一种SiC涂层石墨基座的制作方法

本实用新型涉及石墨基座技术领域，特别是涉及一种适用于所有用于蓝绿光LED外延片外延生长的MOCVD反应室的SiC涂层石墨基座。

背景技术：

LED外延片是指在一块加热至适当温度的衬底基片上所生长出的特定单晶薄膜。外延片处于LED产业链中的上游环节，是半导体照明产业技术含量最高、对最终产品品质、成本控制影响最大的环节。近年来，用于LED外延片生产的新机台层出不穷，其中CRIUS II XL D530 4"-19P机台在广大外延厂得到了广泛的应用。CRIUS II XL D530 4"-19P机台主要用于生长蓝绿光LED，蓝绿光LED用于氮化镓(GaN)研究的衬底材料比较多，但是能用于生产的衬底目前只有二种，即蓝宝石Al₂O₃和碳化硅SiC衬底。

对于承载衬底的基座的要求包括：耐高温、热传导率均匀、耐腐蚀、具有较强的抗热应力能力，故该基座一般都采用石墨基座。但是石墨基座会挥发杂质及被氨气腐蚀，故需在石墨基座表面进行SiC涂层。SiC涂层石墨基座的膜厚一般在80-120μm之间，同时要求SiC涂层厚薄均匀，不能出现凸点。CRIUS II XL D530 4"-19P机台使用的基座是SiC涂层石墨基座，该基座上一共有19个4英寸(4")的口袋(POCKET)。该石墨基座外径比较大，加热器在基座底部要分布均匀，但是中心温度仍然相对比较低，故外延厂普遍使用18个口袋进行生长，中心口袋采用假片的方式进行生长。为了降低成本，提高产能，中心口袋一直被希望利用起来。

技术实现要素：

为了解决上述背景技术中存在的问题，本实用新型提供一种SiC涂层石墨基座，通过对石墨基座不同位置处的口袋(POCKET)设置不同的深度，且对于口袋底部形状进行额外设置，从而实现基座上衬底的温度一致性，提高整炉外延片的良率，提高产能，降低成本。

具体来说，本实用新型提供一种SiC涂层石墨基座，包括基座体和基座体上的多个口袋，其中，所述口袋内有台阶，基座体中心位置口袋的台阶低于其他位置口袋的台阶，且基座体中心位置口袋的底部凸起，使得底面中心高于底面四周。

进一步地，基座体中心位置口袋的台阶比其他位置口袋的台阶低20-100μm，优选50-100μm。

进一步地，基座体中心位置口袋的底面中心比底面四周高5-40μm，优选10-40μm，更优选10-20μm。

进一步地，基座体具有19个4英寸(4")口袋。

本实用新型的目的在于对现有的SiC涂层石墨基座不同位置的口袋的台阶高度和底面进行设置，加深中心口袋台阶深度并使中心口袋底部凸起，提高中心衬底片温度，保证整盘衬底的温度一致性，从而把中心片利用起来，提高蓝、绿光外延片的产量及良率。本实用新型的SiC涂层石墨基座尤其适用于CRIUS II XL D530 4"-19P机台使用。

附图说明

图1为现有D530 4"-19P SiC涂层石墨基座的中心口袋剖面示意图。

图2为本实用新型SiC涂层石墨基座的中心口袋剖面示意图。

图3为本实用新型SiC涂层石墨基座的俯视图。

具体实施方式

以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。

如图1所示，显示了现有技术D530 4"-19P SiC涂层石墨基座的中心口袋剖面示意图。用于蓝、绿光外延片生长的D530 4"-19P SiC涂层石墨基座包括基座体1和口袋2，口袋2中加工有台阶3，用于承载衬底，中心口袋的台阶与周围口袋的台阶高度相同；口袋2的底面4为平面。在该例中，中心口袋2中衬底的温度低于周围口袋2中衬底的温度。

如图2所示，显示了本实用新型SiC涂层石墨基座的中心口袋剖面示意图。本实用新型用于蓝、绿光外延片生长的SiC涂层石墨基座包括基座体1和口袋2(中心位置口袋2A)，基座体1用于支撑和热传导的作用，从而使衬底均匀地受热。其中，中心位置口袋2A的台阶3A比其他位置口袋2的台阶3低60μm；中心位置口袋2A的底面4A的中心比四周高18μm。在该例中，相比于现有技术，中心位置口袋2A中的衬底温度得到提高，从而保证了整盘衬底的温度一致性。

如图3所示，显示了本实用新型SiC涂层石墨基座的俯视图。其中，中心位置口袋的台阶比其他位置口袋的台阶低，且中心位置口袋的底面中心比底面四周高。在一个具体实施方案中，基座体具有19个口袋，这些口袋为4"口袋。该SiC涂层石墨基座尤其适用于CRIUS II XL D530 4"-19P机台使用。

通过本实用新型，将中心口袋设计成与周围口袋不同深度(原本所有口袋/台阶深度相同)，把中心口袋台阶加深20-100μm、底部凸5-40μm，从而提高中心衬底温度，保证中心衬底与其他衬底温度一致，从而把中心口袋利用起来，不再使用假片，提高外延片的产量，降低外延片成本。

本说明书中所述的只是本实用新型的较佳具体实施例，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对本实用新型的限制。凡本领域技术人员依本实用新型的构思通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在本实用新型的范围之内。