技术总结
本实用新型公开了一种生长高利用率的碳化硅单晶生长装置，包括坩埚、坩埚盖、石墨软毡保温层、感应线圈，所述坩埚盖位于顶部封闭所述坩埚，所述坩埚盖内侧中心突出区域粘合有籽晶片，所述石墨软毡保温层包覆所述坩埚的周围、顶部、底部，所述感应线圈围绕石墨软毡保温层设置，所述坩埚内底部中心开设有安装槽，所述安装槽上放置一中心核心件，所述中心核心件内设有相适配的中心过滤挡板，所述中心核心件顶端与坩埚内侧壁之间架设有中心核心挡环。本实用新型中心核心件设计，重新设定原料位置，提高到达各个位置的原料升华蒸气均匀度，减小晶体凸出率，从而降低晶体应力及缺陷，提高了原料的利用率，减少原料使用量。 1
技术研发人员：张洁;陈华荣
受保护的技术使用者：福建北电新材料科技有限公司
技术研发日：2017.11.02
技术公布日：2018.06.15