技术特征：
技术总结
本发明涉及多晶硅、FZ单晶硅以及它们的制造方法。本发明提供一种适合用于稳定地制造单晶硅的多晶硅。以如下多晶硅作为原料制造FZ单晶硅时，FZ单晶化的工序中的晶体线消失得到显著地抑制，该多晶硅是在基于西门子法的合成结束后实施热处理、通过该热处理使以密勒指数面<111>和<220>作为主面的晶粒生长成而得的多晶硅，并且该多晶硅在上述热处理后的来自密勒指数面<111>和<220>的X射线衍射强度与上述热处理前的X射线衍射强度相比均为1.5倍以下。
技术研发人员：宫尾秀一;祢津茂义
受保护的技术使用者：信越化学工业株式会社
技术研发日：2017.02.17
技术公布日：2017.10.20