况下，有时会产生sic多晶而阻碍sic单晶的生长。

本发明的目的在于，提供一种易于搅拌和加热si－c溶液的sic单晶的制造装置。

用于解决问题的方案

本发明的实施方式的sic单晶的制造装置具备能够容纳si－c溶液的坩埚、晶种轴以及感应加热装置。坩埚能够容纳si－c溶液。坩埚包括筒部和底部。筒部具有第1外周面和内周面。底部配置于筒部的下端。底部形成坩埚的内底面。能够在晶种轴的下端安装晶种。感应加热装置配置于坩埚的筒部的周围。感应加热装置用于加热坩埚和si－c溶液。第1外周面具有与筒部的周向交叉地延伸的第1槽。

发明的效果

本发明的sic单晶的制造装置易于搅拌和加热si－c溶液。

附图说明

图1是本实施方式的sic单晶的制造装置的整体图。

图2是图1中的坩埚的立体图。

图3是图1中的坩埚的铅垂方向剖视图。

图4是本实施方式的坩埚的水平方向剖视图。

图5是第2实施方式的坩埚的铅垂方向剖视图。

图6是基于热流动分析的温度分布图(第2实施方式的坩埚)。

图7是基于热流动分析的径向上的温度分布图。

图8是基于热流动分析的铅垂方向上的温度分布图。

图9是基于热流动分析的径向上的速度分布图。

图10是基于热流动分析的铅垂方向上的速度分布图。

图11是利用坩埚e1制得的sic单晶的放大照片。

图12是利用坩埚e2制得的sic单晶的放大照片。

具体实施方式

本发明的实施方式的sic单晶的制造装置具备能够容纳si－c溶液的坩埚、晶种轴以及感应加热装置。坩埚能够容纳si－c溶液。坩埚包括筒部和底部。筒部具有第1外周面和内周面。底部配置于筒部的下端。底部形成坩埚的内底面。能够在晶种轴的下端安装晶种。感应加热装置配置于坩埚的筒部的周围。感应加热装置用于对坩埚和si－c溶液进行加热。第1外周面具有与筒部的周向交叉地延伸的第1槽。

在本实施方式的sic单晶的制造中使用的坩埚在筒部的第1外周面上具有第1槽。第1槽与筒部的周向交叉地延伸。在该情况下，感应加热装置所产生的、朝向感应加热装置的轴线方向的磁通易于穿透到坩埚内部。因此，促进si－c溶液的搅拌和加热。

优选的是，第1槽沿筒部的轴线方向延伸。

在该情况下，因磁通而在坩埚壁内引起的感应电流不与第1槽交叉。因此，感应电流在坩埚的更内侧流动，磁通更易于向坩埚内部穿透。

优选的是，第1槽的下端配置于比si－c溶液的液面靠下方的位置。

在该情况下，在侧视时，第1槽的一部分与坩埚内的si－c溶液重叠。因此，磁通直接穿透si－c溶液。因而，si－c溶液更容易受到洛伦兹力，从而促进si－c溶液的搅拌。并且，由于基于高频线圈的感应电流变大，因此促进si－c溶液的加热。

优选的是，筒部的外周面的槽在侧视时至少自坩埚的内底面延伸到si－c溶液的液面。

在该情况下，进一步促进si－c溶液的搅拌和加热。

优选的是，坩埚的底部包括第2外周面和外底面。第2外周面与筒部的第1外周面相连。外底面配置于第2外周面的下端。底部的内底面为凹形状。第2外周面具有第2槽。第2槽与筒部的周向交叉地延伸并朝向外底面地变深。

在该情况下，第2槽形成到凹状的内底面附近。因此，能够促进凹状的内底面附近的si－c溶液的搅拌和加热。

本发明的实施方式的坩埚应用于上述sic单晶的制造装置。

本发明的实施方式的sic单晶的制造方法包括以下工序：准备工序，在该准备工序中，准备上述sic单晶的制造装置；生成工序，在该生成工序中，利用感应加热装置来加热坩埚内的si－c溶液的原料而使其熔融，从而生成si－c溶液；以及生长工序，在该生长工序中，使晶种与si－c溶液相接触，一边利用感应加热装置来加热和搅拌si－c溶液，一边使sic单晶在晶种上生长。

以下，详细叙述本实施方式的sic单晶的制造装置和应用于该制造装置的坩埚。

如上所述，基于高频线圈的磁通越穿透到坩埚的内部，si－c溶液越易于被搅拌和加热。在晶体生长时，通过si－c溶液的搅拌和加热来抑制产生sic多晶。以下，详细叙述该点。

