技术总结
本实用新型公开了一种N浓度分布均衡的GaN晶体生长装置，包括密封釜体，釜体内设有坩埚，坩埚装设有金属镓与金属钠混合组成的生长溶液，釜体的上盖连接有被动搅拌轴，被动搅拌轴的下端两侧设有L形搅拌叶，被动搅拌轴及L形搅拌叶中设有连通的通N管道，坩埚底侧支撑有GaN籽晶，坩埚的下端设有可加热的驱动转盘，驱动转盘通过转轴连接有位于釜体外的转动电机。本实用新型利用驱动转盘和被动搅拌机构的配合对GaN生长溶液进行搅拌，被动搅拌机构内设有通N管道，能够在搅拌的同时通N，从而改善生长溶液中N浓度分布均衡性，保障目标籽晶处的液相外延生长。
技术研发人员：张新峰
受保护的技术使用者：张新峰
文档号码：201620579933
技术研发日：2016.06.15
技术公布日：2016.11.30