1.一种制备低硼杂质浓度SiC单晶的坩埚结构，其特征在于，包含石墨坩埚、籽晶、粉料和节流装置，其中，所述籽晶设置在所述石墨坩埚的顶部，所述粉料设置在所述石墨坩埚的底部，所述节流装置设置在所述粉料及所述籽晶之间，用于使粉料升华的气相生长组分在输运至籽晶前经历结晶-再升华过程，从而在一次生长过程中做到原料提纯，进而降低单晶中的硼杂质,其中,所述节流装置的孔隙率在30-60%,所述节流装置的气体透过率与坩埚侧壁的气体透过率比在10-1000之间。
2.如权利要求1所述的坩埚结构，其特征在于，所述节流装置沿坩埚的高度方向设置为多个，并且在所述节流装置在数量大于1时，相邻两个节流装置间距不小于5mm。
3.如权利要求1所述的坩埚结构，其特征在于，所述节流装置由能够耐受2500℃以上温度的多孔材料或复合材料构成，包含但不仅限于多孔石墨。
4.如权利要求1所述的坩埚结构，其特征在于，所述粉料为SiC多晶粉料，其硼杂质浓度不大于0.5ppmw；所述籽晶的晶型为4H-SiC、6H-SiC或15R-SiC；所述石墨坩埚为等静压石墨构成，密度大于1.7g/cm3，所述石墨坩埚的B杂质浓度不大于1ppmw。
5.如权利要求4所述的坩埚结构，其特征在于，所述粉料硼杂质浓度不大于0.2ppmw。