技术总结
本发明提供了一种可控宏量制备二硫化钼纳米条带的方法，其包括如下步骤：（1）将一定量的含硫混合物和三氧化钼模板分别放置在两个托盘中，然后将两个所述托盘分别放入双温区管式炉的两个温区内；（2）将放置三氧化钼模板的温区升温至200℃‑1500℃，并保温1min‑5h；（3）同时将放置含硫混合物的温区升温至100℃‑900℃，并保温1min‑5h；（4）保温结束后停止加热，待所述双温区管式炉的炉膛降温后则可得到位于二氧化钼纳米片边缘的二硫化钼纳米条带。本发明生产设备更加简单，与现有的物理制备方法相比，不需要昂贵的电子束（离子束）设备，成本低廉；产物二硫化钼纳米条带性质稳定，并且条带的厚度可控。
技术研发人员：黄青松;齐瑞峰;毕晓峰
受保护的技术使用者：四川大学
文档号码：201710014734
技术研发日：2017.01.10
技术公布日：2017.06.13