技术总结
本实用新型提供了一种制备低硼杂质浓度SiC单晶的生产装置，以实现低硼杂质浓度SiC单晶的制备。本实用新型主要是一种物理气相传输方法的改良生产装置，通过在物理气相传输方法的改良生产装置中，在粉料与籽晶间引入了节流装置，该节流装置能够使粉料升华的气相生长组分在输运至籽晶前经历若干次‘结晶‑再升华’过程，在一次生长过程中做到原料提纯，进而降低单晶中B杂质。由此，降低了低B杂质浓度单晶制备对粉料纯度的依赖，降低生长成本；在生长过程中，对原料进行了提纯，提高了低B杂质浓度单晶的制备效率。
技术研发人员：杨昆;杨继胜;高宇;郑清超
受保护的技术使用者：河北同光晶体有限公司
文档号码：201621345290
技术研发日：2016.12.09
技术公布日：2017.06.13