一种细晶莫来石陶瓷的制备方法

文档序号:8216383阅读:600来源:国知局
一种细晶莫来石陶瓷的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种细晶莫来石陶瓷的制备方法,属于透明陶瓷制备领域。
【背景技术】
[0002]莫来石(3A1203 *2Si02)为铝的铝硅酸盐矿物,是Al203_Si02€统中的唯一稳定相。莫来石陶瓷是主晶相为莫来石的一大类陶瓷的统称,纯莫来石为高铝材料,晶体属斜方晶系。莫来石可作为高温结构材料和功能材料,因为莫来石具有高温稳定性、高温抗蠕变性、高温力学性能以及优良的化学稳定性、强抗氧化性、强抗腐蚀性、低热膨胀性和良好的电绝缘性,是理想的高级耐火材料,被广泛用于冶金、玻璃、陶瓷、化学、电力、国防、燃气和水泥等工业,受到耐火材料行业的青睐。同时,由于其优异的介电性能及高温环境中优良的中红外透过性能,莫来石也成为在电子、光学等领域应有的候选材料,正日益受到人们的重视。在透明陶瓷制备中对莫来石粉末有很高的要求,同时莫来石陶瓷的烧结特别是透明陶瓷的制备条件非常苛刻。
[0003]在透明陶瓷中,如果晶粒的直径与入射光的波长相同,则晶粒对入射光散射最强;晶粒直径小于入射光波长时,光线可以容易的通过。同时,由于晶粒尺寸还会影响陶瓷材料的表面光洁度,而表面光洁度也会对透明陶瓷的透明度产生影响。一般的,晶粒尺寸细小,分布均匀的透明陶瓷具有较高的透明度。所以,细晶莫来石陶瓷是一个重要的研宄方向。

【发明内容】

[0004]本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术存在的不足,而提供一种细晶莫来石陶瓷的制备方法,该方法得到的细晶莫来石陶瓷材料晶粒细小,致密度高。
[0005]本发明所采取的技术方案是,一种细晶莫来石陶瓷的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
[0006](I)按正硅酸四乙酯:乙醇溶液:去离子水的配比为Ig:3.31-3.32g:
1.68-1.69g,将正硅酸四乙酯溶入乙醇溶液中(所述乙醇溶液的浓度为99.7% -100%质量),加去离子水,利用盐酸调节溶液PH为1.9-2.1,充分搅拌得到溶液A;
[0007]按正硅酸四乙酯:九水合硝酸铝Al(NO3)3.9H20 = 32g:172g,九水合硝酸铝Al (NO3) 3.9H20:去离子水=Ig:1.31-1.32g,选取九水合硝酸铝Al (NO3) 3.9H20和去离子水;将九水合硝酸铝Al (NO3) 3.9H20溶入去离子水中,充分搅拌得到溶液B ;
[0008]将溶液A逐渐滴加到溶液B中,老化5-6天、干燥后得到干凝胶,先经高温炉800°C热处理、球磨2h后过筛;再在快速升温条件下(所述快速升温为90-100°C/min),1000°C预处理,保温时间3min,然后冷却,研磨lOmin,得到莫来石前驱体粉体;
[0009](2)莫来石前驱体粉体在放电等离子烧结炉(SPS)中烧结,烧结温度为1400°C,温度达到1150°C时开始加压,压力为80MPa,升温速率大于90°C /min ;在烧结后期,粉体致密化即将完成,为控制陶瓷内部晶粒生长,在适当温度点开始降低升温速率,延长保温时间,降低了晶粒生长的驱动力,使晶粒生长缓慢,制备出晶粒细小的莫来石陶瓷。
[0010]按上述方案,步骤(2)所述在烧结后期,在适当温度点开始降低升温速率为:莫来石前驱体粉体烧结过程中升温速率转折温度点在1250°C?1320°C之间,升温速率转折温度点之前的升温速率在90?110°C /min之间,升温速率转折温度点之后的升温速率在10?300C /min之间,保温时间在10?20min之间。
[0011]按上述方案,步骤⑵所述在烧结后期,在适当温度点开始降低升温速率为:莫来石前驱体粉体烧结过程中升温速率转折温度点在1280°C?1300°C之间,升温速率转折温度点之前的升温速率在90?100°C /min之间,升温速率转折温度点之后的升温速率在10?20°C /min之间,保温时间在15?20min之间。
[0012]本发明的技术要点是,找到合适的升温速率、升温速率温度转折点以及保温时间,制备出晶粒细小的莫来石陶瓷。
[0013]本发明的有益效果是:通过放电等离子体烧结(SPS)工艺,在烧结中后期,通过降低烧结速率,减少直流电流诱导生成的缺陷,抑制晶粒生长,增加保温时间,使陶瓷最大程度的致密化,来制备晶粒细小,致密度高的莫来石陶瓷。该制备方法工艺简单,耗费低,方便操作,制得的陶瓷晶粒细小,致密度高。
【附图说明】
[0014]图1为本发明实例1-4制备的莫来石块体的XRD衍射图谱。
[0015]图2为本发明实例1-4制备的莫来石块体的FESEM图谱。
[0016]图3为本发明实例1-4制备的莫来石块体的致密度、晶粒大小曲线图。
【具体实施方式】
[0017]为了更好地理解本发明,下面结合附图、实施例进一步阐明本发明的内容,但本发明的内容不仅仅局限于下面的实施例。
[0018]实施例1:
[0019]一种细晶莫来石陶瓷的制备方法,包括如下步骤:
[0020](I)将32g正硅酸四乙酯溶入106g乙醇溶液中(所述乙醇溶液的浓度为99.7% -100%质量,以下实施例相同),加去离子水54g,利用盐酸调节溶液pH为2,充分搅拌得到溶液A ;
[0021]将172g的Al (NO3)3.9H20溶入227g去离子水中,充分搅拌得到溶液B ;
[0022]将溶液A逐渐滴加到溶液B中,老化6天、干燥后得到干凝胶,先经高温炉800°C热处理、球磨2h后过筛;再在快速升温条件下(所述快速升温为100°C /min),1000°C预处理,保温时间3min,然后冷却,研磨lOmin,得到莫来石前驱体粉体;
[0023](2)莫来石前驱体粉体在放电等离子烧结炉(SPS)中烧结,烧结温度为1400°C,温度达到1150°C时开始加压,压力为80MPa,升温速率转折温度点为1250°C,1250°C之前升温速率为90°C /min, 1250°C _1400°C之间升温速率为30°C /min,保温时间是lOmin,得到细晶莫来石陶瓷。陶瓷块体直径为15_,质量为2g。
[0024]实施例2:
[0025]一种细晶莫来石陶瓷的制备方法,包括如下步骤:
[0026](I)将32g正硅酸四乙酯溶入106g乙醇溶液中,加去离子水54g,利用盐酸调节溶液pH为2,充分搅拌得到溶液A ;
[0027]将172g的Al (NO3) 3.9H20溶入227g去离子水中,充分搅拌得到溶液B ;
[0028]将溶液A逐渐滴加到溶液B中,老化6天、干燥后得到干凝胶,先经高温炉800°C热处理、球磨2
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