1.一种N浓度分布均衡的GaN晶体生长装置，包括密封釜体(1)，所述釜体(1)内设有坩埚(2)，所述坩埚(2)装设有金属镓与金属钠混合组成的生长溶液(3)，其特征在于：所述釜体(1)的上盖连接有伸入生长溶液(3)的被动搅拌轴(4)，所述被动搅拌轴(4)的下端两侧设有L形搅拌叶(5)，所述被动搅拌轴(1)及L形搅拌叶(5)中设有连通的通N管道(6)，所述坩埚(2)底侧通过固定件(7)固定支撑有GaN籽晶(8)，所述坩埚(2)的下端设有可加热的驱动转盘(9)，所述驱动转盘(9)通过转轴(10)连接有位于釜体(1)外的转动电机(11)。
2.根据权利要求1所述的一种N浓度分布均衡的GaN晶体生长装置，其特征在于：所述被动搅拌轴(4)的上端连接有提升机构。
3.根据权利要求1所述的一种N浓度分布均衡的GaN晶体生长装置，其特征在于：所述被动搅拌轴(1)与两侧的L形搅拌叶(1)为一体结构。
4.根据权利要求1所述的一种N浓度分布均衡的GaN晶体生长装置，其特征在于：所述通N管道(6)的上端连接有流量可控制的N源供应转轴。
5.根据权利要求1所述的一种N浓度分布均衡的GaN晶体生长装置，其特征在于：所述釜体(1)与转轴(10)连接处设有轴封。