本发明涉及一种碳酸钴制备方法及超细钴粉制备方法，属于钴粉制备技术领域。
背景技术：
碳酸钴是一种红色单斜晶系结晶或粉末，有毒，刺激眼睛、呼吸系统和皮肤。主要用作选矿剂、催化剂、伪装涂料的颜料、饲料、微肥、陶瓷及生产氧化钴的原料。红色单斜晶系结晶或粉末，相对密度4.13，几乎不溶于水、醇、乙酸甲酯和氨水，可溶于酸，不与冷的浓硝酸和浓盐酸起作用，加热400℃开始分解，并放出二氧化碳，空气中或弱氧化剂存在下，逐渐氧化成碳酸高钴。盐酸法金属钴或含钴废料与盐酸反应生成氯化钴溶液后，再加入碳酸钠反应，生成碳酸钴沉淀，经漂洗、离心分离、烘干，制得碳酸钴成品。主要用作制氯化钴、硫酸钴、氧化钴、金属钴及环烷酸钴，也用作制变色颜料、玻璃颜料、陶瓷、饲料微量元素添加剂和微量元素肥料；用作制造氧化钴，是制造是制造锂电池正极材料的原料；陶瓷工业用作着色剂，用于钴盐制造和瓷器的着色；采矿业中用作选矿剂，有机工业用于制造催化剂、伪装涂料和化学温度指示剂，农业上用作微量元素肥料，分析化学中用作分析试剂。
碳酸钴及钴粉在工业技术领域中具有广泛的用途，要求碳酸钴粉末具有较低的松装密度，较小的粒径。目前，制备碳酸钴及钴粉方法步骤复杂，制备条件苛刻，生产效益低，而且所制备的碳酸钴及钴粉容易团聚，粒径不均匀，不能满足工业生产的需要。为此，需要设计一种新的技术方案，能够综合性地克服上述现有技术中存在的不足。
技术实现要素：
本发明正是针对现有技术存在的不足，提供一种碳酸钴制备方法及超细钴粉制备方法，解决现有技术中生产效益低， 碳酸钴松装密度高、粒径不均匀的技术问题，以及超细钴粉制备方法，满足了实际使用要求。
为解决上述问题，本发明所采取的技术方案如下：
一种碳酸钴制备方法，包括如下步骤：
步骤（1）：在温度为0-28度，pH值为5.5-8.0条件下，将钴盐溶液和可溶性碳酸盐或可溶性碳酸氢盐混合，反应后微孔过滤，收集滤渣并洗涤；
步骤（2）：将洗涤后的滤渣再进行酸洗、结晶和过滤，最后对过滤后的结晶体在60-80度条件下负压干燥，得到碳酸钴前体；
步骤（3）：将所述碳酸钴前体进行气流破碎、分级处理，得到碳酸钴成品。
作为上述技术方案的改进，所述钴盐和所述可溶性碳酸盐或可溶性碳酸氢盐的摩尔比例为1：2～3，所述钴盐和可溶性碳酸氢盐的浓度比为1:0.5～1.5。
作为上述技术方案的改进，所述钴盐溶液和可溶性碳酸盐或可溶性碳酸氢盐的反应时间为0.5～4.0小时。
作为上述技术方案的改进，所述干燥的压强为-0.1～0MPa，所述干燥时间为 6～12小时，所述干燥温度为65～85度。
具体地，一种超细钴粉制备方法，包括如下步骤：
步骤（4）：将权利要求1～4任一项所述的碳酸钴制备方法所制备得到的碳酸钴在温度为300～500度条件下进行还原处理，得到超细钴粉前体；
步骤（5）：将所述超细钴粉前体进行气流破碎、分级研磨，得到超细钴粉。
作为上述技术方案的改进，所述还原处理的气氛为还原性气氛，所述还原处理的时间为2～10小时。
本发明与现有技术相比较，本发明的实施效果如下：
本发明所述的一种碳酸钴制备方法及超细钴粉制备方法，解决现有技术中生产效益低， 碳酸钴松装密度高、粒径不均匀的技术问题，以及超细钴粉制备方法，满足了实际使用要求。
具体实施方式
下面将结合具体的实施例来说明本发明的内容。
本发明所述的一种碳酸钴制备方法，包括如下步骤：
步骤（1）：在温度为0-28度，pH值为5.5-8.0条件下，将钴盐溶液和可溶性碳酸盐或可溶性碳酸氢盐混合，反应后微孔过滤，收集滤渣并洗涤；
步骤（2）：将洗涤后的滤渣再进行酸洗、结晶和过滤，最后对过滤后的结晶体在60-80度条件下负压干燥，得到碳酸钴前体；
步骤（3）：将所述碳酸钴前体进行气流破碎、分级处理，得到碳酸钴成品。
具体地，所述钴盐和所述可溶性碳酸盐或可溶性碳酸氢盐的摩尔比例为1：2～3，所述钴盐和可溶性碳酸氢盐的浓度比为1:0.5～1.5；所述钴盐溶液和可溶性碳酸盐或可溶性碳酸氢盐的反应时间为0.5～4.0小时；所述干燥的压强为-0.1～0MPa，所述干燥时间为 6～12小时，所述干燥温度为65～85度。
更具体地，一种超细钴粉制备方法，包括如下步骤：
步骤（4）：将权利要求1～4任一项所述的碳酸钴制备方法所制备得到的碳酸钴在温度为300～500度条件下进行还原处理，得到超细钴粉前体；
步骤（5）：将所述超细钴粉前体进行气流破碎、分级研磨，得到超细钴粉。
其中，所述还原处理的气氛为还原性气氛，所述还原处理的时间为2～10小时。
本发明解决现有技术中生产效益低， 碳酸钴松装密度高、粒径不均匀的技术问题，以及超细钴粉制备方法，满足了实际使用要求。
附注：本发明实施例的碳酸钴以及钴粉的制备方法，工艺条件温和，生产效益高，所得到的碳酸钴松装密度低，粒径均匀，适于工业化生产。
以上内容是结合具体的实施例对本发明所作的详细说明，不能认定本发明具体实施仅限于这些说明。对于本发明所属技术领域的技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明保护的范围。