本发明属于食用菌种植技术领域，具体地，涉及一种促进秀珍菇生长的培养基及其制备方法。
背景技术：
秀珍菇，学名环柄香菇，秀珍菇因外形悦目、鲜嫩清脆、味道鲜美、营养丰富而获食客好评。秀珍菇的营养价值相当于牛奶。鲜菇中蛋白质含量丰富，氨基酸种类较多，人体必需的8种氨基酸齐全。秀珍菇的抗腐生能力强，容易栽培，但目前的培养料普遍存在产量低的缺点。
技术实现要素：
本发明的第一个目的是克服上述缺点，提供一种促进秀珍菇生长的培养基。
本发明的第二个目的是提供上述培养基的制备方法。
本发明的目的通过以下技术方案来具体实现：
一种促进秀珍菇生长的培养基，所述培养基由如下重量份的原料组成：玉米芯25-30份、玉米秸秆20-25份、板栗皮15-20份、棉籽壳15-20份、花生皮10-15份、麦壳5-10份、麸皮5-10份、豆饼5-8份、玉米面3-5份、石灰3-5份、磷酸氢二钾1-2份、尿素1-1.5份、甲基对硫磷0.2-0.3份、萘乙酸钠0.1-0.3份。
上述促进秀珍菇生长的培养基的制备方法，包括如下步骤：
（1）将玉米芯、玉米秸秆、板栗皮、棉籽壳、花生皮破碎后，加入麦壳混合；
（2）将麸皮、豆饼、玉米面、石灰、磷酸氢二钾、尿素混合；
（3）步骤（1）和步骤（2）得到的料混合，加入混合料重量30-40%的水，将混合料堆成上宽1-1.2m，下宽1.3-1.6m，高0.8-1.2m的梯形堆，在料堆侧面0.5-0.9m高度处，每隔0.5m斜向下打一个直径15cm的圆孔，盖上草席；
（4）当料堆温度达到35-40℃时，维持16h，进行翻堆，翻堆时，将甲基对硫磷溶于水中喷洒到培养基上，再按步骤（3）的方法堆料；
（5）当料堆温度达到55-60℃时，维持20h，进行翻堆，翻堆时，将萘乙酸钠加入到培养基中混合，再按步骤（3）的方法堆料；
（6）当料堆温度达到35-40℃时，维持24h，拆料堆，即得。
进一步的，所述步骤（4）中甲基对硫磷溶于水的浓度为1-1.5wt%。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的促进秀珍菇生长的培养基，能够充分满足秀珍菇生长过程中对碳源和氮源的需求，能够促进秀珍菇的生长，在其他管理条件相同的情况下，使用该培养基培能够提高产量10%以上。
具体实施方式
实施例1
一种促进秀珍菇生长的培养基，由如下原料组成：玉米芯250kg、玉米秸秆250kg、板栗皮150kg、棉籽壳200kg、花生100kg、麦壳100kg、麸皮50kg、豆饼80kg、玉米面30kg、石灰50kg、磷酸氢二钾10kg、尿素15kg、甲基对硫磷2kg、萘乙酸钠3kg。
制备方法包括如下步骤：
（1）将玉米芯、玉米秸秆、板栗皮、棉籽壳、花生皮破碎后，加入麦壳混合；
（2）将麸皮、豆饼、玉米面、石灰、磷酸氢二钾、尿素混合；
（3）步骤（1）和步骤（2）得到的料混合，加入385.5kg水，将混合料堆成上宽1-1.2m，下宽1.3-1.6m，高0.8-1.2m的梯形堆，在料堆侧面0.5-0.9m高度处，每隔0.5m斜向下打一个直径15cm的圆孔，盖上草席；
（4）当料堆温度达到35-40℃时，维持16h，进行翻堆，翻堆时，将甲基对硫磷溶于198kg水中喷洒到培养基上，再按步骤（3）的方法堆料；
（5）当料堆温度达到55-60℃时，维持20h，进行翻堆，翻堆时，将萘乙酸钠加入到培养基中混合，再按步骤（3）的方法堆料；
（6）当料堆温度达到35-40℃时，维持24h，拆料堆，即得。
实施例2
一种促进秀珍菇生长的培养基，由如下原料组成：玉米芯300kg、玉米秸秆200kg、板栗皮200kg、棉籽壳150kg、花生皮150kg、麦壳50kg、麸皮100kg、豆饼50kg、玉米面50kg、石灰30kg、磷酸氢二钾20kg、尿素10kg、甲基对硫磷3kg、萘乙酸钠1kg。
制备方法包括如下步骤：
（1）将玉米芯、玉米秸秆、板栗皮、棉籽壳、花生皮破碎后，加入麦壳混合；
（2）将麸皮、豆饼、玉米面、石灰、磷酸氢二钾、尿素混合；
（3）步骤（1）和步骤（2）得到的料混合，加入524kg水，将混合料堆成上宽1-1.2m，下宽1.3-1.6m，高0.8-1.2m的梯形堆，在料堆侧面0.5-0.9m高度处，每隔0.5m斜向下打一个直径15cm的圆孔，盖上草席；
（4）当料堆温度达到35-40℃时，维持16h，进行翻堆，翻堆时，将甲基对硫磷溶于197kg水中喷洒到培养基上，再按步骤（3）的方法堆料；
（5）当料堆温度达到55-60℃时，维持20h，进行翻堆，翻堆时，将萘乙酸钠加入到培养基中混合，再按步骤（3）的方法堆料；
（6）当料堆温度达到35-40℃时，维持24h，拆料堆，即得。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。