X = 0. 01，所用原料（分析纯）化2〇3、￥2〇3、畑化?〇4,所用助烙剂为分析纯的棚 酸和碳酸裡按摩尔比1:2混合；
[0063] 将原料按化学式分别按摩尔比严格称量，放入研鉢中混合研磨，并均匀压块，装入 销金相蜗中，在马弗炉中溫度1200°C空气气氛下烧结8小时得到多晶料；
[0064] 然后将多晶料与助烙剂棚酸和碳酸裡混合物按质量比为1:2混合均匀后装入销 金相蜗中，放入晶体生长炉，升溫至Iiocrc使多晶料烙化，恒溫12小时得混合烙液，将烙液 降溫至1050°c，在混合烙液表面下巧晶，不旋转巧晶，晶体生长溫度范围为990°C到980°C， W溫度0. 2°C /天的速率缓慢降溫，晶体生长周期为10天； 阳0化]待单晶生长到所需尺度后，使晶体脱离烙液液面，W溫度30°C A的速率降至室 溫，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到35mmX25mmX 15mm的Pr:YP〇4晶体，随后可对生长的 晶体进行加工、抛光。
[0066] 实施例9 :Sm:YP〇4晶体
[0067] 制备 Sm: YP04晶体，具体的化学方程式为：xSm2〇3+ (I-X) Y203巧NH4H2PO4 - 2Y1 xSmxP O4+2NH3 t +3H 2〇 ； W側 X = 0. 01，所用原料（分析纯）細2〇3、￥2〇3、畑品?〇4,所用助烙剂为分析纯的焦憐 酸钟和焦憐酸铅按摩尔比1:1混合；
[0069] 将原料按化学式分别按摩尔比严格称量，放入研鉢中混合研磨，并均匀压块，装入 销金相蜗中，在马弗炉中溫度1200°C空气气氛下烧结8小时得到多晶料；
[0070] 然后将多晶料与助烙剂焦憐酸钟和焦憐酸铅混合物按质量比为1:2混合均匀后 装入销金相蜗中，放入晶体生长炉，升溫至1050°C使多晶料烙化，恒溫10小时得混合烙液， 将烙液降溫至l〇〇〇°C，在混合烙液表面下巧晶，W 5转/分钟的转速旋转巧晶，晶体生长溫 度范围为990°C到980°C，W溫度0. 5°C /天的速率缓慢降溫，晶体生长周期为18天；
[0071] 待单晶生长到所需尺度后，使晶体脱离烙液液面，W溫度20°C A的速率降至室 溫，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到35mmX25mmX 15mm的Sm:YP〇4晶体，随后可对生长的 晶体进行加工、抛光。 阳〇巧实施例10 :Eu:YP〇4晶体 阳〇7引制备化:YP04晶体，具体的化学方程式为础U 2〇3+ (I-X) Y203巧畑4H2PO4 - 2Y1正叫 〇4+2畑3 t +3H 2〇 ;
[0074] 取X = 0. 01，所用原料（分析纯）击112〇3、￥2〇3、畑化口〇4,所用助烙剂为分析纯的憐 酸二氨锭和偏憐酸裡按摩尔比1:1混合；
[00巧]将原料按化学式分别按摩尔比严格称量，放入研鉢中混合研磨，并均匀压块，装入 销金相蜗中，在马弗炉中溫度120(TC空气气氛下烧结8小时得到多晶料；
[0076] 然后将多晶料与助烙剂憐酸二氨锭和偏憐酸裡混合物按质量比为1:3混合均匀 后装入销金相蜗中，放入晶体生长炉，升溫至95(TC使多晶料烙化，恒溫12小时得混合烙 液，将烙液降溫至930°C，在混合烙液表面下巧晶，不旋转巧晶，晶体生长溫度范围为920°C 到 900。W溫度0. 5°C /天的速率缓慢降溫，晶体生长周期为14天；
[0077] 待单晶生长到所需尺度后，使晶体脱离烙液液面，W溫度30°C A的速率降至室 溫，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到35mmX25mmX 15mm的化:YP04晶体，随后可对生长的 晶体进行加工、抛光。 阳07引实施例11 :Tb:YP〇4晶体
[0079] 制备化:YP04晶体，具体的化学方程式为。化2〇3+ (I-X) Y203巧畑4H2PO4 - 2Y1 JbxP 〇4+2畑3 t +3H 2〇 ;