若晶体生长中的si－c溶液的组分均匀，则易于抑制产生sic多晶。为了使si－c溶液的组分和温度均匀，需要搅拌和加热si－c溶液。另外，在基于溶液生长法的sic单晶的制造中，将si－c溶液中的碳供给至sic单晶的晶体生长面是重要的。若碳被供给到晶体生长中的sic单晶的晶体生长面，则促进sic单晶的生长。因此，从sic单晶的晶体生长速度的观点考虑，也需要搅拌si－c溶液。

在si－c溶液的搅拌方法中，例如存在利用高频线圈进行的电磁搅拌。在使交流电流流过高频线圈的情况下，在高频线圈的内侧产生磁通。交流电流使磁通的方向和强度发生变化，因此，si－c溶液受到洛伦兹力。坩埚内的si－c溶液在洛伦兹力的作用下进行流动并被搅拌。因而，磁通越穿透到坩埚内部，si－c溶液受到的洛伦兹力越大，si－c溶液越易于被搅拌。

磁通使坩埚和si－c溶液中产生感应电流。因此，在坩埚和si－c溶液中产生焦耳热。因而，磁通越穿透到坩埚内部，在坩埚和si－c溶液中产生的焦耳热越大，坩埚和si－c溶液越易于被加热。

高频线圈的中心的磁通的强度与线圈半径成反比。也就是说，线圈半径越大，线圈所产生的磁通的强度越小。随着磁通的强度变小，洛伦兹力和焦耳热的值也变小。

如上述那样，为了搅拌和加热坩埚内的si－c溶液，需要使磁通穿透到坩埚内部。然而，由于坩埚的筒部具有厚度，因此会妨碍磁通的穿透。因此，难以搅拌和加热坩埚内的si－c溶液。

在本实施方式的sic单晶的制造中使用的坩埚的筒部的外周面上，形成有与筒部的周向交叉地延伸的槽。筒部的形成有槽的部分的厚度较薄。其结果，基于高频线圈的磁通易于穿透到坩埚的内部，易于搅拌和加热si－c溶液。

以下，参照附图来详细地说明本发明的实施方式。对于图中相同或相当的部分标注同一附图标记并且不重复其说明。

[制造装置]

图1是本实施方式的sic单晶的制造装置的整体图。参照图1，制造装置1用于基于溶液生长法来制造sic单晶。制造装置1包括箱体2、感应加热装置3、隔热件4、坩埚5、晶种轴6、驱动装置9以及旋转装置200。

箱体2用于容纳感应加热装置3、隔热件4以及坩埚5。在制造sic单晶时，箱体2被冷却。

隔热件4为框体状。隔热件4在内部收纳坩埚5，用于保持坩埚5的温度。隔热件4在上盖和底部的中央具有通孔。晶种轴6穿过上盖的通孔。旋转装置200穿过底部的通孔。

晶种轴6自箱体2的上方朝向下方延伸。晶种轴6的上端安装于驱动装置9。晶种轴6贯穿箱体2和隔热件4。在晶体生长时，晶种轴6的下端配置在坩埚5内。能够在晶种轴6的下端安装晶种8，在制造sic单晶时，在晶种轴6的下端安装有晶种8。晶种优选为sic单晶。晶种轴6能够利用驱动装置9进行升降。并且，晶种轴6能够利用驱动装置9而绕轴线旋转。

旋转装置200安装于坩埚5的外底部52c。旋转装置200贯穿隔热容器4的下表面和箱体2的下表面。旋转装置200能够使坩埚5绕坩埚中心轴线旋转。旋转装置200还能够使坩埚5升降。

感应加热装置3配置于坩埚5的周围，更具体而言配置于隔热件4的周围。感应加热装置3例如是高频线圈。在该情况下，高频线圈的轴线朝向制造装置1的铅垂方向。优选的是，高频线圈配置为与晶种轴6同轴。

坩埚5能容纳si－c溶液7。坩埚5优选含有碳。在该情况下，坩埚5成为向si－c溶液7供给碳的供给源。坩埚5例如是石墨制。坩埚5能被感应加热装置3加热。因此，在si－c溶液的生成时、sic单晶的晶体生长时，坩埚5成为加热si－c溶液7的热源。

si－c溶液7是sic单晶的原料，其含有硅(si)和碳(c)。si－c溶液7还可以含有除si和c以外的其他金属元素。si－c溶液7是通过将碳(c)溶解于si或si与其他金属元素的混合物(si合金)的熔体而生成的。

