一种SiC涂层石墨基座的制作方法

技术总结
本实用新型提出一种用于蓝、绿光外延片生长的SiC涂层石墨基座，包括基座体和所述基座体上的多个口袋，通过对石墨基座不同位置处的口袋设置不同的深度，且对于口袋底部形状进行额外设置，从而实现基座上衬底的温度一致性，把中心片利用起来，提高整炉外延片的良率，提高产能，降低成本。

技术研发人员：李西维;詹国彬
受保护的技术使用者：上海东洋炭素有限公司
文档号码：201621268056
技术研发日：2016.11.23
技术公布日：2017.09.05