硫氰酸钠的净化工艺的制作方法

文档序号:3461997阅读:1240来源:国知局
专利名称:硫氰酸钠的净化工艺的制作方法
技术领域
本发明属于化工原料的提纯,特别涉及一种硫氰酸钠的净化工艺。
NaSCN是一种重要的化工原料,其主要用作腈纶生产的溶剂以及染料、农药工业的原料,这些应用对NaSCN的纯度都有严格的使用要求。例如,染料生产要求NaSCN中杂质含量必须控制在3-5%以下;腈纶生产则要求新用NaSCN溶液含杂必须低于1%。但在腈纶生产过程中,循环使用的NaSCN溶剂,其杂质含量仍会不断积累和升高至8~10%以上,使腈纶无法维持正常生产。为了降低NaSCN中杂质含量的影响,人们探索和采取了多种降低和净化NaSCN中杂质含量的措施。典型的有异丙醚萃取法,离子交换法,延迟树脂法,电渗析法。另外还有活性炭、硅胶土、分子筛吸附除杂,重结晶分离除杂等辅助除杂方法。这些方法,具有不同程度的除杂效果,但或由于成本高、或由于效率低,或由于污染严重等,均使工业应用受到一定限制。例如,萃取法除杂效率很高,但每处理一吨NaSCN,成本达四五千元;又如活性炭吸附、重结晶等方法成本较低,但除杂效果不理想。
本发明的目的是提供一种新的NaSCN的除杂净化工艺,成本低,除杂效率高。
本发明的NaSCN净化工艺,主要技术特点是先将NaSCN进行高温加热处理,然后再分离残余杂质,这里所述的NaSCN可以是NaSCN溶液,或NaSCN晶体、固体。
NaSCN当中的含杂几乎全部为有机低分子和有机齐聚物,这些物质在高温下发生蒸发、升华、分解和碳化,从而易于NaSCN彻底分离。
如果是NaSCN溶液,加热先蒸发浓缩成晶体或固体粉末,然后再加热成熔融以状态,这时有部分有机杂质可以蒸发、升华、分解,再继续升温(一般在300℃以上)使杂质完全碳化完毕,熔融状态时的温度一般在280~300℃,300~1000℃时有机杂质基本已碳化完毕。
为了避免在高温下NaSCN分解,NaSCN在加热处理前加入碱作稳定剂。碱类物质如NaOH、Ca(OH)2、Ba(OH)2等,其加入量使NaSCN溶液或晶体、固体呈碱性,最好是NaSCN溶液的PH值为7-10,如果是NaSCN晶体或固体,碱的加入量一般为NaSCN量的0.01~1%。
通过上述工艺的处理,再通过以下辅助工艺分离残余杂质,对高温处理的NaSCN进行溶解、过滤,滤液被吸附脱色除铁等,这样杂质已被完全分离,后通过浓缩或结晶即得到成品。
本发明的优点工艺简单,成本低,无环境污染,除杂效率高,可以使NaSCN中的杂质含量达到1%以下。
实施例一将腈纶生产使用过的含杂5~10%的NaSCN溶液,加入NaOH溶液,使NaSCN溶液的PH为8,随后对该NaSCN溶液进行蒸发浓缩成固体粉末,再将固体粉末置于高温容器中升温至280~300℃,使NaSCN熔融,NaSCN中的有机杂质蒸发升华分解,继续升温至300~1000℃,使其中有机杂质分解碳化。冷却后放入溶解槽中,用脱盐水溶解成30~50%的NaSCN水溶液,然后过滤,滤去碳化后的固体颗粒杂质,滤液用活性炭吸附进行脱色除铁,直到溶液澄清透明为止,溶液再浓缩得到成品。
实施例二市购含杂为3~5%的粗NaSCN晶体粉末,加入0.01~1%的Ba(OH)2粉剂,拌匀,将粉末置于高温容器中升温熔融,300~1000℃下碳化,后按实施例一的流程完成净化工艺。
权利要求
1.一种硫氰酸钠的净化工艺,其特征在于先将粗NaSCN溶液或晶体、固体进行高温加热处理,然后分离残余杂质。
2.根据权利要求1所述的净化工艺,其特征在于所述NaSCN溶液先蒸发固化,后于280~300℃下熔融,再于300℃以上温度下继续加热处理。
3.根据权利要求1所述的净化工艺,特征在于所述的NaSCN晶体或固体于280~300℃下熔融,后再于300℃以上温度下继续加热处理。
4.根据权利要求2、3所述的净化工艺,特征在于所述300℃以上温度为300~1000℃。
5.根据权利要求1、2、3所述的净化工艺,特征在于NaSCN溶液或晶体、固体在高温加热处理前,加入碱作稳定剂。
6.根据权利要求5所述的净化工艺,特征在于碱的加入量使NaSCN溶液的PH为7~10,为NaSCN晶体或固体量的0.01~1%。
7.根据权利要求5所述的净化工艺,特征在于所述碱可以是NaOH、Ca(OH)2、Ba(OH)2等。
8.根据权利要求1所述的净化工艺,特征在于分离杂质的各步骤是,加热处理后稀释成水溶液,后过滤,滤液用活性炭吸附。
全文摘要
硫氰酸钠的净化工艺,主要技术特点是对NaSCN溶液或晶体、固体进行高温加热处理,然后分离残余杂质,在高温下NaSCN中的有机杂质发生蒸发、升华、分解和碳化,从而与NaSCN彻底分离,本发明工艺简单,成本低,除杂效率高,NaSCN中的杂质含量达到1%以下。
文档编号C01C3/00GK1188742SQ9710565
公开日1998年7月29日 申请日期1997年1月21日 优先权日1997年1月21日
发明者杨彦功 申请人:杨彦功
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