收颈过程；当籽晶直径达到I. 2mm 时，开始以〇. 5°C /小时的速率降温至1450°C，进行放肩生长，放肩过程，将提拉速度降至 I. 2mm/小时；当晶体肩部的直径达到预定尺寸20~40mm时，以0. 5°C /小时的速度升温 至1470°C，将提拉速度降低至0. 5mm/小时进行等径生长；当晶体提拉至高度20~50mm 时提脱晶体，提脱步骤如下：以20°C /小时速率缓慢升高温度，当晶体底部有向内收缩的 趋势时，停止升温，将拉速提高至5. Omm/小时提拉晶体使之与熔液脱离，完成晶体生长过 程；取出晶体后，将其放到高温炉内进行退火，退火温度为1400°C，退火时间为60小时，使 YxGdhCa4O (BO3)3晶体生长过程中产生的热应力充分释放，
[0064] (5)然后将晶体在温场中恒温1小时，再以KTC /小时速率降至室温，得到硼酸钙 氧钇钆晶体材料。
[0065] 实施例2
[0066] -种硼酸钙氧钇钆高温压电晶体材料，化学式为Ya2Gda8Ca4O(BO 3)3，熔点1460°C， 室温到熔点无相变，具有非中心对称结构，属于单斜晶系m点群，在该晶体中，稀土钆和稀 土钇相互占据彼此的格位，该晶体材料的结晶轴a轴与压电物理轴X的夹角为（a，X)= 11.2°，结晶轴c轴与压电物理轴Z的夹角为（c，Z)=0° ;结晶轴b与压电物理轴Y平行， 压电物理轴X、Y和Z遵循右手螺旋法则。
[0067] 硼酸钙氧钇钆高温压电晶体材料的生长方法，包括多晶料的制备和提拉法晶体生 长，步骤如下：
[0068] (1)配料
[0069] 以CaC03、B203、Y 203、Gd203为原料，按照化学式YXGcUCa 4O (BO3)3的化学计量比配料， 并使H3BO3过量2%，以硼酸钙氧钇钆晶体材料总质量计；然后混合均匀，得混合物料；
[0070] ⑵制备多晶料
[0071] 将步骤（1)的混合物料装入铂金内衬的陶瓷坩埚内，进行第一次烧结，烧结温度 1050°C并恒温15小时，分解并去除0) 2和H2O ;-次烧结后降温至室温，降温后粉碎粒径至 18 μ m，粉碎混合均匀，压成料块，放入铂金内衬的陶瓷坩埚内进行固相反应，烧结温度为 1150°C并恒温15小时，得到硼酸钙氧钇钆多晶料；
[0072] (3)多晶料互熔化
[0073] 把步骤（2)得到的硼酸钙氧钇钆多晶料放入单晶炉内直径为7cm的铱金坩埚中， 炉内抽真空并充入氮气作为保护气体，用中频感应加热至全熔，对硼酸钙氧钇钆多晶料全 熔液进行抽真空排除熔体内气泡，然后将熔体过热60°C，恒温2小时，得到互熔均匀的硼酸 钙氧钇钆高温熔液，然后将硼酸钙氧钇钆高温熔液的温度降低至高于熔点25°C，得硼酸钙 氧钇钆熔液；
[0074] ⑷ YxGdhCa4O (BO3) 3 单晶生长
[0075] 将取自YCa4O (BO3) 3或GdCa 40 (BO3) 3同构型晶体的结晶轴b向籽晶，垂直浸入到步 骤（3)的硼酸钙氧钇钆熔液中，使籽晶的顶端与熔液垂直且刚好接触，采用提拉法沿b方向 进tx单晶生长；
[0076] 单晶生长条件如下：熔体温度达到1500°C时下籽晶，待浸入熔体中的籽晶直径收 细至I. 2mm时，将晶体提拉速度控制在2. 5mm/小时，进行收颈过程；当籽晶直径达到I. 5mm 时，开始以I. 5°C /小时的速率降温至1450°C，进行放肩生长，放肩过程，将提拉速度降至 2. Omm/小时；当晶体肩部的直径达到预定尺寸20~40mm时，以2. 0°C /小时的速度降温 至1430°C，将提拉速度降低至0. 8mm/小时进行等径生长；当晶体提拉至高度20~50mm 时提脱晶体，提脱步骤如下：以25°C /小时速率缓慢升高温度，当晶体底部有向内收缩的 趋势时，停止升温，将拉速提高至7. Omm/小时提拉晶体使之与熔液脱离，完成晶体生长过 程；取出晶体后，将其放到高温炉内进行退火，退火温度为1350°C，退火时间为80小时，使 YxGdhCa4O (BO3)3晶体生长过程中产生的热应力充分释放，
