高分子材料以及使用其的元件的制作方法

专利名称：高分子材料以及使用其的元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种高分子材料以及使用其的元件。
技术背景多色发光或白色发光的有机EL元件不仅在平板显示器，还可以应用 于照明等众多用途中，所以近年来进行了很多研究。例如，公开有使用将 聚乙烯咔唑作为发光主体，向其中添加蓝色磷光性掺杂剂、红色磷光性掺 杂剂以及低分子电子输送材料的高分子材料的白色发光元件(非专利文献 1:月刊显示器，2002年，第8巻，9月号，47 51页((株)Technotimes 公司发行))。另外，还已知有使用将聚乙烯咔唑作为发光主体，向其中添 加蓝色荧光色素、绿色磷光色素以及红色磷光色素的高分子材料的白色发 光元件(专利文献l:特开2004—14155)。使用所述高分子材料的有机EL元件(高分子发光元件，高分子LED) 可以发出白光、多色光，由于其驱动电压高、发光效率不充分等，其性能 在实用上并不充分。发明内容本发明的目的在于提供一种能够提供可以发出白光、多色光，可以以 低电压驱动，发光效率出色等实用性出色的元件的高分子材料。艮口，本发明提供一种包含含有荧光性共轭系高分子(A)和磷光性化 合物(B)的组合物，或者包含在同一分子内具有该(A)结构和该(B) 结构的高分子的高分子材料，其特征在于，满足以下(1)、 (2)及(3) 条件。(1) 荧光性共轭系高分子(A)的发光峰波长的至少一个不到500nm;(2) 磷光性化合物(B)的发光峰波长为500nm以上；(3)满足下式关系。ETa—ESao^ (ETb—ESbo) —0.2 (单位eV) (Eql) (式中，ESAo表示荧光性共轭系高分子(A)的基态能量，ETa表示 荧光性共轭系高分子(A)的最低激发三重态的能量，ESBQ表示磷光性发 光分子(B)的基态能量，ETb表示憐光性化合物(B)的最低激发三重态 的能量。)具体实施方式
本发明的高分子材料(7)包含含有荧光性共轭系高分子(A)和磷 光性化合物(B)的组合物，或者包含在同一分子内具有荧光性共 轭系高分子(A)结构和磷光性发光分子(B)结构的高分子。对本发明的高分子材料中的荧光性共轭系高分子(A)的结构进行说明。荧光性共轭系高分子是指至少显示出荧光的共轭系高分子，共轭系高 分子是指例如在"有机EL的话题"(吉野胜美著，日刊工业新闻社)23 页中记载的重键与单键重复且较长地连接的分子。作为荧光性共轭系高分 子，作为典型的例子可以举出例如下述结构的重复结构或含有适当地组合 下述结构的结构的高分子。作为荧光性共轭系高分子(A)，可以举出在主链不含有芳香环的高 分子(例如聚乙炔类)或者在主链含有芳香环的高分子，但从聚合物的化 学稳定性的观点出发，优选在主链含有芳香环的高分子。在主链中含有芳香环的高分子中，优选在主链中含有可具有取代基的 亚苯基、芴、二苯并噻吩、二苯并呋喃、二苯并硅杂环戊二烯(dibenzosilole)等芳香环作为重复单元的高分子，或者组合这些芳香环的共聚物，或者进 而组合其他重复单元的共聚物。具体而言，可以举出将可具有取代基的苯 环及/或下述通式(1)作为部分结构具有的高分子化合物。<formula>formula see original document page 7</formula>所述式中，m及n分别独立地表示0 4的整数，R,及R2分别独立 地表示氢原子、卤原子、烷基、烷氧基、芳基或与其他原子的键结。R, 及R2分别存在多个的情况下，它们相同或不同。X表示一0—、 一S — 、 一 Se—、 一B (R31) — 、 一Si (R32) (R33) — 、 一P (R34) — 、 一PR4 (= 0) — 、 一N (R35) — 、 一C (R36) (R37) —、 一C (R51) (R52) —C (R53) (R54) — 、 —O—C (R55) (R56) —、 一S—C (R57) (R58)—、一 N—C (R59) (Reo) — 、 —Si (Re,) (R62) —C (R ) (R^) —、 一Si (R65) (R66) —Si (R67) (R68) — 、 一C (R69) =C (R70) —、 —N= C (R71) — 、 一Si (R72) 二C (R73) —。在此，1131表示氢、烷基、链烯 基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳基烷氧 基、芳垸基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、1价的杂环基或卤原子。R32 R37、 R^ R73分别独立地表示烷基、链烯基、炔基、烷氧基、垸硫基、芳 基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧基、芳烷基硫基、芳基链烯基、 芳基炔基、l价的杂环基或卤原子。)在此，作为卤原子，可以例示氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。作为垸基，可以为直链、支链或环状的任意一种。碳原子数通常为l IO左右，碳原子数优选为1 10。具体而言，可以举出甲基、乙基、丙基、 异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、环己基、庚基、辛基、2 一乙基己基、壬基、癸基、3， 7—二甲基辛基、月桂基、三氟甲基、五氟 乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等，优选戊基、己基、辛基、2 — 乙基己基、癸基、3， 7 — 二甲基辛基。作为链烯基，可以为直链、支链或环状的任意一种。碳原子数通常为 2 10左右，碳原子数优选为2 10。具体而言，优选乙烯基、丙烯基、 丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基、辛烯基。作为炔基，可以为直链、支链或环状的任意一种。碳原子数通常为2~ IO左右，碳原子数优选为2 10。具体而言，优选乙炔基、丙炔基、丁炔 基、戊炔基、己炔基、庚炔基、辛炔基。烷氧基可以为直链、支链或环状的任意一种。碳原子数通常为1 10 左右，碳原子数优选为1 10。具体而言，可以举出甲氧基、乙氧基、丙 氧基、异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2—乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3， 7 — 二甲基辛氧基、月桂氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己氧基、全氟辛氧基、甲氧基甲氧基、2—甲氧基乙氧基等，优选戊氧基、己 氧基、辛氧基、2—乙基己氧基、癸氧基、3， 7—二甲基辛氧基。垸硫基可以为直链、支链或环状的任意一种。碳原子数通常为1 10 左右，碳原子数优选为1 10。具体而言，可以举出甲硫基、乙硫基、丙 硫基、异丙硫基、丁硫基、异丁硫基、叔丁硫基、戊硫基、己硫基、环己 硫基、庚硫基、辛硫基、2 —乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3， 7—二甲 基辛硫基、月桂硫基、三氟甲硫基等，优选戊硫基、己硫基、辛硫基、2 一乙基己硫基、癸硫基、3， 7 — 二甲基辛硫基。芳基的碳原子数通常为6 60左右，优选为6 48。具体而言，可以 例示苯基、d d2烷氧基苯基(d d2表示碳原子数为1 12。以下也 相同。)、d d2烷基苯基、l一萘基、2 —萘基、l一蒽基、2 —蒽基、9 一蒽基、五氟苯基等，优选C, d2垸氧基苯基、C, C,2烷基苯基。在 此，芳基是指从芳香族烃除去1个氢原子的原子团。在此，作为芳香族烃， 包括具有稠环的芳香族烃、独立的2个以上苯环或稠环直接或借助亚乙烯 基等基团结合而成的芳香族烃。作为d Q2烷氧基，具体而言，可以例示甲氧基、乙氧基、丙氧基、 异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、 庚氧基、辛氧基、2—乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3， 7—二甲基辛氧 基、月桂氧基等。作为C, C,2烷基苯基，具体而言，可以例示甲基苯基、乙基苯基、 二甲基苯基、丙基苯基、2， 4， 6—三甲苯基、甲基乙基苯基、异丙基苯 基、丁基苯基、异丁基苯基、叔丁基苯基、戊基苯基、异戊基苯基、己基 苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十二烷基苯基等。作为芳氧基，碳原子数通常为6 60左右，优选为6 48。具体而言， 可以例示苯氧基、G Q2烷氧基苯氧基、Q d2垸基苯氧基、l一萘氧基、2 —萘氧基、五氟苯氧基等，优选Q C;2烷氧基苯氧基、C, C,2烷 基苯氧基。作为d C,2烷氧基，具体而言，可以例示甲氧基、乙氧基、丙氧基、 异丙氧基、丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环己氧基、庚氧基、辛氧基、2—乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3， 7 — 二甲基辛氧基、月桂氧基等。