1.一种改善反应器中的多晶硅生长的方法，包括
将包含三氯硅烷和二氯硅烷的氯硅烷进料组合物引入到沉积室中，其中所述沉积室包含基材；
将所述氯硅烷进料组合物与氢气共混以形成进料组合物；
调整进入到所述沉积室中的氯硅烷和氢气的基线流，以实现预定的总流量和预定的氯硅烷进料组合物设定点；
将压力施加到所述沉积室并且将能量施加到所述沉积室中的所述基材以形成多晶硅；
测量存在于所述氯硅烷进料组合物中的二氯硅烷的量；
通过与存在于所述氯硅烷进料组合物中的二氯硅烷的所述量成反比的量调整所述氯硅烷进料组合物设定点；以及
将所述所形成的多晶硅沉积到所述基材上。
2.根据权利要求1所述的方法，其中测量存在于所述氯硅烷进料组合物中的二氯硅烷的所述量还包括从存在于所述氯硅烷进料组合物中的二氯硅烷的目标值确定偏移值。
3.根据权利要求2所述的方法，其中通过与所述二氯硅烷偏移值成反比的量调整所述氯硅烷进料组合物设定点。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中将所述所形成的多晶硅沉积到所述基材上通过选自以下的化学气相沉积方法来实现：化学气相沉积、大气压化学气相沉积、高压化学气相沉积、热丝化学气相沉积、混合物理-化学气相沉积，以及快速热化学气相沉积。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述沉积室中的所述压力大于或等于0.5帕斯卡，并且其中所述沉积室内的所述气体温度小于或等于750℃。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述基材温度大于或等于900℃。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，还包括预先确定随批次运行时间而变化的所述总流量和所述氯硅烷进料组合物设定点。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中进一步调整所述总流量和所述氯硅烷进料组合物设定点以维持所述沉积室中的气体温度低于预定阈值。
9.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，还包括调整随氯硅烷进料组合物流量而变化的施加到所述基材的能量的量。
10.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述氯硅烷进料组合物包含1至15摩尔％二氯硅烷。
11.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中氯硅烷组合物设定点调整的所述量由比例常数确定。
12.根据权利要求13所述的方法，其中所述比例常数基于从所述沉积室收集的历史数据，或者其中所述比例常数基于所述沉积室的实验运行。
13.根据权利要求1-3或12中任一项所述的方法，其中在所述反应器的批次运行期间连续测量存在于所述氯硅烷进料组合物中的二氯硅烷的所述量。
14.根据权利要求1-3或12中任一项所述的方法，其中所述氯硅烷进料组合物与氢预共混。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述预共混的氯硅烷进料组合物包含10-55摩尔％氢。