技术特征：
1.一种物理气相沉积制备碳化硅晶体的坩埚，包括坩埚本体（1）和坩埚上盖（2），所述坩埚上盖（2）位于坩埚本体（1）的上端，其特征在于，所述坩埚本体（1）内的底部竖直设有多块导热片（10），且导热片（10）之间相互平行，所述坩埚本体（1）的内侧壁上设有凸块（6），所述凸块（6）的上端设有圆形挡板（5），所述圆形挡板（5）上设有通孔，所述圆形挡板（5）的上侧设有多个空心柱（7），所述圆形挡板（5）的下部空间通过通孔与空心柱（7）的内腔连通，所述空心柱（7）远离圆形挡板（5）的一端为封闭结构，所述空心柱（7）以圆形挡板（5）的轴线呈圆周对称，所述空心柱（7）的侧壁等间距设有透气孔（8），所述坩埚上盖（2）的下端设有凹槽，所述凹槽内设有籽晶（3）。2.根据权利要求1所述的一种物理气相沉积制备碳化硅晶体的坩埚，其特征在于，所述导热片（10）的数量为3-6个，所述导热片（10）为波浪形导热片，所述导热片（10）和坩埚本体（1）为一体成型。3.根据权利要求1所述的一种物理气相沉积制备碳化硅晶体的坩埚，其特征在于，所述空心柱（7）的直径为1.2-1.8mm，所述空心柱（7）的数量为4-12个。4.根据权利要求3所述的一种物理气相沉积制备碳化硅晶体的坩埚，其特征在于，所述空心柱（7）的直径为1.4-1.6mm，所述空心柱（7）的数量为7-9个。5.根据权利要求1所述的一种物理气相沉积制备碳化硅晶体的坩埚，其特征在于，所述籽晶（3）为圆柱形籽晶。