作为d d2垸基苯氧基，具体而言，可以例示甲基苯氧基、乙基苯氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、1， 3， 5 —三甲基苯氧基、甲基乙基 苯氧基、异丙基苯氧基、丁基苯氧基、异丁基苯氧基、叔丁基苯氧基、戊 基苯氧基、异戊基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基 苯氧基、癸基苯氧基、十二垸基苯氧基等。作为芳硫基，碳原子数通常为6 60左右，优选为6 48。具体而言， 可以例示苯硫基、d Q2烷氧基苯硫基、Q C,2烷基苯硫基、l一萘硫基、2 —萘硫基、五氟苯硫基等，优选C， d2烷氧基苯硫基、C, Cj2烷基苯硫基o芳烷基的碳原子数通常为7 60左右，优选为7 48。具体而言，可 以例示苯基一d d2垸基、d d2烷氧基苯基一d Cu垸基、d C12 烷基苯基一d Ci2垸基、l一萘基一Q d2烷基、2 —萘基一d Cu烷基等，优选C广d2烷氧基苯基一d Q2垸基、d d2烷基苯基一C, C2烷基。芳基烷氧基的碳原子数通常为7 60左右，碳原子数优选为7 48。 具体而言，可以例示苯基甲氧基、苯基乙氧基、苯基丁氧基、苯基戊氧基、 苯基己氧基、苯基庚氧基、苯基辛氧基等的苯基一q d2烷氧基、d Ci2烷氧基苯基一Q C,2垸氧基、C, C,2烷基苯基一C, C,2烷氧基、1—萘基一Q C,2垸氧基、2 —萘基一C, C,2烷氧基等，优选d C,2烷氧基苯基一C, C,2烷氧基、Ci Cu烷基苯基一d d2垸氧基。芳烷基硫基的碳原子数通常为7 60左右，碳原子数优选为7 48。具体而言，可以例示苯基一d C!2垸硫基、d d2垸氧基苯基一d d2 烷硫基、d d2烷基苯基一Q C,2烷硫基、1—萘基一d d2垸硫基、 2 —萘基一d Q2烷硫基等，优选d C,2垸氧基苯基一d d2垸硫基、Ci Cu烷基苯基一C! Ci2烷硫基o芳基链烯基的碳原子数通常为7 60左右，碳原子数优选为7 48。具体而言，可以例示苯基一C2 C,2链烯基、Q C,2烷氧基苯基一C2 d2 链烯基、C, d2垸基苯基一C2 d2链烯基、l一萘基一C2 d2链烯基、 2 —萘基一C2 C,2链烯基等，优选d Ci2烷氧基苯基一C2 C2链烯基、 C2 d2烷基苯基一d d2链烯基。芳基炔基的碳原子数通常为7 60左右，碳原子数优选为7 48。具体而言，可以例示苯基-C2 C,2炔基、d d2垸氧基苯基-C2 Cu炔 基、C, d2烷基苯基一C2 Q2炔基、1—萘基一C2 Q2炔基、2 —萘基 一C2 Cu炔基等，优选d C,2烷氧基苯基一C2 d2炔基、C2 C,2垸基 苯基一C, C,2炔基。1价杂环基是指从杂环化合物除去1个氢原子后残余的原子团，碳原子数通常为4 60左右，优选为4 20。其中，杂环基的碳原子数不包括 取代基的碳原子数。在此，杂环化合物是指在具有环式结构的有机化合物 中构成环的元素不仅为碳原子，而且在环内也包括氧、硫、氮、磷、硼等 杂原子的化合物。具体而言，可以例示噻嗯基、C, d2烷基噻嗯基、吡 咯基、呋喃基、吡啶基、q Q2烷基吡啶基、哌啶基、喹啉基、异喹啉基等，优选噻嗯基、Q d2垸基噻嗯基、吡啶基、Q d2垸基吡啶基。作为通式(1)表示的结构，可以例示以下。(式(2)中，R5、 R6分别独立地表示氢原子、卤原子、垸基、垸氧 基、芳基。a及b分别独立地表示O或l的整数。Rs及R6相同或不同。X与所述意义相同。)在式(2)中，Y优选为一O—、 一S —或一C (R36) (R37)—。在此，(R36)、 (R37)与所述意义相同。在本发明中使用的荧光性共轭系高分子(A)除了用通式(1)表示 的结构以外，也可以为含有其他重复单元的共聚物。作为其他重复单元， 可以举出下述(3) (4)。<formula>formula see original document page 11</formula>[式中，Ar,、 Ar2、 Ar3、 A^及Ar5分别独立地表示亚芳基或2价杂环 基。Ar5、 Ar6、 A^及Ar8分别独立地表示芳基或1价杂环基。Ar,、 Ar6、 Ar7及Ars可具有取代基。x及y分别独立地表示O或l， 0^x+y^l。]在此，亚芳基是指从芳香族烃除去2个氢原子后残余的原子团，碳原 子数通常为6 60左右，优选为6 20。在此，作为芳香族烃，包括具有 稠环的芳香族烃、独立的2个以上苯环或稠环直接或借助亚乙烯基等基团 结合而成的芳香族烃。以下例示。<formula>formula see original document page 11</formula>(上式中，R表示垸基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、 芳垸基、芳基烷氧基、芳烷基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代 氨基、甲硅垸基、取代甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代甲硅烷氧基，在l个 基团中多个R相同或不同。)在本发明中使用的共轭系高分子的末端基如果直接残存聚合活性基， 则在成为元件时发光特性或寿命可能会降低，所以也可以用稳定的基团保 护。优选具有与主链的共轭结构连续的共轭键，例如可以例示借助碳一碳 键与芳基或杂环基结合的结构。具体而言，可以例示在特开平9一4547S 号公报的化10中记载的取代基等。在本发明中使用的共轭系高分子可以为无规、嵌段或接枝共聚物，也可以为具有它们的中间结构的高分子例如带嵌段性的无规共聚物。从得到 量子收率高的高分子的观点出发，与完全的无规共聚物相比，更优选带嵌 段性的无规共聚物或嵌段或接枝共聚物。也包括在主链具有分支、末端部 为3个以上的情况或树枝状聚合物。
在本发明中使用的共轭系高分子以聚苯乙烯换算的数均分子量优选
为103 108。更优选为104 107。
另外，在本发明中使用的高分子材料中含有的荧光性共轭系高分子
(A)在与磷光性化合物(B)的组合中，除了满足所述(1) (3)的 条件以外，没有特别限定，从驱动电压或发光效率等有机EL元件的实用 特性的观点出发，优选含有所述通式(1)所示的结构，进而还含有通式
(4)所示的结构。
在本发明的高分子材料中使用的共轭系高分子的制造方法具体可以 根据需要将成为单体的具有数个反应性取代基的化合物溶解于有机溶剂， 例如使用碱或适当的催化剂，在有机溶剂的熔点以上沸点以下进行。例如 可以使用在"有机反应(Organic Reactions)",第14巻，270—490页，John Wiley&Sons,Inc.， 1965年、"有机合成(Organic Syntheses)",总第6巻
(Collective Volume VI) ,407—411页，John Wiley&Sons,Inc,， 1988年、 化学综述(Chem.Rev.)，第95巻，2457页(1995年)、金属有机化学杂 志(J. Organomet. Chem.)，第576巻，147页(1999年)、Makromol. Chem.，Macromol.Symp.，第12巻，229页(1987年)等中记载的公知方 法。
在本发明的高分子材料中使用的共轭系高分子的制造方法中，作为使 其縮聚的方法，可以通过使用已知的縮合反应制造。在縮聚中产生双键的 情况下，例如可以举出特开平5—202355号公报中记载的方法。BP,可以 例示利用具有甲酰基的化合物与具有鳞甲基的化合物或者具有甲酰基和 鳞甲基的化合物的维蒂希(Wittig)反应的聚合；利用具有乙烯基的化合 物与具有卤原子的化合物的赫克(Heck)反应的聚合；利用具有2个或2 个以上一卤化甲基的化合物的脱卤化氢法的縮聚；利用具有2个或2个以 上鳞甲基的化合物的鳞盐分解法的缩聚；利用具有甲酰基的化合物与具有 氰基的化合物的克脑文纳格尔(Knoevenagd)反应的聚合等方法，利用具有2个或2个以上甲酰基的化合物的麦克默里(McMurry)反应的聚合 等方法。
在本发明的高分子利用縮聚在主链产生三键的情况下，例如可以利用 Heck反应。
另外，在不产生双键或三键的情况下，例如可以例示从该单体利用苏 楚基(Suzuki)偶联反应聚合的方法，利用格利雅(Grignard)反应聚合 的方法，利用镍O价配位化合物聚合的方法，利用FeCl3等氧化剂聚合的 方法，电化学氧化聚合的方法或者利用具有适当的脱离基的中间体高分子 的分解的方法等。
其中，从容易控制结构的角度出发，优选利用Wittig反应的聚合，利 用Heck反应的聚合，利用Knoevenagd反应的聚合、利用Suzuki偶联反 应聚合的方法，利用Grignard反应聚合的方法，利用镍0价配位化合物聚 合的方法。
在本发明中使用的高分子的原料单体所具有的反应性取代基在为卤 原子、烷基磺酸盐基、芳基磺酸盐基或芳烷基磺酸盐基的情况下，优选在 镍0价配位化合物存在下縮聚的制造方法。
作为原料化合物，可以举出二卤化化合物、双(垸基磺酸盐)化合物、 双(芳基磺酸盐)化合物、双(芳烷基磺酸盐)化合物或者卤素一烷基磺 酸盐化合物、卤素一芳基磺酸盐化合物、卤素一芳垸基磺酸盐化合物、烷 基磺酸盐基一 芳基磺酸盐化合物、烷基磺酸盐 一 芳烷基磺酸盐化合物以及 芳基磺酸盐一芳垸基磺酸盐化合物。
另外，在本发明中使用的高分子的原料单体所具有的反应性取代基在 为卤素原子、垸基磺酸盐基、芳基磺酸盐基、芳烷基磺酸盐基、硼酸基、 或硼酸酯基的情况下，优选卤素原子、烷基磺酸盐基、芳基磺酸盐基及芳 烷基磺酸盐基的摩尔数的总合与硼酸基及硼酸酯基的摩尔数的总合的比 实际上为1 (通常为0.7 1.2的范围)，使用镍催化剂或钯催化剂进行縮 聚的制造方法。
