技术总结
本发明涉及物理气相沉积制备碳化硅晶体领域，特别涉一种物理气相沉积制备碳化硅晶体的坩埚，包括坩埚本体和坩埚上盖，所述坩埚上盖位于坩埚本体的上端，所述坩埚本体内的底部竖直设有多块导热片，且导热片之间相互平行，所述坩埚本体的内侧壁上设有凸块，所述凸块的上端设有圆形挡板，所述圆形挡板的上侧设有多个空心柱，所述圆形挡板的下部空间通过通孔与空心柱的内腔连通，所述空心柱远离圆形挡板的一端为封闭结构，所述空心柱以圆形挡板的轴线呈圆周对称。本发明可以通过置换不同空心柱数量的圆形挡板调整相互混合的浓度，可以使得晶体生长过程中沉积入晶体内的添加剂浓度保持基本恒定，提高生长的碳化硅晶体电阻率轴向和径向均匀性，值得推广。
技术研发人员：张松林;周君君;
受保护的技术使用者：成都超迈南光科技有限公司;
文档号码：201610175716
技术研发日：2016.03.27
技术公布日：2016.07.06