在制造sic单晶时，使晶种轴6下降，将晶种8浸渍于si－c溶液7中。此时，坩埚5及其周边被保持为晶体生长温度。晶体生长温度取决于si－c溶液的组分。通常的晶体生长温度为1600℃～2000℃。一边将si－c溶液维持在晶体生长温度，一边使sic单晶生长。

[第1实施方式]

[坩埚5的形状]

图2是图1中的坩埚5的立体图。图3是图2中的坩埚5的iii－iii面处的剖视图。参照图2和图3，坩埚5包括筒部51和底部52。筒部51为筒状，例如为圆筒。筒部51包括外周面51a和内周面51b。筒部51的内径远大于晶种轴6的外径。底部52包括外周面52a、内底面52b以及外底面52c。外周面52a与外周面51a平滑地相连。内底面52b与内周面51b平滑地相连。外底面52c配置于内底面52b的相反侧。

在图2和图3中，底部52为圆板状。筒部51和底部52既可以一体成形，也可以为相对独立的构件。

筒部51的外周面51a具有多个槽10。槽10与筒部51的周向交叉地延伸。在图2和图3中，槽10相对于筒部51的圆周方向垂直地(也就是沿坩埚5的铅垂方向)延伸。

图4是图2中的坩埚5的iv－iv面处的剖视图。参照图4，多个槽10沿外周面51a的周向排列。在图4中，多个槽10等间隔排列。

如上所述，筒部51中的形成有槽10的部分的厚度薄于筒部51中的未形成有槽10的部分的厚度。因此，与未形成有槽10的情况相比，感应电流流过坩埚的更内侧，因此，基于高频线圈的磁通易于穿透到坩埚5的内部。因此，si－c溶液易于被搅拌。

在此，由高频线圈产生的磁通的方向为与线圈轴线相同的方向。也就是说，磁通的方向与筒部51的周向正交。因此，在槽10与筒部51的周向交叉的情况下，磁通与槽10交叉。即，磁通与筒部51的厚度较小的部分交叉，因此，磁通易于穿透到坩埚内部。并且，若如图2所示那样槽10沿筒部51的轴线方向延伸(若槽10与筒部51的周向成直角交叉)，则磁通不与槽10交叉地向坩埚内部穿透。在该情况下，由于磁通不穿过筒部51的厚度较大的部分，因此，磁通易于穿透到坩埚内部。

并且，若磁通易于穿透，则与未形成有槽10的情况相比，在si－c溶液7中的靠坩埚中心附近的部分产生的感应电流也变大。因此，在si－c溶液7中产生的焦耳热变大，从而促进si－c溶液7的加热。

槽10的深度的下限优选为筒部51的厚度的10％。槽10的深度的上限优选为筒部51的厚度的90％。更优选的是，槽10的深度的下限为筒部51的厚度的30％，槽10的深度的上限为筒部51的厚度的70％。槽10的截面形状并不限定于矩形。槽10的截面形状也可以为半圆、半椭圆等形状。总之，若能够使筒部51的厚度局部较薄而使磁通易于向坩埚内部穿透，则槽10的截面形状并不特别限定。在图4中，在外周面51a形成有8个槽10。然而，槽10的数量并不特别限定。即使在外周面51a形成的槽10为1个，也能够获得某一程度的效果。槽10也可以为多个(两个以上)。

优选的是，如图4所示，槽10等间隔地配置于外周面51的周围。在该情况下，由于磁通沿周向均匀地穿透，因此，si－c溶液7易于在周向上被均匀地搅拌和加热。

在图2和图3中，槽10的下端配置于比si－c溶液7的液面71靠下方的位置。更具体而言，如图3所示，在侧视时，槽10至少自内底面52b延伸到si－c溶液7的液面71。

在该情况下，在侧视时，槽10与si－c溶液7重叠。因此，磁通易于直接穿透si－c溶液部，从而进一步促进si－c溶液7的搅拌和加热。

在图4中，槽10自内底面52b延伸到液面71。然而，槽10延伸的位置并不限定于自内底面52b到液面71的范围内。即使在侧视时槽10不与si－c溶液7重叠，磁通也能某一程度穿透si－c溶液7。但是，若槽10的下端配置于比液面71靠下方的位置且槽10的至少一部分与si－c溶液7重叠，则磁通易于穿透si－c溶液7。

[第2实施方式]

[坩埚50的形状]

坩埚的内底面有时为凹状。在内底面为凹状的情况下，优选的是，能够进一步搅拌内底面附近的si－c溶液。

图5是在第2实施方式的sic单晶的制造装置中使用的坩埚50的纵剖视图。参照图5，坩埚50包括筒部51和底部520。坩埚50的筒部51与图2和图3所示的坩埚5的筒部51相同。