作为具体的原料化合物的组合，可以举出二卤化化合物、双(烷基磺 酸盐)化合物、双(芳基磺酸盐)化合物或双(芳烷基磺酸盐)化合物与 二硼酸酯化合物或二硼酸酯化合物的组合。另外，卤素一硼酸化合物、卤素一硼酸酯化合物、烷基磺酸盐一硼酸 化合物、烷基磺酸盐一硼酸酯化合物、芳基磺酸盐一硼酸化合物、芳基磺 酸盐一硼酸酯化合物、芳垸基磺酸盐一硼酸化合物、芳烷基磺酸盐—硼酸 化合物、芳垸基磺酸盐一硼酸酯化合物。
作为有机溶剂，根据使用的化合物或反应而不同，但通常为了抑制副 反应，优选使用的溶剂充分地实施脱氧处理，在惰性气氛下进行反应。另 外，同样优选进行脱水处理。其中，对Suzuki偶联反应之类的在与水的2 相系中反应的情况没有限定。
为了使其反应而适宜地添加碱或适当的催化剂。它们只要对应使用的 反应选择即可。该碱或催化剂优选充分地溶解于反应中使用的溶剂中。作 为混合碱或催化剂的方法，可以例示在氩或氮等惰性气氛下搅拌反应液并 同时缓慢地添加碱或催化剂的溶液，或者相反，在碱或催化剂的溶液中缓 慢地添加反应液的方法。
在将本发明中使用的高分子用于高分子LED等的情况下，由于其纯 度会影响发光特性等元件的性能，所以优选在用蒸馏、升华精制、重结晶 等方法精制聚合前的单体之后聚合。另外，聚合后，优选进行再沉淀精制、 色谱法来进行分离等的纯化处理。
接着，对本发明的高分子材料中的磷光性化合物(B)进行说明。 在磷光性化合物中，作为具有显示出来自三重激发态的发光的金属配 位化合物结构的磷光性化合物，例如可以举出以往被用作低分子系的EL 发光性材料的磷光性化合物等。它们例如在Nature, (1998) ， 395， 151、 Appl.Phys丄ett. (1999) ， 75 (1 ) ， 4、 Proc.SP正-Int.Soc.Opt.Eng. (2001)， 4105 (Organic Light-Emitting Materials and Devices IV) ， 119、 J.Am,Chem.Soc" (2001) ， 123， 4304、 Appl.Phys丄ett. (1997) ， 71 (18)， 2596、 Syn.Met.， (1998) ， 94 (1) ， 103、 Syn.Met.， (1999) ， 99 (2)， 1361、 Adv.Mater.， (1999) ， 11 (10) ， 852、 WO02/06652或Journal of the SID,llA， 161 — 166 (2003)等。其中，从获得高效率的观点出发，优选 金属配位化合物的最高已据轨道(HOMO)中，中心金属的最外层d轨道 的轨道系数为0.3以上。另外，从获得高EL效率的观点出发，优选金属 配位化合物为中性。作为磷光发光配位化合物的中心金属，通常为原子编号50以上的原 子，该配位化合物中具有自旋一轨道相互作用，可以发生1重态与3重态 间的项间交叉的金属，例如，金、铂、铱、锇、铼、钨、铕、铽、铥、镝、 钐、镨、钆、镱原子，更优选金、铂、铱、锇、铼、钨原子，进而优选金、 铂、铱、锇、铼原子，最优选金、铂、铱、铼原子。
作为磷光发光配位化合物的配位基，从获得高效率的点出发，优选在
配位原子中含有碳，例如可以举出2 —苯基吡啶、2 —苯基喹啉、1 —苯基 异喹啉、2或3 —苯基喹喔啉、苯并[h]喹啉以及它们的衍生物等。另外， 在不破坏发光特性的范围内，为了提高溶解性，配位基也可以具有取代基。 以下显示磷光发光配位化合物的例子。(所述化合物中的Ra表示一部分可被氟取代的垸基、可具有取代基 的亚芳基、卤素基，在同一化合物中，多个Ra可相同或不同。) 本发明的高分子材料满足以下(1)、 (2)及(3)条件。
(1) 荧光性共轭系高分子(A)的发光峰波长的至少一个不到500nm;
(2) 磷光性化合物(B)的发光峰波长为500nm以上；
(3) 满足下式关系。
ETA—ESA0^ (ETb—ESbo) —0.2 (单位eV) (Eql) (式中，ESAo表示荧光性共轭系高分子(A)的基态能量，ETa表示 荧光性共轭系高分子(A)的最低激发三重态的能量，ESBo表示磷光性发 光分子(B)的基态能量，ETB表示磷光性化合物(B)的最低激发三重态 的能量。)
从获得高效率发光的观点出发，磷光发光分子的发光峰必须为比荧光 性共轭系高分子的发光峰长的波长，特别是荧光性共轭系高分子的发光必 需在蓝色发光区域附近的发光。
对于各个所述(Eql)中的荧光性共轭系高分子、显色出来自三重激 发态的发光的憐光性发光分子的基态与最低激发三重态的能量差(依次为 ETa—ESa。、 ETb —ESb。)存在通过实测来决定的方法，但在本发明中， 由于通常磷光性发光分子的所述能量差与用作基质的荧光性共轭系高分子的所述能量差的相对大小关系在获得更高的发光效率方面很重要，所以 通常用科学计算法来决定。在磷光性化合物(A)具有金属配位化合物结构的情况下，在满足所述(Eql)的范围内，从获得高亮度或高发光效率的点出发，进而优选磷 光性化合物(A)的利用科学计算法算出的最高已占分子轨道(HOMO) 中，中心金属的最外层d轨道的轨道系数的平方和在全部原子轨道系数的 平方和中所占的比例为3分之1以上，进而更优选5分之2以上。作为用于算出所述的荧光性高分子或磷光性发光材料的基态能量及 最低激发三重态的能量以及金属配位化合物的HOMO中的最外层d轨道 的轨道系数的平方和所占的比例时所使用的科学计算法，已知有基于半经 验法以及非经验法的分子轨道法或密度泛函数法等。在本发明中，使用量 子化学计算程序(program) Gaussian03，利用密度泛函数，算出三重态发 光化合物的基态中的最优化结构，实施基态的HOMO能级及基态的 LUMO能级以及HOMO中的各轨道的总体(population)分析，求得HOMO 中的中心金属的最外层d轨道的轨道系数的平方和在全部原子轨道系数 的平方和中所占的比例。进而，使用时间依赖密度泛函数法，算出该化合 物的基态与最低激发三重态的能量差(以下称为最低激发三重态能量)、 基态与最低激发一重态的能量差(以下称为最低激发一重态能量)。对于 共轭系高分子，使用哈特里一福克(Hartree~~Fork)法(以下也称为HF 法)，求基态的最优结构，使用时间依赖密度泛函数，算出该共轭系高分 子的最低激发三重态能量。其中，金属配位化合物在配位基具有烷基等侧 链的情况下，将省略取代基的结构作为计算对象结构。关于金属配位化合 物中的总体分析，使用在非专利文献(JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY A 2002、 Vol.l06、 p1634)中记载的方法。相对单体(n=l)、 2聚体(n=2)及3聚体(n=3)，进行对共轭系 高分子的最低激发三重态能量以及最低激发一重态能量、基态的HOMO 能级以及基态的LUMO能级的计算，共轭系高分子中的激发能量在n二 1 3时的结果作为1/n的函数E (1/n)(在此，E为最低激发一重态能量 或最低激发三重态能量等想要求得的激发能量值)，使用线性地向n=0外 推来算出的方法。另外，在共轭系高分子的重复单元中，例如链长含有长的侧链等的情况下，对成为计算对象的化学结构，将侧链结构简略化成最 小单位(例如，在侧链具有辛基的情况下，将侧链作为甲基计算)，进行 计算。另外，在共聚物中的一重态激发能量以及三重态激发能量中，将从 共聚合比的角度出发的最小单位作为单元，利用与所述均聚物中的情况相同的计算方法求得。其中，得到的计算值用以Journal of American Chemical Society、 VoU23、 4304 (2001)中记载的实测值为基础得到的换算系数进 行校正，使用。另外，在共聚物中的HOMO、 LUMO、 一重态激发能量以及三重态 激发能量中，可以将从共聚合比的角度出发的最小单位作为单元，利用与 所述均聚物中的情况相同的计算方法求得。如上所述，本发明的高分子材料具有以下2个方式。 (了)包含含有荧光性共轭系高分子(A)和磷光性化合物(B)的 组合物的高分子材料，(一)包含在同一分子内具有荧光性共轭系高分子 (A)结构和磷光性发光分子(B)结构的高分子的高分子材料所述(7)中的荧光性共轭系高分子(A)与磷光性化合物(B)的 量、(一)中的荧光性共轭系高分子(A)的结构与磷光性化合物(B)的 结构的量因所组合的荧光性共轭系高分子的种类或需要最优化的特性而 不同，所以没有特别限定，在将荧光性共轭系高分子(A)的量设为100 重量份时，磷光性发光分子(B)通常为0.01 40重量份，优选为0.1 IO重量份，进而优选为0.1 1重量份。特别是在含有多种显示出不同的 发光峰波长的磷光性化合物的情况下，从多色发光的观点出发，优选进一 步减少含有更长波长发光峰的分子的含量。本发明的高分子材料在为所述(^)的方式的情况下，作为在同一分 子内具有荧光性共轭系高分子(A)的结构和磷光性化合物(B)的结构 的高分子的例子，可以举出在荧光性共轭系高分子(A)的主链上具有磷光性化合物(B)的结 构的高分子；在荧光性共轭系高分子(A)的末端上具有磷光性化合物(B)结构 的高分子；在荧光性共轭系高分子(A)的侧链上具有磷光性化合物(B)结构的高分子。作为所述(^)的方式的高分子的例子，可以举出含有通式(1)所示的部分结构，以聚苯乙烯换算的数均分子量为103 108,在其侧链、主链及/或末端具有磷光性化合物的结构的高分子。在荧光性共轭系高分子(A)的侧链上具有磷光性化合物(B)结构的高分子结构如下式所示。