[0080] X = 0. 2,所用原料（分析纯）：化2〇3、Y203、NH4H2PO4,所用助烙剂为分析纯的焦憐 酸钢和焦憐酸铅按摩尔比1:1混合；
[0081] 将原料按化学式分别按摩尔比严格称量，放入研鉢中混合研磨，并均匀压块，装入 销金相蜗中，在马弗炉中溫度120(TC空气气氛下烧结8小时得到多晶料；
[0082] 然后将多晶料与助烙剂焦憐酸钢和焦憐酸铅混合物按质量比为1:1混合均匀后 装入销金相蜗中，放入晶体生长炉，升溫至Iioor使多晶料烙化，恒溫12小时得混合烙液， 将烙液降溫至1050°c，在混合烙液表面下巧晶，不旋转巧晶，晶体生长溫度范围为1040°C 到1030。W溫度0. 7°C /天的速率缓慢降溫，晶体生长周期为14天；
[0083] 待单晶生长到所需尺度后，使晶体脱离烙液液面，W溫度30°C A的速率降至室 溫，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到35mmX25mmX 15mm的化:YP04晶体，随后可对生长的 晶体进行加工、抛光。
[0084] 实施例 12 :Dy:YP〇4晶体 阳0财制备Dy: YP04晶体，具体的化学方程式为：址y 2〇3+ (I-X) Y203巧畑4H2PO4 - 2Y1 xDyJ O4+2NH3 t +3H 2〇 ；
[0086] 取X = 0. 1，所用原料（分析纯）嘶2〇3、Y203、NH4H2PO4,所用助烙剂为分析纯的憐 酸二氨锭、碳酸钟和碳酸裡按摩尔比1 : 1 : 2混合；
[0087] 将原料按化学式分别按摩尔比严格称量，放入研鉢中混合研磨，并均匀压块，装入 销金相蜗中，在马弗炉中溫度120(TC空气气氛下烧结8小时得到多晶料；
[0088] 然后将多晶料与助烙剂憐酸二氨锭、碳酸钟和碳酸裡混合物按质量比为1:1混合 均匀后装入销金相蜗中，放入晶体生长炉，升溫至iioor使多晶料烙化，恒溫12小时得混 合烙液，将烙液降溫至1050°c，在混合烙液表面下巧晶，W 15转/分钟的转速旋转巧晶，晶 体生长溫度范围为1040°c到1030°C，W溫度0. 5°C /天的速率缓慢降溫，晶体生长周期为 14天；
[0089] 待单晶生长到所需尺度后，使晶体脱离烙液液面，W溫度30°C A的速率降至室 溫，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到35mmX25mmX 15mm的Dy:YP〇4晶体，随后可对生长的 晶体进行加工、抛光。
[0090] 实施例 13 :Er:YP〇4晶体
[0091] 制备化:YP04晶体，具体的化学方程式为：址r 2〇3+ (I-X) Y203巧畑4H2PO4 - 2Y1正巧 〇4+2畑3 t +3H 2〇 ;
[0092] 取X = 0. 08,所用原料（分析纯）击。〇3、￥2〇3、畑化口〇4,所用助烙剂为分析纯的偏 憐酸裡和焦憐酸钟按摩尔比1:2混合；
[0093] 将原料按化学式分别按摩尔比严格称量，放入研鉢中混合研磨，并均匀压块，装入 销金相蜗中，在马弗炉中溫度120(TC空气气氛下烧结8小时得到多晶料；
[0094] 然后将多晶料与助烙剂偏憐酸裡和焦憐酸钟混合物按质量比为1:2混合均匀后 装入销金相蜗中，放入晶体生长炉，升溫至Iioor使多晶料烙化，恒溫12小时得混合烙液， 将烙液降溫至1050°c，在混合烙液表面下巧晶，W 12转/分钟的转速旋转巧晶，晶体生长溫 度范围为1040°C到1030°C，W溫度0. 3°C /天的速率缓慢降溫，晶体生长周期为14天；
[00巧]待单晶生长到所需尺度后，使晶体脱离烙液液面，W溫度30°C A的速率降至室 溫，然后缓慢从炉膛中取出，即可得到30mmX25mmX 15mm的化:YP04晶体，随后可对生长的 晶体进行加工、抛光。
[0096] 实施例 14 :Tm:YP〇4晶体
[0097] 制备Tm: YP04晶体，具体的化学方程式为：xTm2〇3+ (I-X) Y203巧畑4H2P