技术总结
本发明提供了一种改善反应器中的多晶硅生长的方法，所述方法包括：将包含三氯硅烷和二氯硅烷的氯硅烷进料组合物引入到沉积室中，其中所述沉积室包含基材；将所述氯硅烷进料组合物与氢气共混以形成进料组合物；调整进入到所述沉积室中的氯硅烷和氢气的基线流，以实现预定的总流量和预定的氯硅烷进料组合物设定点；将压力施加到所述沉积室并且将能量施加到所述沉积室中的所述基材以形成多晶硅；测量存在于所述氯硅烷进料组合物中的二氯硅烷的量并且从存在于所述氯硅烷进料组合物中的二氯硅烷的目标值确定偏移值；通过与所述二氯硅烷偏移值成反比的量调整所述氯硅烷进料组合物设定点；以及将所述所形成的多晶硅沉积到所述基材上。
技术研发人员：约翰·维克托·布奇;马克·理查德·斯塔乔维克;查尔斯·艾伦·斯蒂比茨
受保护的技术使用者：赫姆洛克半导体公司
文档号码：201610701107
技术研发日：2016.08.22
技术公布日：2017.03.08