(L一X)nAr1B-[式中，A,表示具有l个以上从二价的芳香族基或氧原子、硅原子、 锗原子、锡原子、磷原子、硼原子、硫原子、硒原子及碲原子构成的组中 选择的原子的二价杂环基，该Ar"具有l个以上4个以下用一L一X表示 的基团，X表示显示出来自三重激发态的发光的一价基团，L表示单键、一 O—、 —S —、 —CO—、 一CO广、一SO—、 一SO广、—SiR68R69—、 NR70 一、一BR71 — 、 一PR72 —、 一P (=0) (R73)—、可被取代的亚烷基、可 被取代的亚链烯基、可被取代的亚炔基、可被取代的亚芳基、或者可被取 代的2价杂环基，在该亚垸基、该亚链烯基、该亚炔基含有一CH2—基的 情况下，该亚垸基中所含有的一CH2—基的一个以上、该亚链烯基中含有 的一CH2—基的一个以上、该亚炔基中含有的一CH2—基的一个以上分别 可以被由一0—、 一S — 、 一CO—、 一C02—、 一SO—、 一S02—、 一SiR74R75—、NR76—、 一BR77—、 一PR78—, —P (=0) (R79) —构成的组中选择的基团取代。R68、 R69、 R7°、 R71、 R72、 R73、 R74、 R75、 R76、 R77、 R78、R79分别独立地表示从氢原子、烷基、芳基、1价的杂环基以及氰基构成 的组中选择的基团。Ar18除了一L一X—所示的基团以外，进而也可以具 有从烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳基烷氧 基、芳垸基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、氨基、取代氨基、甲硅垸基、 取代甲硅烷基、卤原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酰亚胺基、 1价的杂环基、羧基、取代羧基以及氰基构成的组中选择的取代基。在 A^具有多个取代基的情况下，它们相同或不同。n表示l 4的整数。] 在此，2价的芳香族基例如可以举出亚苯基、亚吡啶基(pyridinylene)、亚嘧啶基(pyrimidilene)、亚萘基或者如所述通式(1)表示的环。在荧光性共轭系高分子(A)的主链上具有磷光性化合物(B)的结构的高分子结构例如下式所式。 ——^-——L2-[式中，L,、 L2表示磷光性发光性分子的结构，式中的键结与磷光性 发光性分子的结构与形成高分子主链的重复单元结合。]在荧光性共轭系高分子(A)的末端上具有磷光性化合物(B)的结 构的高分子结构例如下式所式。~~X—L3[式中，L3表示含有磷光性化合物(B)的结构的一价的基团，键结被 磷光性发光分子(B)材料所具有，并与X结合。X表示单键、可被取代 的亚链烯基、可被取代的亚炔基、可被取代的亚芳基或者可被取代的2价 杂环基。]在侧链、主链、末端具有磷光性化合物的结构(B)的高分子例如可 以将具有磷光性发光部的单体作为原料之一，使用所述方法制造。本发明的高分子材料进而也可以含有从空穴输送材料、电子输送材料 及发光材料中选择的至少一种材料。对本发明的液态组合物进行说明。本发明的组合物及高分子化合物尤其可以作为液态组合物用于制作 高分子发光元件等发光元件。液态组合物是本发明的高分子材料(组合物 及高分子化合物)根据需要含有溶剂而成的。在本说明书中，"液态组合 物"是指在制作元件时为液态，典型的是指常压(即，1个大气压)、25 。C下为液态。另外，液态组合物通常有时被称为墨液、墨液组合物、溶液 等。在制作高分子发光元件时，在使用该液态组合物(例如溶液状态的组 合物等)进行成膜时，在涂敷该液态组合物之后，只通过干燥除去溶剂即可，另外在混合电荷输送材料或发光材料时，也可以适用相同的方法，所以在制造上非常有利。其中，在干燥时，可以在加温到50 15(TC左右的 状态下干燥，另外，也可以在减压至10」Pa左右使其干燥。作为使用液态组合物的成膜方法，可以使用旋涂法、浇铸法、微凹板 涂敷法、凹板涂敷法、棒涂法、辊涂法、线锭涂敷法、浸涂法、喷涂法、 网板印刷法、凸版印刷法、平板印刷法、喷墨打印法等涂敷法。液态组合物中的溶剂的比例相对该液态组合物的全部重量，通常为1 重量0% 99.9重量％，优选为60重量％ 99.9重量％，进而优选为90重 量％ 99.8重量％。液态组合物的粘度根据印刷法而不同，在25'C下优 选为0.5 500mPa s的范围，在喷墨打印机法等液态组合物经由喷出装 置的情况下，为了防止喷出时的堵塞或弯曲飞跃，在25'C下粘度优选为 0.5 20mPa.s的范围。另外，含有所述式(l一l)、 (l一2)表示的重复 单元的聚合物及显示出磷光发光的化合物的重量的和或所述高分子化合 物的重量相对从液态组合物已除去溶剂的全部成分的总重量，通常为20 重量％ 100重量％，优选为40重量％ 100重量％。作为液态组合物中含有的溶剂，优选可以溶解或分散该液态组合物中 的该溶剂以外的成分的溶剂。作为该溶剂，可以例示氯仿、二氯甲垸、1， 2 —二氯乙烷、1， 1， 2 —三氯乙垸、氯苯、邻二氯苯等氯系溶剂，四氢呋 喃、二噁垸等醚系溶剂，甲苯、二甲苯、三甲基苯、均三甲基苯等芳香族 烃系溶剂，环己垸、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚垸、正辛烷、正 壬烷、正癸烷等脂肪族烃系溶剂，丙酮、甲基乙基甲酮、环己酮等酮系溶 剂，醋酸乙酯、醋酸丁酯、苯甲酸甲酯、乙基溶纤剂乙酸酯(ethyl cellosolve acetate)等酯系溶剂，乙二醇、乙二醇一丁醚、乙二醇一乙醚、乙二醇一 甲醚、二甲氧基乙垸、丙二醇、二乙氧基甲烷、三甘醇一乙醚、甘油、1， 2—己二醇等多元醇及其衍生物，甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、环己醇等 醇系溶剂，二甲亚砜等亚砜系溶剂，N—甲基一2 —吡咯烷酮、N， N—二 甲基甲酰胺等酰胺系溶剂。另外，这些溶剂可以单独使用一种，也可以组 合使用多种。在所述溶剂中，从粘度、成膜性等观点出发，优选含有一种 以上具有至少含有1个苯环的结构而且熔点在0卩以下、沸点在IO(TC以 上的有机溶剂。作为溶剂的种类，从液态组合物中的溶剂以外的成分向有机溶剂的溶 解性、成膜时的均一性、粘度特性等观点出发，优选芳香族烃系溶剂、脂 肪族烃系溶剂、酯系溶剂、酮系溶剂，优选甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、 三甲基苯、均三甲基苯、正丙苯、异丙苯、正丁苯、异丁苯、叔丁苯、苯甲醚、乙氧基苯、l一甲基萘、环己烷、环己酮、环己基苯、二环己基、 环己烯基环己酮、正庚基环己烷、正己基环己烷、苯甲酸甲酯、2 —丙基环己酮、2—庚酮、3—庚酮、4一庚酮、2 —辛酮、2 —壬酮、2—癸酮、二 环己基甲酮，更优选含有二甲苯、苯甲醚、均三甲基苯、环己基苯、二环 己基、苯甲酸甲酯中的至少一种。从成膜性的观点或元件特性等观点出发，液态组合物中含有的溶剂的 种类优选为2种以上，更优选为2 3种，进而优选为2种。在液态组合物中含有2种溶剂的情况下，其中的1种溶剂也可以在 25'C下为固体状态。从成膜性的观点出发，优选1种溶剂的沸点为180°C 以上，另一种溶剂的沸点为18(TC以下，更优选1种溶剂的沸点为200°C 以上，另一种溶剂的沸点为18(TC以下。另外，从粘度的观点出发，在60 。C下，优选从液态组合物中已除去溶剂所得的成分的0.2重量％以上溶解 于溶剂中，优选在25。C下，从液态组合物已除去溶剂所得的成分的0.2重 量％以上溶解于2种溶剂中的1种溶剂。在液态组合物中含有3种溶剂的情况下，其中的1 2种溶剂也可以 在25。C下为固体状态。从成膜性的观点出发，优选3种溶剂中的至少1 种溶剂为沸点18(TC以上的溶剂，至少一种溶剂为沸点180'C以下的溶剂， 更优选3种溶剂中的至少1种溶剂为沸点20(TC以上30(TC以下的溶剂， 至少一种溶剂为沸点18(TC以下的溶剂。另外，从粘度的观点出发，在60 。C下，优选从液态组合物中已除去溶剂所得的成分的0.2重量％以上溶解 于3种溶剂中的2种溶剂，优选在25'C下，从液态组合物已除去溶剂所 得的成分的0.2重量％以上溶解于3种溶剂中的1种溶剂。在液态组合物中含有2种以上溶剂的情况下，从粘度及成膜性的观点 出发，沸点最高的溶剂优选为液态组合物中含有的全部溶剂的重量的40 90重量％，更优选为50 90重量％，进而优选为65 85重量％。作为液态组合物中含有的溶剂，从粘度及成膜性的观点出发，优选苯甲醚及二环己基的组合、苯甲醚及环己基苯的组合、二甲苯及二环己基的 组合、二甲苯及环己基苯的组合、均三甲基苯及苯甲酸甲酯的组合。从液态组合物中含有的溶剂以外的成分向溶剂的溶解性的观点出发， 溶剂的溶解度参数与在本发明的组合物中含有的聚合物或本发明的高分 子化合物的溶解度参数之间的差优选为10以下，更优选为7以下。这些溶解度参数可以用"溶剂手册(handbook)(讲谈社刊，1976年)"中记 载的方法求得。接着，对本发明的发光元件进行说明。本发明的发光元件的特征在于，在由阳极及阴极构成的电极间具有含 有本发明的高分子材料的层。其特征在于，在由阳极及阴极构成的电极间，进而具有电荷输送层及 /或电荷阻止层。作为所述发光元件，可以举出在阴极与发光层之间设置电子输送层的 高分子LED、在阳极与发光层之间设置空穴输送层的高分子LED、在阴 极与发光层之间设置电子输送层而且在阳极与发光层之间设置空穴输送 层的高分子LED、在发光层与阴极之间设置空穴阻止层的高分子LED等。 在此，发光层是指具有发光的功能的层，空穴输送层是指具有输送空穴的 功能的层，电子输送层是指具有输送电子的功能的层。其中，将电子输送 层与空穴输送层总称为电荷输送层。