[0077] (5)然后将晶体在温场中恒温1小时，再以KTC /小时速率降至室温，得到硼酸钙 氧钇钆晶体材料。
[0078] 实施例3
[0079] -种硼酸钙氧钇钆高温压电晶体材料，化学式为Ya3Gda7Ca40 (BO3)3，熔点1460°C， 室温到熔点无相变，具有非中心对称结构，属于单斜晶系m点群，在该晶体中，稀土钆和稀 土钇相互占据彼此的格位，该晶体材料的结晶轴a轴与压电物理轴X的夹角为（a，X)= 11.2°，结晶轴c轴与压电物理轴Z的夹角为（c，Z)=0° ;结晶轴b与压电物理轴Y平行， 压电物理轴X、Y和Z遵循右手螺旋法则。
[0080] 硼酸钙氧钇钆高温压电晶体材料的生长方法，包括多晶料的制备和提拉法晶体生 长，步骤如下：
[0081] (1)配料
[0082] 以CaO、B203、Y20 3、Gd2O3为原料，按照化学式Y #〇40 (BO3) 3的化学计量比配料， 并使H3BO3过量3%，以硼酸钙氧钇钆晶体材料总质量计；然后混合均匀，得混合物料；
[0083] (2)制备多晶料
[0084] 将步骤（1)的混合物料装入铂金内衬的陶瓷坩埚内，进行第一次烧结，烧结温度 IKKTC并恒温10小时，分解并去除0)2和H2O ;-次烧结后降温至室温，降温后粉碎粒径至 20 μ m，粉碎混合均匀，压成料块，放入铂金内衬的陶瓷坩埚内进行固相反应，烧结温度为 1200°C并恒温20小时，得到硼酸钙氧钇钆多晶料；
[0085] (3)多晶料互熔化
[0086] 把步骤（2)得到的硼酸钙氧钇钆多晶料放入单晶炉内直径为7cm的铱金坩埚中， 炉内抽真空并充入氮气作为保护气体，用中频感应加热至全熔，全熔后降温使其凝结，然后 再升温至全熔，重复该步骤3次，排除熔体内气泡，然后将熔体过热55°C，恒温2小时，得到 互熔均匀的硼酸钙氧钇钆高温熔液，然后将硼酸钙氧钇钆高温熔液的温度降低至高于熔点 30°C，得硼酸钙氧钇钆熔液；
[0087] ⑷ YxGd1-XCa4O (BO3) 3 单晶生长
[0088] 将取自YCa4O (BO3) 3或GdCa 40 (BO3) 3同构型晶体的结晶轴b向籽晶，垂直浸入到步 骤（3)的硼酸钙氧钇钆熔液中，使籽晶的顶端与熔液垂直且刚好接触，采用提拉法沿b方向 进行单晶生长；
[0089] 单晶生长条件、提脱及退火条件同实施例1。
[0090] (5)然后将晶体在温场中恒温2小时，再以15°C /小时速率降至室温，得到硼酸钙 氧钇钆晶体材料。
[0091] 实施例4
[0092] 一种硼酸钙氧钇钆高温压电晶体材料，化学式为Ya45Gda55Ca 40 (BO3) 3，硼酸钙氧钇 钆高温压电晶体材料的生长方法同实施例1。
[0093] 实施例5
[0094] -种硼酸钙氧钇钆高温压电晶体材料，化学式为Ytl 9Gda A4O(BO3)3,
[0095] 硼酸钙氧钇钆高温压电晶体材料的生长方法，包括多晶料的制备和提拉法晶体生 长，步骤如下：
[0096] (1)配料
[0097] 以CaC03、H3B03、Y 203、Gd2O3为原料，按照化学式Y #〇40 (BO3) 3的化学计量比配 料，并使H3BO3过量1%，以硼酸钙氧钇钆晶体材料总质量计；然后混合均匀，得混合物料；
[0098] (2)制备多晶料
[0099] 将步骤（1)的混合物料装入铂金内衬的陶瓷坩埚内，进行第一次烧结，烧结温度 950°C并恒温20小时，分解并去除0) 2和H 20 ;-次烧结后降温至室温，降温后粉碎粒径至 20 μ m，粉碎混合均匀，压成料块，放入铂金内衬的陶瓷坩埚内进行固相反应，烧结温度为 1150°C并恒温20小时，得到硼酸钙氧钇钆多晶料；
[0100] (3)多晶料互熔化
[0101] 把步骤（2)得到的硼酸钙氧钇钆多晶料放入单晶炉内直径为7cm的铱金坩埚中，