憐酸 铅；
[0027] 将原料按化学式分别按摩尔比严格称量，放入研鉢中混合研磨，并均匀压块，装入 销金相蜗中，在马弗炉中1200°C空气气氛下烧结8小时得到多晶料；
[0028] 然后将多晶料与助烙剂焦憐酸铅按质量比为1:2混合均匀后装入销金相蜗中， 放入晶体生长炉，升溫至1300°C使多晶料烙化，恒溫1小时得混合烙液，将烙液降溫至 1200°C，在混合烙液表面下巧晶，晶体生长溫度范围为1200°C到119(TC，W溫度rC /天的 速率缓慢降溫，不旋转巧晶，晶体生长周期为7天；
[0029] 待单晶生长到所需尺度后，使晶体脱离烙液液面，W溫度100°C /小时的速率降至 室溫，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到厘米级的化:yp〇4晶体，随后可对生长的晶体进行 加工、抛光。
[0030] 实施例3 :Nd:YP〇4晶体 阳0川制备Nd:YP〇4晶体，具体的化学方程式为：xNd2〇3+(l-x)Y2〇3巧畑4H2PO4 - 2Yi xNdxP O4+2NH3 t +3H 2〇 ；
[0032] 本实例中取X = 0. 05,所用原料（分析纯）：炯2〇3、￥2〇3、畑化口〇4,助烙剂为分析纯 的偏憐酸钢；
[0033] 将原料按化学式分别按摩尔比严格称量，放入研鉢中混合研磨，并均匀压块，装入 销金相蜗中，在马弗炉中900°C空气气氛下烧结24小时得到多晶料；
[0034] 然后将多晶料与助烙剂偏憐酸钢按质量比1:5混合均匀后装入销金相蜗中，放入 晶体生长炉，升溫至l〇〇〇°C使多晶料烙化，恒溫50小时得混合烙液，将烙液降溫至950°C， 在混合烙液表面下巧晶，晶体生长溫度范围为940°C到930°C，W溫度0. rC /天的速率缓慢 降溫，W 20转/分钟的转速旋转巧晶，晶体生长周期为21天；
[0035] 待单晶生长到所需尺度后，使晶体脱离烙液液面，W溫度rc /小时的速率降至室 溫，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到20mmX IOmmX IOmm的Nd:YP〇4晶体，随后可对生长的 晶体进行加工、抛光。 阳036] 实施例4 :化Nd: YP04晶体
[0037] 制备Cr和Nd双渗杂的Cr, Nd: YP04晶体，具体的化学方程式为：巧Cr 2〇3+x (1-y) Nd2〇3+(l-x)Y2〇3+2NH4H2P〇4 - 2Y I x(CryNdi y)xP〇4+2NH3 t +3H2O ; 阳O測取X = 0. 05, y = 0. 5,所用原料（分析纯）：化2〇3,炯2〇3、Y203、NH4H2PO4,助烙剂为 分析纯的偏憐酸裡和偏憐酸钟按摩尔比1:1混合；
[0039] 将原料按化学式分别按摩尔比严格称量，放入研鉢中混合研磨，并均匀压块，装入 销金相蜗中，在马弗炉中90(TC空气气氛下烧结24小时得到多晶料；
[0040] 然后将多晶料与助烙剂偏憐酸裡和偏憐酸钟混合物按质量比为1:3混合均匀后 装入销金相蜗中，放入晶体生长炉，升溫至105(TC使多晶料烙化，恒溫20小时得混合烙液， 将烙液降溫至l〇〇〇°C，在混合烙液表面下巧晶，晶体生长溫度范围为990°C到980°C，W溫 度0. 3°C /天的速率缓慢降溫，W 5转/分钟的转速旋转巧晶，晶体生长周期为21天；
[0041] 待单晶生长到所需尺度后，使晶体脱离烙液液面，W溫度l〇°C /小时的速率降至 室溫，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到20mmX IOmmX IOmm的化，Nd:YP〇4晶体，随后可对 生长的晶体进行加工、抛光。 阳0创实施例5 :孔:YP04晶体 阳0创制备孔:YP04晶体，具体的化学方程式为：X孔2〇3+ (I-X) Y203巧畑4H2PO4 - 2Y1 X孔xP O4+2NH3 t +3H 2〇 ； 柳44] 取X = 0. 5,所用原料（分析纯）：孔2〇3、Y203、NH4H2PO4,助烙剂为分析纯的焦憐酸 钟和焦憐酸裡按摩尔比1:1混合；