另外，电荷阻止层是指具有将空穴或 电子关入发光层中的功能的层，将输送电子而且关闭空穴的层称为空穴阻 止层，将输送空穴而且关闭电子的层称为电子阻止层。另外，还可以举出在所述至少一方电极与发光层之间与该电极邻接的 方式设置含有导电性高分子的层的高分子LED;在至少一方电极与发光 层之间与该电极邻接的方式设置平均膜厚为2nm以下的缓冲层的高分子 LED。具体而言，可以例示以下a) d)的结构。a) 阳极/发光层/阴极b) 阳极/空穴输送层/发光层/阴极 c )阳极/发光层/电子输送层/阴极d )阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/阴极(在此，/表示各层被邻接并层叠。以下相同。) 发光层、空穴输送层、电子输送层也可以分别独立地使用两层以上。另外，在与电极邻接设置的电荷输送层中，具有改善来自电极的电荷 注入效果的功能、且降低元件的驱动电压的效果的层有时特别被称为电荷 注入层(空穴注入层、电子注入层)。另外，为了提高与电极的粘附性或改善来自电极的电荷注入，也可以与电极邻接的方式设置所述电荷注入层或膜厚为2nm以下的绝缘层，另 外，为了提高界面的粘附性或防止混合等，也可以在电荷输送层或发光层 的界面插入薄的缓冲层。进而，为了输送电子而且关闭空穴，也可以在与发光层的界面插入空 穴阻止层。对于所层叠的层的顺序或数目以及各层的厚度，可以适当考虑发光效 率或元件寿命使用。在本发明中，作为设置了电荷注入层(电子注入层、空穴注入层)的 高分子LED,可以举出与阴极邻接的方式设置电荷注入层的高分子LED、 与阳极邻接的方式设置电荷注入层的高分子LED。例如，具体而言，可以举出以下e) p)的结构。e) 阳极/电荷注入层/发光层/阴极f) 阳极/发光层/电荷注入层/阴极g) 阳极/电荷注入层/发光层/电荷注入层/阴极h) 阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/阴极i) 阳极/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极j)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电荷注入层/阴极k)阳极/电荷注入层/发光层/电荷输送层/阴极1)阳极/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极m)阳极/电荷注入层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极n)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电荷输送层/阴极o)阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极p)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电荷注入层/阴极作为电荷注入层的具体例，可以例示含有导电性高分子的层，在阳极 与空穴输送层之间设置的、含有具有阳极材料与空穴输送层中含有的空穴 输送材料之间的中间值的电离能的材料的层，在阴极与电子输送层之间设 置的、含有具有阴极材料与电子输送层中含有的电子输送材料之间的中间 值的电子亲合力的材料的层等。在所述电荷注入层为含有导电性高分子的层的情况下，该导电性高分子的电导率优选为10—SS/cm以上、10、/cm以下，为了减小发光像素间的 漏电流，更优选为10_5S/cm以上102S/cm以下，进而优选为10—5S/cm以 上lO^/cm以下。通常为了使该导电性高分子的电导率在10—5S/cm以上103S/cm以下， 在该导电性高分子中惨杂适量的离子。掺杂的离子的种类在为空穴注入层时为阴离子，在为电子注入层时为 阳离子。作为阴离子的例子，可以例示聚苯乙烯磺酸离子、烷基苯磺酸离 子、樟脑磺酸离子等，作为阳离子的例子，可以例示锂离子、钠离子、钾 离子、四丁基铵离子等。作为电荷注入层的膜厚，例如为lnm 100nm，优选为2nm 50nm。在电荷注入层中使用的材料只要根据与电极或所邻接的层的材料的 关系适当选择即可，可以例示聚苯胺及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚 吡咯及其衍生物、聚苯乙炔(polyphenylenevinylene)及其衍生物、聚亚 噻吩基亚乙烯基(polythienylenevinylene)及其衍生物、聚喹啉及其衍生 物、聚喹喔啉及其衍生物、在主链或侧链中含有芳香族胺结构的聚合物等 导电性高分子、金属酞菁(铜酞菁等)、碳等。膜厚为2nm以下的绝缘层具有使电荷注入容易的功能。作为所述绝 缘层的材料，可以举出金属氟化物、金属氧化物、有机绝缘材料等。作为 设置膜厚为2nm以下的绝缘层的高分子LED,可以举出与阴极邻接的方 式设置膜厚为2nm以下的绝缘层的高分子LED、与阳极邻接的方式设置 膜厚为2nm以下的绝缘层的高分子LED。具体而言，例如可以举出以下q) ab)的结构。q)阳极/膜厚为2nm以下的绝缘层/发光层/阴极r)阳极/发光层/膜厚为2nm以下的绝缘层/阴极s)阳极/膜厚为2nm以下的绝缘层/发光层/膜厚为2nm以下的绝缘层 /阴极t)阳极/膜厚为2nm以下的绝缘层/空穴输送层/发光层/阴极 u)阳极/空穴输送层/发光层/膜厚为2nm以下的绝缘层/阴极 v)阳极/膜厚为2nm以下的绝缘层/空穴输送层/发光层/膜厚为2nm以下的绝缘层/阴极w)阳极/膜厚为2nm以下的绝缘层/发光层/电子输送层/阴极x)阳极/发光层Z电子输送层/膜厚为2nm以下的绝缘层/阴极y)阳极/膜厚为2nm以下的绝缘层/发光层/电子输送层/膜厚为2nm以下的绝缘层/阴极z)阳极/膜厚为2nm以下的绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送层/aa) 阳极/空穴输送层/发光层/电子输送层/膜厚为2nm以下的绝缘层/阴极ab) 阳极/膜厚为2nm以下的绝缘层/空穴输送层/发光层/电子输送层/ 膜厚为2nm以下的绝缘层/阴极空穴阻止层具有输送电子而且关闭从阳极输送的空穴的作用，由设置于发 光层的阴极侧的界面、具有比发光层的电离能大的电离能的材料，例如 Bathocuproine (2， 9-二甲基-4， 7-二苯基-l， IO-菲啰啉)、8 —羟基喹啉或其衍生物的金属配位化合物等构成。作为空穴阻止层的膜厚，例如为lnm 100nm，优选为2nm 50nm。 例如，具体而言，可以举出以下ac) an)的结构。ac) 阳极/电荷注入层/发光层/空穴阻止层/阴极ad) 阳极/发光层/空穴阻止层/电荷注入层/阴极ae) 阳极/电荷注入层/发光层/空穴阻止层/电荷注入层/阴极af) 阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/空穴阻止层/阴极ag) 阳极/空穴输送层/发光层/空穴阻止层/电荷注入层/阴极ah) 阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/空穴阻止层/电荷注入层/阴极ai) 阳极/电荷注入层/发光层/空穴阻止层/电荷输送层/阴极aj)阳极/发光层/空穴阻止层/电子输送层/电荷注入层/阴极ak)阳极/电荷注入层/发光层/空穴阻止层/电子输送层/电荷注入层/阴极al)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/空穴阻止层/电荷输送层/阴极am)阳极/空穴输送层/发光层/空穴阻止层/电子输送层/电荷注入层/阴极an)阳极/电荷注入层/空穴输送层/发光层/空穴阻止层/电子输送层/电 荷注入层/阴极作为发光层的形成方法，例如可以举出从液态组合物成膜的方法。作 为从液态组合物成膜的方法，可以使用旋涂法、浇铸法、微凹板涂敷法、 凹板涂敷法、棒涂法、辊涂法、线锭涂敷法、浸涂法、喷涂法、网板印刷 法、凸版印刷法、平板印刷法、喷墨打印法等涂敷法。从形成图案或多色 的分涂容易的点出发，优选网板印刷法、凸版印刷法、平板印刷法、喷墨 打印法等印刷法。作为发光层的膜厚，根据使用的材料而最优值不同，只要以驱动电压 与发光效率成为适度的值的方式选择最优值即可，例如为lnm lpm，优 选为2nm 500nm，进而优选为5nm 200nm。在本发明的高分子LED中，在发光层中也可以混合使用本发明的发 光材料以外的发光材料。另外，在本发明的高分子LED中，含有本发明 以外的发光材料的发光层也可以与含有本发明的发光材料的发光层层叠。作为该发光材料，可以使用公知的发光材料。低分子化合物例如可以 使用萘衍生物、蒽或其衍生物、茈或其衍生物、聚甲炔系、咕吨系、香豆 素系、菁蓝系等色素类、8 —羟基喹啉或其衍生物的金属配位化合物、芳 香族胺、四苯基环戊二烯或其衍生物或者四苯基丁二烯或其衍生物等。具体而言，例如可以使用特开昭57—51781号、同59—194393号公报中记载的化合物等公知的化合物。在本发明的高分子LED具有空穴输送层的情况下，作为所使用的空 穴输送材料，可以例示聚乙烯咔唑或其衍生物、聚硅垸或其衍生物、在侧 链或主链具有芳香族胺的聚硅氧垸衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、芪衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、 聚吡咯或其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、或者聚(2， 5 一亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物等。