一种高强石墨烯膜及其制备方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开了一种超薄高强度石墨烯膜及其制备方法，该石墨烯膜由氧化石墨烯经真空过滤成膜、化学还原、固相转移、金属喷涂、中温碳化、绿气氯化、高温石墨化等步骤得到。该薄膜整体为石墨烯结构，片层间有大量层间交联结构。整体薄膜厚度为20‑50nm。此石墨烯膜电导率可控、强度可调，可用作高强导电器件。

技术研发人员：高超;彭蠡;刘一晗;郭燕
受保护的技术使用者：杭州高烯科技有限公司;浙江大学
技术研发日：2018.07.10
技术公布日：2018.11.16