[0045] 将原料按化学式分别按摩尔比严格称量，放入研鉢中混合研磨，并均匀压块，装入 销金相蜗中，在马弗炉中1000 C空气气氛下烧结12小时得到多晶料；
[0046] 然后将多晶料与助烙剂焦憐酸钟和焦憐酸裡混合物按质量比为1:2混合均匀后 装入销金相蜗中，放入晶体生长炉，升溫至Iioor使多晶料烙化，恒溫24小时得混合烙液， 将烙液降溫至1000°C，在混合烙液表面下巧晶，晶体生长溫度范围为990°C到980°C，W溫 度0. 2°C /天的速率缓慢降溫，W 10转/分钟的转速旋转巧晶，晶体生长周期为12天；
[0047] 待单晶生长到所需尺度后，使晶体脱离烙液液面，W溫度20°C /小时的速率降至 室溫，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到35mmX20mmX 15mm的孔:YP04晶体，随后可对生长 的晶体进行加工、抛光。
[0048] 实施例6出o:YP〇4晶体 W例制备化:YP04晶体，具体的化学方程式为：址O 2〇3+ (I-X) Y203巧畑4H2PO4 - 2Y1 xHOxP O4+2NH3 t +3H 2〇 ；
[0050] 取X = 0. 1，所用原料（分析纯）：化2〇3、Y203、NH4H2P04,助烙剂为分析纯的碳酸裡， 碳酸钟和棚酸按摩尔比1:1:1混合；
[0051] 将原料按化学式分别按摩尔比严格称量，放入研鉢中混合研磨，并均匀压块，装入 销金相蜗中，在马弗炉中1000 C空气气氛下烧结12小时得到多晶料；
[0052] 然后将多晶料与助烙剂碳酸裡，碳酸钟和棚酸混合物按质量比为1:3混合均匀后 装入销金相蜗中，放入晶体生长炉，升溫至105(TC使多晶料烙化，恒溫24小时得混合烙液， 将烙液降溫至l〇〇〇°C，在混合烙液表面下巧晶，晶体生长溫度范围为990°C到980°C，W溫 度0. 3°C /天的速率缓慢降溫，W 5转/分钟的转速旋转巧晶，晶体生长周期为12天；
[0053] 待单晶生长到所需尺度后，使晶体脱离烙液液面，W溫度30°C /小时的速率降至 室溫，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到30mmX 15mmX IOmm的化:YP04晶体，随后可对生长 的晶体进行加工、抛光。
[0054] 实施例7 :Ce:YP〇4晶体 阳化引制备Ce: YP04晶体，具体的化学方程式为：xCe 2〇3+ (I-X) Y203巧畑4H2PO4 - 2Y1 xCeJ O4+2NH3 t +3H 2〇 ；
[0056] 取X = 0. 02,所用原料（分析纯）尤62〇3、￥2〇3、畑化口〇4,所用助烙剂为分析纯的五 氧化二憐、棚酸和碳酸钢按摩尔比1 : 2 : 4混合；
[0057] 将原料按化学式分别按摩尔比严格称量，放入研鉢中混合研磨，并均匀压块，装入 销金相蜗中，在马弗炉中溫度1200°C空气气氛下烧结8小时得到多晶料；
[0058] 然后将多晶料与助烙剂五氧化二憐、棚酸和碳酸钢混合物按质量比为1:1混合 均匀后装入销金相蜗中，放入晶体生长炉，升溫至Iiocrc使多晶料烙化，恒溫12小时得混 合烙液，将烙液降溫至1050°c，在混合烙液表面下巧晶，不旋转巧晶，晶体生长溫度范围为 1040°C到1030°C，，W溫度0. 5°C /天的速率缓慢降溫，晶体生长周期为14天；
[0059] 待单晶生长到所需尺度后，使晶体脱离烙液液面，W溫度30°C A的速率降至室 溫，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到30mmX 15mmX IOmm的Ce:YP〇4晶体，随后可对生长的 晶体进行加工、抛光。 W60] 实施例8 :Pr: YP04晶体
[0061] 制备 Pr:YP04晶体，具体的化学方程式为：xPr 2〇3+ (I-X) Y203巧NH4H2PO4 - 2Y1 xPrJ O4+2NH3 t +3H 2〇 ；
[0062] 取