具体而言，作为该空穴输送材料，可以例示在特开昭63 — 70257号公 报、特开昭63 — 175860号公报、特开平2—135359号公报、特开平2 — 135361号公报、特开平2—209988号公报、特开平3—37992号公报、特 开平3 — 1521S4号公报中记载的空穴输送材料等。其中，作为在空穴输送层中使用的空穴输送材料，优选聚乙烯咔唑或 其衍生物、聚硅垸或其衍生物、在侧链或主链具有芳香族胺化合物基团的 聚硅氧烷衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(对亚苯基 亚乙烯基)或其衍生物、或者聚(2， 5 —亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物 等高分子空穴输送材料，进而优选聚乙烯咔唑或其衍生物、聚硅垸或其衍 生物、在侧链或主链具有芳香族胺的聚硅氧烷衍生物。在为低分子的空穴 输送材料的情况下，优选分散于高分子粘合剂中使用。聚乙烯咔唑或其衍生物例如可以通过从乙烯基单体进行阳离子聚合 或自由基聚合得到。作为聚硅烷或其衍生物，可以例示在化学综述(Chem.Rev.)第89巻， 1359页(1989年)、英国专利GB2300196号公开说明书中记载的化合物 等。合成方法也可以使用在其中记载的方法，尤其优选使用Kipping法。由于聚硅氧烷或其衍生物在硅氧烷骨架结构中几乎没有空穴输送性， 所以优选使用在侧链或主链中具有所述低分子空穴输送材料的结构的聚 硅氧烷或其衍生物。尤其可以例示在侧链或主链具有空穴输送性的芳香族 胺的聚硅氧垸或其衍生物。对空穴输送层的成膜方法没有限制，低分子空穴输送材料可以例示利 用从与高分子粘合剂的混合溶液成膜的方法。另外，高分子空穴输送材料 可以例示利用从溶液成膜的方法。作为从溶液的成膜中使用的溶剂，只要是使空穴输送材料溶解的溶剂 即可，没有特别限制。作为该溶剂，可以例示氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷 等氯系溶剂，四氢呋喃等醚系溶剂，甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂，丙 酮、甲基乙基甲酮等酮系溶剂，醋酸乙酯、醋酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯等酯系溶剂。作为从溶液的成膜方法，可以使用从溶液的旋涂法、浇铸法、微凹板 涂敷法、凹板涂敷法、棒涂法、辊涂法、线锭涂敷法、浸涂法、喷涂法、 网板印刷法、凸版印刷法、平板印刷法、喷墨打印法等涂敷法。作为混合的高分子粘合剂，优选不极度妨碍电荷输送的高分子粘合 剂，另外，优选使用对可见光的吸收不强的高分子粘合剂。作为该高分子 粘合剂，可以例示聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸 甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧垸等。作为空穴输送层的膜厚，根据使用的材料不同而最优值不同，只要选 择驱动电压与发光效率成为适度的值的最优值即可，但必需至少为不发生 气孔的厚度，如果过厚，则元件的驱动电压变高，不优选。所以作为该空穴输送层的膜厚，例如为lnm lpm，优选为2nm 500nm，进而优选为 5nm 200nm。在本发明的高分子LED具有电子输送层的情况下，作为使用的电子 输送材料可以使用公知的材料，可以例示噁二唑衍生物、蒽醌基二甲烷 (anthraquinodimethane)或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、 蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷(tetracyanoanthraquinodimethane)或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基亚乙基或其衍生物、联苯醌衍生物 或者8—羟基喹啉或其衍生物的金属配位化合物、聚喹啉或其衍生物、聚 喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物等。具体而言，可以例示在特开昭63 — 70257号公报、特开昭63 — 175860 号公报、特开平2 — 135359号公报、特幵平2 — 135361号公报、特开平2 —209988号公报、特开平3 — 37992号公报、特开平3 — 152184号公报中 记载的材料。其中，优选噁二唑衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、或者 8—羟基喹啉或其衍生物的金属配位化合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔 啉或其衍生物、聚芴或其衍生物，进而优选2— (4一联苯基)一5— (4 一叔丁基苯基)一l， 3， 4一噁二唑、苯醌、蒽醌、三(8—羟基喹啉)铝、 聚喹啉。作为电子输送层的成膜法，没有特别限制，如果是低分子电子输送材料，则可以例示从粉末的真空蒸镀法或者利用从溶液或熔融状态成膜的方 法，如果是高分子电子输送材料，则可以例示利用从溶液或熔融状态成膜 的方法。在从溶液或熔融状态成膜时，也可以并用高分子粘合剂。作为从溶液成膜中所使用的溶剂，只要是使电子输送材料及/或高分 子粘合剂溶解的溶剂即可，没有特别限制。作为该溶剂，可以例示氯仿、 二氯甲烷、二氯乙垸等氯系溶剂，四氢呋喃等醚系溶剂，甲苯、二甲苯等 芳香族烃系溶剂，丙酮、甲基乙基甲酮等酮系溶剂，醋酸乙酯、醋酸丁酯、 乙基溶纤剂乙酸酯等酯系溶剂。作为从溶液或熔融状态成膜的方法，可以使用旋涂法、浇铸法、微凹 板涂敷法、凹板涂敷法、棒涂法、辊涂法、线锭涂敷法、浸涂法、喷涂法、 网板印刷法、凸版印刷法、平板印刷法、喷墨打印法等涂敷法。作为混合的高分子粘合剂，优选不极度妨碍电荷输送的高分子粘合 剂，另外，优选使用对可见光的吸收不强的高分子粘合剂。作为该高分子 粘合剂，可以例示聚(N—乙烯基咔唑)、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、聚(2， 5 —亚噻吩基亚 乙烯基)或其衍生物、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙 烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚硅氧烷等。作为电子输送层的膜厚，根据使用的材料不同而最优值不同，只要选 择驱动电压与发光效率成为适度的值的最优值即可，但必需至少为不发生 气孔的厚度，如果过厚，则元件的驱动电压变高，不优选。所以作为该电 子输送层的膜厚，例如为lnm ljam，优选为2nm 500nm，进而优选为 5nm 200nm。形成本发明的高分子LED的基板只要是形成电极，在形成该高分子 LED的各层时不发生变化的基板即可，例如可以例示玻璃、塑料、高分 子薄膜、硅基板等。在为不透明的基板的情况下，优选相反的电极为透明 或半透明、通常由阳极及阴极构成的电极中的至少一方为透明或半透明，优选阳 极侧为透明或半透明。作为该阳极的材料，可以使用电导性的金属氧化物膜、半透明的金属 薄膜等。具体而言，可以使用氧化铟、氧化锌、氧化锡以及作为它们的复合体的铟，锡*氧化物(ITO)、铟，锌，氧化物等构成的导电性玻璃作成的膜(NESA等)，或者使用金、铂、银、铜等，优选ITO、铟 锌 氧化物、氧化锡。作为制作方法，可以举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、 镀敷法等。另外，作为该阳极，也可以使用聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或 其衍生物等有机的透明导电膜。阳极的膜厚可以考虑光的通透性和电导率适当选择，例如为10nm 10pim，优选为20nm lpm，进而优选为50nm 500nm。另外，为了使电荷注入容易，也可以在阳极上设置由酞菁衍生物、导 电性高分子、碳等构成的层或者由金属氧化物或金属氟化物、有机绝缘材 料等构成的平均膜厚为2nm以下的层。作为在本发明的高分子LED中使用的阴极的材料，优选功函数小的 材料。例如锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、钪、钒、锌、 钇、铟、铈、钐、铕、铽、镱等金属以及其中的2个以上的合金或者其中 的1个以上与金、银、铂、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡中的1个以上的 合金，石墨或石墨层间化合物等。作为合金的例子，可以举出镁一银合金、 镁一铟合金、镁一铝合金、铟—银合金、锂一铝合金、锂 镁合金、锂一 铟合金、钙一铝合金等。阴极也可以为2层以上的层叠结构。阴极的膜厚可以考虑电导率或耐久性适当选择，例如为10nm 10pm，优选为20nm ljim，进而优选为50nm 500nm。作为阴极的制作方法，可以使用真空蒸镀法、溅射法、热压接金属薄 膜的层叠法等。另外，也可以在阴极与有机物层间设置由导电性高分子构 成的层或者由金属氧化物或金属氟化物、有机绝缘材料等构成的平均膜厚 为2nm以下的层，在制作阴极之后，也可以安装保护该高分子LED的保 护层。