1.一种生长不同晶体结构碳化硅单晶的装置，其特征在于：包括石墨坩埚、石墨盖板和至少一个石墨环形支撑，用于生长多个不同晶体结构的碳化硅单晶，其中，
所述石墨坩埚上盖的内表面设有多个丝扣，用于连接所述石墨盖板，所述石墨坩埚的侧壁具有间隔地设有相同的多个凸台，用于支撑所述石墨环形支撑，在所述凸台的上方侧壁设有多个丝扣，用于固定所述石墨环形支撑；
所述石墨盖板位于所述石墨坩埚上盖与顶端的所述石墨环形支撑之间，其上部和底部均设有多个丝扣，用于分别连接所述石墨坩埚上盖和顶端的所述石墨环形支撑，增加所述装置的保温和封闭性；
所述石墨环形支撑具有间隔地位于所述凸台上，且其平面上设有多个气孔，每个所述气孔的面积均不小于2 cm2，用于热量的传递，所述石墨环形支撑的侧表面设有多个丝扣，用于固定于所述凸台的上方侧壁，顶端的所述石墨环形支撑的上表面还设有多个丝扣，用于连接所述石墨盖板，所述石墨环形支撑的下表面设有固定槽，用于固定不同结构的碳化硅籽晶。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述丝扣至少为2个。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述凸台为圆柱体，其高度为10cm。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述石墨环形支撑的外径与所述石墨坩埚侧壁的间距相等。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述气孔的形状为圆形、方形或三角形，成周期性排列或不规则排列。
6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述籽晶为2H、4H、6H、3C或15R晶型，长度均为2-8寸，厚度均为200-500μm。