底部520不具有底部52的平坦的内底面52b，而具有凹状的内底面520b。在图5中，内底面520b的纵截面形状为弓状，并呈凹状弯曲。

为了对充满凹状的内底面520b内的si－c溶液7进行搅拌，优选的是，使槽形成到内底面520b附近。因此，底部520的外周面52a包括多个槽100。与槽10同样地，槽100与筒部51的周向交叉地延伸。槽100还自底部520的上部朝向外底面52c地变深。具体而言，槽100的下部(外底面52c附近)的深度db大于槽100的上部的深度du。

在该情况下，槽100形成到凹状的内底面520b附近。因此，磁通还穿透充满凹状的内底面520b内的si－c溶液7，从而促进搅拌和加热。

与第1实施方式同样地，若槽100沿筒部51的轴线方向延伸(若槽100与筒部51的周向成直角交叉)，则磁通还易于穿透到坩埚50内部。

[制造方法]

本实施方式的制造方法包括准备工序、生成工序以及生长工序。在准备工序中，准备制造装置1，将晶种8安装于晶种轴6。在生成工序中，使用感应加热装置3来生成si－c溶液7。在生长工序中，使晶种8与si－c溶液7相接触而使sic单晶生长。以下，说明各工序。

[准备工序]

参照图1，在准备工序中，准备上述制造装置1。接着，在制造装置1的晶种轴6的下端安装晶种8。

[生成工序]

在生成工序中，对坩埚5内的si－c溶液7的原料进行加热而生成si－c溶液7。将坩埚5配置在箱体2内的旋转装置200之上。坩埚5容纳si－c溶液7的原料。坩埚5优选配置为与旋转装置200同轴。隔热容器4配置于坩埚5的周围。感应加热装置3配置于隔热容器4的周围。

接着，向箱体2内填充非活性气体。非活性气体为例如氦气、氩气。箱体2内的压力优选为大气压。在箱体2内的压力小于大气压(减压)或箱体2内为真空的情况下，坩埚5内的si－c溶液7容易蒸发。当si－c溶液7蒸发时，si－c溶液7的液面的变动量变大，sic单晶的生长变得不稳定。感应加热装置3用于对坩埚5和坩埚5内的si－c溶液7的原料进行加热。si－c溶液的原料为例如si或si与其他金属元素的混合物(si合金)。被加热了的si－c溶液7的原料发生熔融。通过使碳从例如由石墨构成的坩埚5溶解于该熔体，从而生成si－c溶液7。

[生长工序]

在生成si－c溶液7之后，将晶种8浸渍于si－c溶液7。具体而言，使晶种轴6下降，使安装于晶种轴6的下端的晶种8与si－c溶液7相接触。在使晶种8与si－c溶液7相接触之后，感应加热装置3对坩埚5和si－c溶液7进行加热而将坩埚5和si－c溶液7保持为晶体生长温度。晶体生长温度取决于si－c溶液7的组分。通常的晶体生长温度为1600℃～2000℃。

接着，对晶种8的附近的si－c溶液7部分进行过冷却，使sic为过饱和状态。进行过冷却的方法例如有：控制感应加热装置3，使晶种8的附近的温度低于si－c溶液7的其他部分的温度。也可以利用制冷剂来冷却晶种8的附近。具体而言，使制冷剂在晶种轴6的内部循环。制冷剂为例如氩气、氦气等非活性气体。

实施例1

设想槽的形状不同的多个坩埚，对各坩埚内的si－c溶液的热量流动进行了模拟。

[模拟方法]

在模拟中，设想了具有与图1所示的制造装置1同样的结构的sic单晶的制造装置。使用轴对称rz坐标系，进行了热流动分析。感应加热装置3为高频线圈。对高频线圈施加的交流电流为6khz。电流值在520a～565a的范围内。

在热流动分析中，在计算模型中设定了槽的形状不同的3个坩埚(s1～s3)。坩埚s1不具有槽。坩埚s2如图3所示那样在筒部的外周面具有自筒部下端延伸到上端的槽。槽是与筒部的周向成直角交叉的形状，在筒部周向上等间隔地配置有8个槽。与如图5所示的坩埚50同样地，坩埚s3为在坩埚s2的底部还追加了槽而成的形状。在s2和s3的槽的尺寸中，宽度为6mm，深度为4mm，长度为155mm。并且，s3的槽的深度db(参照图5)为30mm。