为了长期稳定地使用该高分子LED，为了保护元件不受外部影响， 优选安装保护层及/或保护盖。作为该保护层，可以使用高分子化合物、金属氧化物、金属氟化物、 金属硼化物等。另外，作为保护盖，可以使用玻璃板、在表面实施了低透 水率处理的塑料板等，优选使用用热固性树脂或光固化树脂使该盖与元件 基板贴合密闭的方法。如果使用间隔件维持空间，则可以容易地防止元件 受伤。如果在该空间中封入氮或氩之类的惰性气体，则可以防止阴极的氧化，进而，通过在该空间内设置氧化钡等干燥剂，可以容易地抑制在制造 工序中吸附的水分损伤元件。其中，优选采取任意一种以上的方案。本发明的高分子发光元件可以用于面状光源、分段显示装置、点阵显 示装置或液晶显示装置的背光灯。为了使用本发明的高分子LED而得到面状的发光，只要配置成面状 的阳极与阴极重合即可。另外，为了得到图案状的发光，包括在所述面状 的发光元件的表面设置图案状的窗的掩模的方法，极端厚地形成非发光部 的有机物层从而实际上作为非发光的方法，将阳极或阴极的任意一方或者 双方电极形成为图案状的方法。在这些任意一种方法中，通过形成图案、配置成几个电极可以独立地进行On/OFF，可以得到能够显示数字或文字、 简单的符号等的分段类型的显示元件。进而，为了成为点阵元件，只要将 阳极和阴极均形成为条纹状、配置成正交即可。利用分涂多种发光色不同 的发光材料的方法或使用滤色片或转换光过滤器的方法，部分彩色显示、 多色显示成为可能。点阵元件也可以为无源驱动，或者也可以与TFT等 组合进行有源驱动。这些显示元件可以用作电脑、电视、便携终端、手机、 汽车导航仪、摄影机的取景器等的显示装置。进而，所述面状的发光元件可以优选用于自发光薄型的液晶显示装置 的背光灯用的面状光源或者面状的照明用光源。另外，如果使用挠性基板， 则也可以用作曲面状的光源或显示装置。以下显示实施例来进一步详细说明本发明，但本发明不被这些所限定。在此，聚苯乙烯换算的数均分子量通过将四氢呋喃作为溶剂，利用凝 胶渗透色谱法(GPC: HLC — 8220GPC，东soh制或者SCL—IOA，岛津制作所制)求得。 实施例1配制以79.8: 19.9: 0.3的比率(重量比)混合下述荧光性高分子化 合物(1)、 (2)以及磷光性化合物(Pl)而成的混合物的1.0wt^甲苯溶 液。在利用溅射法以150nm的厚度赋予ITO膜的玻璃基板上，使用聚(乙 撑二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸的溶液(拜耳公司，BaytronP)，利用旋涂器以50nm的厚度成膜，在加热板上，以20(TC干燥10分钟。接着，使用所 述配制的甲苯溶液，利用旋涂器，以1000rpm的旋转速度成膜。膜厚约为 100nm。进而，在减压下，80。C下使其干燥1小时，然后作为阴极缓冲层， 蒸镀约4nmLiF，作为阴极，蒸镀约5nm钙，接着蒸镀约80nm铝，制作 EL元件。此外，在真空度到达lX10"Pa以下之后，开始蒸镀金属。通 过向得到的元件施加电压，可以观测到来源于荧光性高分子化合物(1)、 (2)混合物的荧光(峰波长为480nm)和来源于磷光性化合物(Pl)的 光(峰波长625nm)，得到9132 C正色度坐标(0.34、 0.28)的白色EL 发光。其中，荧光性高分子化合物(1)显示出峰波长435nm的荧光，荧 光性高分子化合物(2)显示出峰波长480nm的荧光，磷光性化合物(Pl) 显示出峰波长510nm的磷光。该元件在约5V下显示出100cd/r^的发光，最大亮度为30000cd/m2 以上。另外，最大发光效率为3.0cd/A。荧光性高分子化合物(1)荧光性高分子化合物(2)其中，荧光性高分子化合物(1)、 (2)按照特开2004—143419中记磷光性化合物(Pl)载的方法合成。该荧光性高分子化合物(1)的聚苯乙烯换算的数均分子量为Mn = 1.2X104，重均分子量为Mw二7.7X104。另夕卜，荧光性高分子化合物(2) 按照特开2004—002654中记载的方法合成，聚苯乙烯换算的数均分子量 为Mn二3.5X105，重均分子量为Mw二UX106。磷光性化合物(Pl)按 照WO03 040256A2中记载的方法合成。另外，用科学计算法算出的荧光性高分子化合物(1)的最低激发三 重态能量与基态能量的差为2.08eV。利用相同的方法，确认了荧光性高 分子化合物(2)的最低激发三重态能量与基态能量的差为大于荧光性高 分子化合物(1)。用科学计算法算出的磷光性化合物(Pl)的最低激发三 重态能量与基态能量的差为2.00eV。从以上可以确认，荧光性高分子化 合物(1)及(2)大于磷光性化合物(Pl)。确认了存在最低激发三重态 能量与基态能量的差。其中，成为计算对象的化学结构相对荧光性高分子化合物(1)为相对荧光性高分子化合物(2)为相对磷光性化合物(Pl)为用在发明的详细说明中记载的方法实施计算。具体而言，首先，对于磷光性化合物(Pl)，从B3LYP水平的密度泛函数法进行结构最优化。此时， 作为基底函数，对于磷光性化合物(Pl)中含有的铟使用lanl2dz，对于 磷光性化合物(PO中的其以外的原子使用6 — 31g^进而，对于最优化 的结构，使用与结构最优化相同的基底，利用B3LYP水平的时间依赖型 密度泛函数(TDDFT)法，求得最低激发一重态能量及最低激发三重态 能量。对于荧光性高分子化合物(1)，使用Hartree—Fork法，进行结构 最优化，利用B3P86水平的时间依赖型密度泛函数，求最低激发三重态 能量。此时，作为基底函数，使用6 — 31g、另外，对于如上所述地简略 化己实施计算的化学结构的妥当性而言，用在特开2005 — 126686中记载 的方法，确认最低三重态激发能量中的侧链长依赖性小，对于荧光性高分 子化合物(l)，将成为计算对象的化学结构的芴环9， 9'位的辛基简略化 为CH;，对于荧光性高分子化合物(2)，将成为二苯并噻吩环3， 6位的 辛氧基简略化为0CH3，进行计算。进而，磷光性化合物(Pl)在HOMO中的中心金属的最外层d轨道 的轨道系数的平方和在全部原子轨道系数的平方和中所占的比例为49%。配制以99.7: 0.3的比率(重量比)混合下述荧光性高分子化合物(3) 和下述磷光性化合物(P2)而成的混合物的0.4wt^氯仿溶液，制作EL 元件。其中，荧光性高分子化合物(3)按照特开2004—143419号公报中 记载的方法合成。聚苯乙烯换算的数均分子量为Mn=3.0X104，重均分 子量为Mw=2.6X105。荧光性高分子化合物(3)实施例2磷光性化合物(P2)在利用溅射法以150nrn的厚度赋予ITO膜的玻璃基板上，使用聚(乙 撑二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸的溶液(拜耳公司，BaytronP)，利用旋涂器 以50nm的厚度成膜，在加热板上，以200'C干燥10分钟。接着，使用所 述配制的氯仿溶液，利用旋涂器，以2500rpm的旋转速度成膜。进而，在 氮气氛下，13(TC下使其干燥1小时，然后作为阴极，蒸镀约5nm钡，接 着蒸镀约80nm铝，制作EL元件。此外，在真空度到达1 X l(T4Pa以下 之后，开始蒸镀金属。通过向所得到的元件施加电压，可以观测到来源于荧光性高分子化合 物(3)的荧光(峰波长为425nm)和来源于磷光性化合物(P2)的光(峰 波长510nm)，得到多色发光。该元件在约6V下，显示出100cd/m2的发 光，最大亮度可以得到约1000cd/n^的高亮度。其中，荧光性高分子化合 物(3)显示出峰波长425nm的荧光。用科学计算法算出的磷光性化合物(P2)的最低激发三重态能量与基 态能量的差为2.49eV，比荧光性高分子化合物(3)的最低激发三重态能 量与基态能量的差(2.34eV)高0.15eV，满足所述(Eql)。此外，磷光 性化合物(P2)在HOMO中的中心金属的最外层d轨道的轨道系数的平 方和在全部原子轨道系数的平方和中所占的比例为54%，为3分之1以 上。其中，成为计算对象的化学结构相对荧光性高分子化合物(3)为与实施例1同样地实施计算。 比较例1代替在实施例2中记载的荧光性高分子化合物(3)，使用荧光性高分 子化合物(1)，与实施例2同样地制作EL元件。发光层利用旋涂器以3000rpm的旋转速度成膜。通过向得到的元件施加电压，尽管观测到来源 于高分子化合物(1)的荧光(峰波长425、 450、 480nm)和来源于磷光 性发光材料(P2)的光(峰波长510nm)，但其强度级弱，最大亮度不超 过120cd/m2。用科学计算法算出的磷光性化合物(P2)的最低激发三重态能量与基 态能量的差为2.49eV，比荧光性高分子化合物(1)的最低激发三重态能 量与基态能量的差(2.07eV)高0.42eV，不满足所述(Eql)。实施例3配制以99.8: 0.2的比率(重量比)混合在实施例2中记载的荧光性 高分子化合物(3)和在实施例1中记载的磷光性化合物(Pl)而成的混 合物的0.4wt^氯仿溶液，与实施例2同样地制作EL元件。发光层利用 旋涂器以2500rpm的旋转速度成膜。通过向得到的元件施加电压，观测到 来源于荧光性高分子化合物(3)的荧光(峰波长415nm)和来源于磷光 性化合物(Pl)的光(峰波长625nm)，可以得到多色发光。该元件在约 6V下显示出100cd/n^的发光，最大亮度可以得到约1000cd/n^的高亮度。用科学计算法算出的磷光性化合物(Pl)的最低激发三重态能量与基 态能量的差为2.00eV，比荧光性高分子化合物(3)的最低激发三重态能 量与基态能量的差(2.34eV)低0.34eV，满足所述(Eql)。