一种生长高利用率的碳化硅单晶生长装置的制作方法

技术特征：

1.一种生长高利用率的碳化硅单晶生长装置，包括坩埚(1)、坩埚盖(2)、石墨软毡保温层(3)、感应线圈(4)，所述坩埚盖(2)位于顶部封闭所述坩埚(1)，所述坩埚盖(2)内侧中心突出区域粘合有籽晶片(5)，所述石墨软毡保温层(3)包覆所述坩埚的周围、顶部、底部，所述感应线圈(4)围绕石墨软毡保温层(3)设置，其特征在于：所述坩埚(1)内底部中心开设有安装槽(6)，所述安装槽(6)上放置一中心核心件(7)，所述中心核心件(7)内设有相适配的中心过滤挡板(8)，所述中心核心件(7)顶端与坩埚(1)内侧壁之间架设有中心核心挡环(9)。

2.根据权利要求1所述的一种生长高利用率的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述石墨软毡保温层(3)设有1-4层，每层厚度为5-10mm，所述坩埚(1)上部及下部的转接处多增设1-2层石墨软毡保温层(3)。

3.根据权利要求1所述的一种生长高利用率的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述石墨毡保温层(3)与感应线圈(4)之间套设有一石英筒(10)。

4.根据权利要求1所述的一种生长高利用率的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述中心核心件(7)为下窄上宽且有Nb、Ta镀层的多孔石墨桶，所述中心核心件(7)内和两侧与坩埚(1)内侧壁之间的空隙放置有纯度为5-6N的碳化硅粉末(11)。

5.根据权利要求1所述的一种生长高利用率的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述中心过滤挡板(8)为有Nb、Ta镀层的多孔石墨挡板，所述中心核心挡环(9)为有Nb、Ta镀层的高密度石墨挡环。