一种碳化硅粉表面处理生产工艺及其使用方法与流程

文档序号:23105237发布日期:2020-11-27 13:32阅读:228来源:国知局

本发明涉及一种碳化硅粉表面处理生产工艺及其使用方法,属于碳化硅粉技术领域。



背景技术:

是指利用jzfz设备来进行超细粉碎分级的微米级碳化硅粉体。碳化硅微粉主要为1200#和1500#为主,由于碳化硅微粉主要用于磨料行业,所以对微粉的分级有特殊要求,微粉中不能有大颗粒出现,所以为达国际和国内产品要求,一般生产都采用jzf分级设备来进行高精分级。国内碳化硅微粉主要为黑碳化硅微粉和绿碳化硅微粉。

目前现有碳化硅粉中的杂质较多,而且提纯工艺较为复杂,碳化硅粉的表面处理技术比较繁琐,导致生产成本增加,针对上述情况,在现有的提纯工艺的基础上进行技术创新。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种碳化硅粉表面处理生产工艺及其使用方法,以解决上述背景技术中提出的现有碳化硅粉中的杂质较多,而且提纯工艺较为复杂,碳化硅粉的表面处理技术比较繁琐,导致生产成本增加的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种碳化硅粉表面处理生产工艺,具体步骤如下:

步骤a、将含有碳化硅粉和杂质的混合物在180-330目的筛子下进行筛选,得到硅粉混合物;

步骤b、将步骤a中得到的碳化硅粉混合物至于浮选液中,并进行搅拌,搅拌时间为20-40min,然后向混合液中持续通入空气,然后等待混合液静置分层,得到上层的碳化硅粉,取出上层的碳化硅粉,然后用去离子水清洗3-7遍,甩干;

步骤c、将步骤b中得到的碳化硅粉送入球磨机中进行研磨15-55min,取出,备用;

步骤d、将碳化硅粉预热到50-80摄氏度,持续搅拌15-35min,搅拌的过程中持续喷撒雾状的表面处理剂,处理剂喷撒完毕后将碳化硅粉加热到100-150摄氏度,持续搅拌20-60min,且搅拌速度为100-400r/min,然后搅拌完毕后将碳化硅粉在烘干机中烘干,得到成型的碳化硅粉;

所述表面处理剂的成分包括以下重量分数计的各试剂组成:乙醇60-75%、有机氟10-18%、甲基丙烯酰胺基丙基三甲氧硅烷10-16%、强化剂10-20%、余量为水。

优选的,所述具体步骤如下:步骤a、将含有碳化硅粉和杂质的混合物在200-300目的筛子下进行筛选,得到硅粉混合物;

步骤b、将步骤a中得到的碳化硅粉混合物至于浮选液中,并进行搅拌,搅拌时间为25-35min,然后向混合液中持续通入空气,然后等待混合液静置分层,得到上层的碳化硅粉,取出上层的碳化硅粉,然后用去离子水清洗4-6遍,甩干;

步骤c、将步骤b中得到的碳化硅粉送入球磨机中进行研磨25-45min,取出,备用;

步骤d、将碳化硅粉预热到60-70摄氏度,持续搅拌20-30min,搅拌的过程中持续喷撒雾状的表面处理剂,处理剂喷撒完毕后将碳化硅粉加热到110-140摄氏度,持续搅拌30-50min,且搅拌速度为150-350r/min,然后搅拌完毕后将碳化硅粉在烘干机中烘干,得到成型的碳化硅粉;

所述表面处理剂的成分包括以下重量分数计的各试剂组成:乙醇65-70%、有机氟12-16%、甲基丙烯酰胺基丙基三甲氧硅烷12-14%、强化剂12-18%、余量为水。

优选的,所述具体步骤如下:步骤a、将含有碳化硅粉和杂质的混合物在250目的筛子下进行筛选,得到硅粉混合物;

步骤b、将步骤a中得到的碳化硅粉混合物至于浮选液中,并进行搅拌,搅拌时间为30min,然后向混合液中持续通入空气,然后等待混合液静置分层,得到上层的碳化硅粉,取出上层的碳化硅粉,然后用去离子水清洗5遍,甩干;

步骤c、将步骤b中得到的碳化硅粉送入球磨机中进行研磨35min,取出,备用;

步骤d、将碳化硅粉预热到65摄氏度,持续搅拌25min,搅拌的过程中持续喷撒雾状的表面处理剂,处理剂喷撒完毕后将碳化硅粉加热到125摄氏度,持续搅拌40min,且搅拌速度为250r/min,然后搅拌完毕后将碳化硅粉在烘干机中烘干,得到成型的碳化硅粉;

所述表面处本发明公开了一种碳化硅粉表面处理生产工艺,属于碳化硅粉技术领域,具体步骤如下:步骤a、将含有碳化硅粉进行筛选;步骤b、将碳化硅粉混合物至于浮选液中,并进行搅拌,搅拌时间为20-40min,然后向混合液中持续通入空气,然后等待混合液静置分层,得到上层的碳化硅粉,取出上层的碳化硅粉,然后用去离子水清洗3-7遍,甩干;步骤c、将碳化硅粉送入球磨机中进行研磨;步骤d、将碳化硅持续喷撒雾状的表面处理剂,处理剂喷撒完毕后将碳化硅粉加热到100-150摄氏度,然后搅拌完毕后将碳化硅粉在烘干机中烘干,得到成型的碳化硅粉。本申请能够有效的取出碳化硅粉中的杂质,还能对碳化硅粉的表面进行处理,加强碳化硅粉的特性,使碳化硅粉的品质得到提升。