与实施例1 中的记载同样地实施计算。比较例2代替在实施例3中记载的磷光性化合物(Pl)，使用下述磷光性化合 物(P1—R)，与实施例3同样地制作EL元件。其中，发光层利用旋涂器 以2500rpm的旋转速度成膜。此外，(Pl —R)从American Dye Source公 司获得。磷光性化合物(P1—R) <formula>formula see original document page 37</formula>通过向得到的元件施加电压，尽管观测到来源于荧光性高分子化合物(3)的荧光(峰波长415nm)，但未能观测到来源于磷光性发光材料(Pl 一R)的光，不能得到多色发光。用科学计算法算出的磷光性化合物(P1—R)的最低激发三重态能量 与基态能量的差为1.98eV，比荧光性高分子化合物(3)的最低激发三重 态能量与基态能量的差(2.34eV)低0.36eV，满足所述(Eql)。但是， 磷光性化合物(P1—R)在HOMO中的中心金属的最外层d轨道的轨道 系数的平方和在全部原子轨道系数的平方和中所占的比例为31%，不满 足3分之1。与实施例1的记载同样地实施计算。实施例4配制以17: 50: 33的比率(重量比)混合下述高分子磷光发光性化 合物(4)、荧光性高分子化合物(3)及(5)而成的混合物的1.7wt^甲 苯溶液。使用该溶液，与实施例l同样地进行，制作EL元件。发光层利用旋 涂器以1300rpm的旋转速度制膜。通过向得到的元件施加电压，可以观测到来源于高分子磷光发光性化 合物(4)的磷光(峰波长为620nm)和来源于高分子化合物(3)、 (5) 的混合物的荧光(峰波长470nm)，得到9132 CIE色度坐标(0.33、 0.30) 的白色EL发光。该元件在约8V下，显示出100cd/n^的发光，最大发光 效率约为2cd/A。其中，高分子化合物(5)显示出峰波长460nm的荧光。高分子磷光发光性化合物(4)(4-1) (4-2)(其中，所述式中，(4一1)表示高分子的主链部分，(4一2)表示高 分子末端基。*表示与聚合物主链的结合部。)荧光性高分子化合物(3)其中，高分子磷光发光性化合物(4)按照特开2005—226066中记载 的方法合成。该高分子化合物(4)的聚苯乙烯换算的数均分子量为Mn 二3.6X 104，重均分子量为Mw二7.3X 104。另外，荧光性高分子化合物(3)、 (5)按照特开2004 — 059899中记载的方法合成，聚苯乙烯换算的数均分 子量分别为Mn二3.0X104、 Mn二2.8X104，重均分子量分别为Mw=2.6 X105、 Mw二l.lX105。另外，用科学计算法算出的高分子磷光发光性化合物(4)的磷光发 光部的最低激发三重态能量与基态能量的差为2.00eV，其以外部分的最 低激发三重态能量与基态能量的差为2.34eV，高分子化合物(3)的最低 激发三重态能量与基态能量的差为2.34eV。另外，确认了荧光性高分子 化合物(5)的最低激发三重态能量与基态能量的差为大于荧光性高分子 化合物(3)。从以上可知，高分子磷光发光性高分子化合物(4)的磷光 发光部以外的高分子部分、高分子化合物(3)及(5)大于高分子磷光发 光性高分子(4)的磷光发光部。确认了存在最低激发三重态能量与基态 能量的差。其中，就成为计算对象的化学结构而言，对于高分子磷光发光性化合 物(4)的磷光发光部，作为与实施例1记载的磷光性化合物(Pl)相同 的计算对象结构，对于高分子磷光发光性化合物(4)的磷光发光部以外 的高分子部分、荧光性高分子化合物(3)，作为<formula>formula see original document page 40</formula>对于高分子化合物(4)，以与所述相同的化学结构作为计算对象。另外， 对于高分子化合物(5)，将<formula>formula see original document page 40</formula>作为计算对象的化学结构。与实施例1的记载同样地实施计算。产业上的可利用性使用本发明的高分子材料的元件可以进行多色发光、白色发光，可以 在低电压下进行驱动，发光效率出色等实用性出色。因而，本发明的高分子材料可以优选用于高分子LED的发光材料等。
权利要求
1.一种高分子材料，其是包含含有荧光性共轭系高分子(A)和磷光性化合物(B)的组合物，或者包含在同一分子内具有该(A)结构和该(B)结构的高分子的高分子材料，其特征在于，满足以下的(1)、(2)及(3)条件(1)荧光性共轭系高分子(A)的发光峰波长的至少一个不到500nm；(2)磷光性化合物(B)的发光峰波长为500nm以上；(3)满足下式关系，ETA-ESA0≥(ETB-ESB0)-0.2，其中，单位为eV，式中，ESA0表示荧光性共轭系高分子(A)的基态能量，ETA表示荧光性共轭系高分子(A)的最低激发三重态的能量，ESB0表示磷光性化合物(B)的基态能量，ETB表示磷光性化合物(B)的最低激发三重态的能量。
2. 根据权利要求1所述的高分子材料，其特征在于， 所述高分子为在同一分子内具有荧光性共轭系高分子(A)的结构和磷光性化合物(B)的结构的高分子。
3. 根据权利要求2所述的高分子材料，其特征在于， 所述高分子为在荧光性共轭系高分子(A)的主链上具有磷光性化合物(B)结构的高分子。
4. 根据权利要求2所述的高分子材料，其特征在于， 所述高分子为在荧光性共轭系高分子(A)的末端上具有磷光性化合物(B)结构的高分子。
5. 根据权利要求2所述的高分子材料，其特征在于， 所述高分子为在荧光性共轭系高分子(A)的侧链上具有磷光性化合物(B)结构的高分子。
6. 根据权利要求1所述的高分子材料，其特征在于， 所述高分子为含有荧光性共轭系高分子(A)和磷光性化合物(B)的组合物。
7. 根据权利要求1 6中任意一项所述的高分子材料，其特征在于， 荧光性共轭系高分子(A)在主链上含有芳香环。
8. 根据权利要求1 7中任意一项所述的高分子材料，其特征在于， 荧光性共轭系高分子(A)将可具有取代基的苯环及/或下述通式(1)作为部分结构具有，所述式中，m及n分别独立地表示0 4的整数；R,及R2分别独立地 表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基、芳基或与其他原子的键结；在 R,及R2分别存在多个的情况下，它们相同或不同;X表示一0—、一S—、一 Se—、 —B (R31) —、 一Si (R32) (R33) —、 一P (R34) —、 一PR4 (= O) — 、 一N (R35) — 、 一C (R36) (R37) — 、 —C (R51) (R52) —C(R53) (R54) — 、 一0—C (R55) (R56) — 、 —S—C (R57) (R58)—、 一 N—C (R59) (Reo) — 、 —Si (R^) (R^) _C (R^) (R64) — 、 —Si(Res) (R66) —Si (R67) (&8) —、 —C (IW =C (R70) —、 —N= C (R71) —、 —Si (R72) =C (R73) —；在此，R31表示氢、烷基、链烯基、炔基、垸氧基、垸硫基、芳基、 芳氧基、芳硫基、芳垸基、芳基烷氧基、芳烷基硫基、芳基链烯基、芳基 炔基、1价的杂环基或卤素原子；R32 R37、 R51 R73分别独立地表示垸 基、链烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、 芳基烷氧基、芳垸基硫基、芳基链烯基、芳基炔基、1价的杂环基或卤素 原子。
9. 根据权利要求1 8中任意一项所述的高分子材料，其特征在于， 磷光性化合物(B)将金属配位化合物作为部分结构具有。
10. 根据权利要求9所述的高分子材料，其特征在于， 磷光性化合物(B)的利用科学计算法算出的最高己占轨道中，中心金属的最外层d轨道的轨道系数的平方和在全部轨道的轨道系数的平方 和中所占的比例为3分之1以上。
11. 根据权利要求1 10中任意一项所述的高分子材料，其特征在于，进而含有从空穴输送材料、电子输送材料及发光材料中选择的至少一 种材料。
12. —种液态组合物，其特征在于，含有权利要求1 11中任意一项所述的高分子材料的至少一种。
13. 根据权利要求12所述的液态组合物，其特征在于， 粘度在25t:下为1 100mPa s。
14. 一种发光元件，其特征在于，在由阳极及阴极构成的电极间具有含有权利要求1 11中任意一项 所述的高分子材料的层。
15. 根据权利要求14所述的发光元件，其特征在于， 在由阳极及阴极构成的电极间进而具有电荷输送层及/或电荷阻止
全文摘要
本发明提供一种高分子材料，该高分子材料包含含有荧光性共轭系高分子(A)和磷光性化合物(B)的组合物，或者包含在同一分子内具有该(A)结构和该(B)结构的高分子，其特征在于，满足以下(1)、(2)及(3)条件。(1)荧光性共轭系高分子(A)的发光峰波长的至少一个不到500nm；(2)磷光性化合物(B)的发光峰波长为500nm以上；(3)满足下式关系。ET_A-ES_A0≥(ET_B-ES_B0)-0.2(单位eV)(Eq1)(式中，ES_A0表示荧光性共轭系高分子(A)的基态能量，ET_A表示荧光性共轭系高分子(A)的最低激发三重态的能量，ES_B0表示磷光性化合物(B)的基态能量，ET_B表示磷光性化合物(B)的最低激发三重态的能量。)
文档编号C08L65/00GK101233191SQ20068002782
公开日2008年7月30日 申请日期2006年8月10日 优先权日2005年8月12日
发明者关根千津, 石川美帆, 秋野喜彦 申请人:住友化学株式会社