以上述设定条件实施了基于模拟的热流动分析。在模拟中，使用了通用的热流动分析应用程序(comsol公司制造，商品名comsol－multiphysics)。

[模拟结果]

将模拟的结果表示在图6中。图6是在利用坩埚s3进行了模拟的情况下的温度分布图。在图6中描绘出了等温线。

参照图6，图6中的si－c溶液7内的等温线较少。因而，坩埚s3内的si－c溶液7的区域的温度变化较小，被进行了均匀加热。

[关于加热效果]

图7是表示s1～s3的si－c溶液表面的径向上的温度分布的图。横轴表示在径向上距坩埚中心的距离(mm)。纵轴表示si－c溶液的表面温度(℃)。图7中的虚线表示s1的结果。实线表示s2的结果。单点划线表示s3的结果。

参照图7，与不具有槽的s1相比，在筒部的外周面具有槽的s2和s3的径向上的表面温度均匀。并且，与s1相比，s2和s3的坩埚中央的si－c溶液的表面温度较高。

图8表示s1～s3的坩埚内的坩埚中心轴部的铅垂方向上的温度分布。横轴表示在铅垂方向上距坩埚内底面的距离。纵轴表示温度。图8中的虚线表示s1的结果。实线表示s2的结果。单点划线表示s3的结果。

参照图8，在s2和s3中，与s1相比，si－c溶液的温度在深度方向上也均匀。与此相对，在s1中，si－c溶液的温度在深度方向上不均匀，随着朝向内底面去，温度降低。

[关于搅拌效果]

图9表示s1～s3中的si－c溶液的溶液表面处的径向上的速度分布。横轴表示在径向上距坩埚中心的距离。纵轴表示径向上的速度分量。在此，正值的速度表示自坩埚中心朝向外周面去的方向。图9中的虚线表示s1的结果。实线表示s2的结果。单点划线表示s3的结果。参照图9，在径向上的速度分量之中，s3最大，其次是s2，s1最小。

图10表示s1～s3的坩埚内的坩埚中心轴部的铅垂方向上的速度分布。横轴表示在铅垂方向上距坩埚内底面的距离。纵轴表示铅垂方向上的速度分量。图10中的虚线表示s1的结果。实线表示s2的结果。单点划线表示s3的结果。参照图10，在铅垂方向上的速度分量之中，s3最大，其次是s2，s1最小。

对于利用流动分析计算出的、si－c溶液的最大流速的绝对值，s1为0.198m/s，s2为0.215m/s，s3为0.268m/s。由该结果确认了，与不具有槽的坩埚s1相比，本实施方式的坩埚能对si－c溶液施加更大的洛伦兹力。即，与不具有槽的坩埚s1相比，本实施方式的坩埚能够进一步搅拌si－c溶液。

实施例2

在实施例2中，使用对外周面的槽的形状进行了改变的坩埚(e1和e2)来制造sic单晶。并且，对制得的sic单晶的品质进行了评价。

坩埚e1为石墨制、内径110mm、外径130mm的圆筒型。坩埚e1的内底面呈半球状凹陷。在本实施例中使用的晶种为sic单晶。安装于晶种轴的sic晶种的直径为2英寸。对于si－c溶液的原料，按照原子比，si：cr＝6：4。sic晶种附近的温度为1950度。晶体生长时间为10小时。

坩埚e2是在坩埚e1的筒部的外周面形成有沿着筒部的轴线方向自筒部的下端延伸到上端的8个槽的结构。各槽绕筒部的轴线等间隔地配置。在槽的尺寸中，宽度为6mm，深度为4mm，长度为155mm。坩埚e2的其他结构与坩埚e1的结构相同。并且，sic单晶的制造条件与在使用坩埚e1制造sic单晶时的制造条件相同。

[评价]

使用光学显微镜观察了制得的sic单晶的晶体生长面的表面。

图11是利用坩埚e1制得的sic单晶的晶体生长面的表面的放大照片。参照图11，确认了在晶体表面附着有很多sic多晶。

图12是利用坩埚e2制得的sic单晶的晶体生长面的表面的放大照片。参照图12，确认了在晶体表面基本上未附着有sic多晶。在本实施方式的sic单晶的制造方法中，即使使用内径比以往大的坩埚，也能够制造出优质的sic单晶。

以上，详细叙述了本发明的实施方式，但这些实施方式毕竟是例示，本发明丝毫不限定于上述实施方式。

附图标记说明

3、感应加热装置；5、50、坩埚；51、筒部；51a、筒部外周面；52、520、底部；52a、底部外周面；52b、520b、底部内底面；52c、底部外底面；7、si－c溶液；10、100、槽。