理剂的成分包括以下重量分数计的各试剂组成:乙醇65%、有机氟10%、甲基丙烯酰胺基丙基三甲氧硅烷10%、强化剂10%、余量为水。

优选的,所述金属杂质是铁、铜、镍、铝及其氧化物中的任意一种或是几种的组合。

优选的,所述步骤a中碳化硅粉和杂质的混合物中碳化硅的含量大于等于百分之97.8%。

优选的,所述强化剂为硅烷偶联剂和聚乙烯压亚酰胺。

与现有技术相比,本发明的有益效果如下:

本发明提供的碳化硅粉表面处理生产工艺,能够有效的取出碳化硅粉中的杂质,还能对碳化硅粉的表面进行处理,加强碳化硅粉的特性,使碳化硅粉的品质得到提升,而且此处理工艺方法较为简单,生产出来的碳化硅粉质量比较高,可以进一步的降低生产的成本。

具体实施方式

为使本领域技术人员更加清楚和明确本发明的技术方案,下面结合实施例对本发明作进一步详细的描述,但本发明的实施方式不限于此。

本实施例提供的一种碳化硅粉表面处理生产工艺,具体步骤如下:

步骤a、将含有碳化硅粉和杂质的混合物在180-330目的筛子下进行筛选,得到硅粉混合物;

步骤b、将步骤a中得到的碳化硅粉混合物至于浮选液中,并进行搅拌,搅拌时间为20-40min,然后向混合液中持续通入空气,然后等待混合液静置分层,得到上层的碳化硅粉,取出上层的碳化硅粉,然后用去离子水清洗3-7遍,甩干;

步骤c、将步骤b中得到的碳化硅粉送入球磨机中进行研磨15-55min,取出,备用;

步骤d、将碳化硅粉预热到50-80摄氏度,持续搅拌15-35min,搅拌的过程中持续喷撒雾状的表面处理剂,处理剂喷撒完毕后将碳化硅粉加热到100-150摄氏度,持续搅拌20-60min,且搅拌速度为100-400r/min,然后搅拌完毕后将碳化硅粉在烘干机中烘干,得到成型的碳化硅粉;

表面处理剂的成分包括以下重量分数计的各试剂组成:乙醇60-75%、有机氟10-18%、甲基丙烯酰胺基丙基三甲氧硅烷10-16%、强化剂10-20%、余量为水。

金属杂质是铁、铜、镍、铝及其氧化物中的任意一种或是几种的组合。

步骤a中碳化硅粉和杂质的混合物中碳化硅的含量大于等于百分之97.8%。

强化剂为硅烷偶联剂和聚乙烯压亚酰胺。

在本实施例中,一种碳化硅粉表面处理生产工艺,具体步骤如下:

步骤a、将含有碳化硅粉和杂质的混合物在200-300目的筛子下进行筛选,得到硅粉混合物;

步骤b、将步骤a中得到的碳化硅粉混合物至于浮选液中,并进行搅拌,搅拌时间为25-35min,然后向混合液中持续通入空气,然后等待混合液静置分层,得到上层的碳化硅粉,取出上层的碳化硅粉,然后用去离子水清洗4-6遍,甩干;

步骤c、将步骤b中得到的碳化硅粉送入球磨机中进行研磨25-45min,取出,备用;

步骤d、将碳化硅粉预热到60-70摄氏度,持续搅拌20-30min,搅拌的过程中持续喷撒雾状的表面处理剂,处理剂喷撒完毕后将碳化硅粉加热到110-140摄氏度,持续搅拌30-50min,且搅拌速度为150-350r/min,然后搅拌完毕后将碳化硅粉在烘干机中烘干,得到成型的碳化硅粉;

表面处理剂的成分包括以下重量分数计的各试剂组成:乙醇65-70%、有机氟12-16%、甲基丙烯酰胺基丙基三甲氧硅烷12-14%、强化剂12-18%、余量为水。

金属杂质是铁、铜、镍、铝及其氧化物中的任意一种或是几种的组合。

步骤a中碳化硅粉和杂质的混合物中碳化硅的含量大于等于百分之97.8%。

强化剂为硅烷偶联剂和聚乙烯压亚酰胺。

在本实施例中,一种碳化硅粉表面处理生产工艺,具体步骤如下:步骤a、将含有碳化硅粉和杂质的混合物在200-300目的筛子下进行筛选,得到硅粉混合物;

步骤b、将步骤a中得到的碳化硅粉混合物至于浮选液中,并进行搅拌,搅拌时间为25-35min,然后向混合液中持续通入空气,然后等待混合液静置分层,得到上层的碳化硅粉,取出上层的碳化硅粉,然后用去离子水清洗4-6遍,甩干;

步骤c、将步骤b中得到的碳化硅粉送入球磨机中进行研磨25-45min,取出,备用;

步骤d、将碳化硅粉预热到60-70摄氏度,持续搅拌20-30min,搅拌的过程中持续喷撒雾状的表面处理剂,处理剂喷撒完毕后将碳化硅粉加热到110-140摄氏度,持续搅拌30-50min,且搅拌速度为150-350r/min,然后搅拌完毕后将碳化硅粉在烘干机中烘干,得到成型的碳化硅粉;

表面处理剂的成分包括以下重量分数计的各试剂组成:乙醇65-70%、有机氟12-16%、甲基丙烯酰胺基丙基三甲氧硅烷12-14%、强化剂12-18%、余量为水。

金属杂质是铁、铜、镍、铝及其氧化物中的任意一种或是几种的组合。

步骤a中碳化硅粉和杂质的混合物中碳化硅的含量大于等于百分之97.8%。

强化剂为硅烷偶联剂和聚乙烯压亚酰胺。

以上所述,仅为本发明进一步的实施例,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明所公开的范围内,根据本发明的技术方案及其构思加以等同替换或改变,都属于本发明的保护范围。

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